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最新专利技术
  • 一种金属刻蚀气体残留的清洗方法
    一种金属刻蚀气体残留的清洗方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511268071.4
    本申请提供了一种金属刻蚀气体残留的清洗方法，涉及半导体技术领域。通过将等离子轰击预处理、深度清洗以及湿法去胶、清洗和干燥处理步骤有机结合，形成一个系统性的多阶段清洗流程，从而有效清除金属刻蚀后产生的各类残留物，特别是难以去除的气体残留，避免...
    2026-01-29
  • 晶圆减薄的方法及工艺设备
    晶圆减薄的方法及工艺设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511187260.9
    本发明提供一种晶圆减薄的方法及工艺设备。其中，所述工艺设备中加设了称重计，用于测量并获取研磨后的晶圆的重量，并以此确定刻蚀工艺的刻蚀参数，从而确保所述晶圆的减薄精准度。同时，所述获取研磨后的晶圆的重量还可以反向监测研磨机台的状态。此外，在所...
    2026-01-29
  • 一种用于光刻过程中的晶圆洗边工艺
    一种用于光刻过程中的晶圆洗边工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159003.4
    本申请公开了一种用于光刻过程中的晶圆洗边工艺，包括：提供一晶圆，所述晶圆表面覆盖有光刻胶层；利用化学去边清洗工艺清洗所述晶圆上的目标洗边位置的光刻胶层，在所述化学去边清洗工艺过程中，使所述晶圆的转速按照由低到高，再由高到低的趋势变化；利用边...
    2026-01-29
  • 衬底的清洗方法
    衬底的清洗方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511048411.2
    本发明所要解决的技术问题是，提供一种衬底的清洗方法，能够高效、彻底地清洗衬底表面各类杂质，同时避免对衬底表面造成损伤，满足半导体制造工艺对衬底清洁度严格要求。为了解决上述问题，本发明提供了一种衬底的清洗方法，包括：提供一衬底；对所述衬底表面...
    2026-01-29
  • 一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法
    一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202510967213.X
    本申请涉及一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤1、提供衬底，在衬底上生长种子层；步骤2、在种子层表面制备图形掩膜；步骤3、在图形掩膜未覆盖的种子层表面生长第一氮化镓层；第一氮...
    2026-01-29
  • 一种图形化复合衬底外延氧化镓的方法和氧化镓薄膜
    一种图形化复合衬底外延氧化镓的方法和氧化镓薄膜_苏州镓和半导体有限公司_202510945991.9
    本发明公开了一种图形化复合衬底外延氧化镓的方法和氧化镓薄膜，属于半导体制造技术领域。包括：步骤1：提供一种图形化复合衬底，将图形化复合衬底置于反应腔内，并进行烘烤；步骤2：在图形化复合衬底上制备缓冲层；步骤3：在缓冲层上制备氧化镓薄膜。本发...
    2026-01-29
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质_株式会社国际电气_202510241418.X
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。提供能够有效地对所希望的表面进行选择性处理的技术。具有：(a)准备衬底的工序，衬底具有第1表面及材质与所述第1表面不同的第2表面，在所述第1表面形成有第1氧化膜且在所述第2表面形...
    2026-01-29
  • 一种灯座可调的卤素灯
    一种灯座可调的卤素灯_江苏浦亚照明科技股份有限公司_202511184032.6
    本发明涉及卤素灯的领域，公开了一种灯座可调的卤素灯，包括十字形槽，所述十字形槽开设在安装座的顶面，所述十字形槽的上方设置有卤素灯本体，所述十字形槽的内壁开设有若干个限位槽，所述十字形槽的内壁开设有若干个定位槽，所述十字形槽的内壁滑动连接有滑...
    2026-01-29
  • 一种准分子纳米仪
    一种准分子纳米仪_深圳中科微瓦科技有限公司_202511188115.2
    本发明涉及消毒灯具技术领域，公开了一种准分子纳米仪，包括：石英玻璃灯管，具有密封内腔，所述密封内腔中封入有包含氪气和氯气的发光气体；所述密封内腔还封入有氢气。本发明的准分子纳米仪，能降低Cl2的消耗率，且自身使用寿命更长。
    2026-01-29
  • 氙灯模块、氙灯模块的制备方法及消毒装置
    氙灯模块、氙灯模块的制备方法及消毒装置_北京洋达光通科技有限公司_202510946702.7
    本发明涉及消毒装置技术领域，提供一种氙灯模块、氙灯模块的制备方法及消毒装置。氙灯模块包括：透明灯管和电极，电极设于透明灯管内，电极用于与脉冲驱动模块连接；透明灯管内至少密封填充有氙气；透明灯管包括氧化铝灯管和涂覆有氧化铝涂层的石英管。本发明...
