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最新专利技术
  • 可降解模具辅助的超声波指纹芯片超薄金属化封装方法
    可降解模具辅助的超声波指纹芯片超薄金属化封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511268847.2
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及可降解模具辅助的超声波指纹芯片超薄金属化封装方法，包括如下步骤：S1：玻璃基板上形成底部电极；S2：均匀铺设PVDF高分子压电薄膜；S3：形成顶部电极图形；S4：形成钝化层；S5：芯片的集成安装；S6：安...
    2026-01-29
  • 一种晶圆对解键合方法
    一种晶圆对解键合方法_宁波美慎电子有限公司_202511252062.6
    本申请公开了一种晶圆对解键合方法，包括如下步骤：将器件晶圆和载体晶圆键合形成的晶圆对放置于特定位置，所述器件晶圆和所述载体晶圆之间通过粘合剂形成有用于键合的粘合剂层；执行通过溶剂对所述粘合剂层的边缘进行溶解消除的预解键合工序，使得所述粘合剂...
    2026-01-29
  • 一种Al/AlN/AlSiC散热模块及其一体化制备方法和IGBT器件
    一种Al/AlN/AlSiC散热模块及其一体化制备方法和IGBT器件_哈尔滨工业大学_202511271616.7
    本发明涉及材料加工的技术领域，具体而言，涉及一种Al/AlN/AlSiC散热模块及其一体化制备方法和IGBT器件。其中，Al/AlN/AlSiC散热模块的一体化制备方法包括：将Al层、AlN层和AlSiC层依次叠放形成三明治结构，并在每相邻...
    2026-01-29
  • 一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法
    一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511244008.7
    本发明公开了一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法，该方法包括以下步骤：提供中介层，在中介层上刻蚀制备多个微通孔；预制高铜柱，提供载体晶圆，在载体晶圆的第一表面键合中介层；将高铜柱精准配合至微通孔内，使微通孔金属化，高铜柱和微通孔之间的空隙...
    2026-01-29
  • 一种氮化铝覆铜衬板制作方法
    一种氮化铝覆铜衬板制作方法_浙江德汇电子陶瓷有限公司_202511185084.5
    本发明公开了一种氮化铝覆铜衬板制作方法，包括激光切割、保护膜印刷、副产物清洗、焊料印刷、烧结、覆膜曝光显影、铜蚀刻、焊料蚀刻和分板步骤。本发明通过对工艺路线优化与整合，无需由基板供应商定制有“切割缝”的氮化铝基板，降低采购成本；其次减少11...
    2026-01-29
  • 一种基于金刚石基的热管理封装基板的制备方法
    一种基于金刚石基的热管理封装基板的制备方法_深圳市故里半导体科技有限公司_202511184806.5
    本发明公开一种基于金刚石基的热管理