    2026-01-29
  • 稳定囚禁大规模二维离子晶体的离子阱芯片及其制造方法
    稳定囚禁大规模二维离子晶体的离子阱芯片及其制造方法_清华大学_202511023875.8
    本发明公开了一种稳定囚禁大规模二维离子晶体的离子阱芯片及其制造方法，离子阱芯片包括：基板，基板上设有沟槽和沿厚度方向贯通基板的离子囚禁通槽；金属化镀层，沟槽将金属化镀层分隔出射频电极和多个直流电极，沟槽在垂直于沟槽长度方向的截面包括纵深部、...
    2026-01-29
  • 一种DCQ后端离子透镜在线三维束斑校准装置及方法
    一种DCQ后端离子透镜在线三维束斑校准装置及方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511177284.6
    本发明公开了一种DCQ后端离子透镜在线三维束斑校准装置及方法，本发明通过微型硅基探测器阵列的在线三维成像，可实时获取DCQ后离子束在多个截面的空间分布情况，能够实时检测离子束在不同截面的空间分布，有效识别DCQ组件与离子透镜装配偏差引起的束...
    2026-01-29
  • 气体团簇离子束设备
    气体团簇离子束设备_株式会社IIPT_202510681057.0
    为了提供可以通过生成高速且高精确的脉冲束并且调整其脉冲宽度和脉冲周期等来执行前所未有的高精确的修整加工的气体团簇离子束设备，提供了包括切换装置32的切换电路，该切换装置32布置在从用于加速离子发生器5的电离热电子的电离电源30向离子发生器5...
    2026-01-29
  • 等离子体生成装置以及等离子体加工设备
    等离子体生成装置以及等离子体加工设备_华为技术有限公司_202410709770.7
    提供一种等离子体生成装置以及等离子体加工设备，涉及等离子体处理技术领域，可以有效提高等离子体生成装置处理后的基材的均一性。该等离子体生成装置包括：至少一个线圈以及至少一个射频源，至少一个线圈连接至少一个射频源；线圈被配置为接收射频源输出的信...
    2026-01-29
  • 等离子体设备
    等离子体设备_长江存储科技有限责任公司_202410702827.0
    本申请公开了一种等离子体设备。该等离子体设备包括：反应室，内部具有反应腔，所述反应室的壁面开设有与所述反应腔连通的输送口；挡板，位于所述反应腔内；以及驱动件，驱动所述挡板在遮盖所述输送口的第一位置与显露所述输送口的第二位置之间切换。
    2026-01-29
  • 上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备
    上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410692791.2
    本发明提供一种上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备，应用于边缘刻蚀设备，该装置包括进气部件、遮挡件、聚焦环和调节单元，其中，聚焦环设置于进气部件下方，且环绕在遮挡件的周围；聚焦环包括多个子聚焦部，多个子聚焦部沿遮挡件的周向间隔分布；调节单元包...
    2026-01-29
  • 一种高均匀性的微波等离子体反应腔及其应用方法
    一种高均匀性的微波等离子体反应腔及其应用方法_合肥博雷电气有限公司_202410689602.6
    一种高均匀性的微波等离子体反应腔及其应用方法，所述反应腔的顶部开设有9个沿对角线等距均匀排布的观察窗。不同于传统的3×3阵列均匀排布，对角线排布方法可以探测到从中心到边缘的整个区域的等离子体光强，可以更好的评估微波等离子体的均匀性。在每一个...
    2026-01-29
  • 离子注入束流调整方法和调整系统
    离子注入束流调整方法和调整系统_上海积塔半导体有限公司_202511220044.X
    本发明提供了一种离子注入束流调整方法和调整系统，该调整方法包括如下步骤：监测离子注入束流并获得已设定第一周期内的离子注入束流的平均值，所述离子注入束流为注入束流与中和用带电离子束流的耦合；获得所述离子注入束流的平均值与目标离子注入束流之间的...
    2026-01-29
  • 磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽
    磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽_FEI公司_202510689440.0
    本公开涉及磁浸没场中的光电倍增管的磁屏蔽。使用闪烁体的带电粒子检测器安置在真空室中，并且包括光电倍增管(PMT)，该PMT安置在磁物镜的极片处或附近。为了保持令人满意的PMT操作，该PMT安置在由高饱和值磁性材料构造的PMT屏蔽件内。利用所...
    2026-01-29
  • 一种聚焦装置、电子束增材设备及使用方法
    一种聚焦装置、电子束增材设备及使用方法_华中科技大学_202511116566.5
    本申请涉及电子束增材设备技术领域，尤其涉及一种聚焦装置、电子束增材设备及使用方法，该聚焦装置包括第一聚焦部件和第二聚焦部件，其中，第一聚焦部件，包括第一磁轭环和第一数量的第一磁性件，第一数量的第一磁性件连接在第一磁轭环的内环且沿周向均匀分布...
    2026-01-29
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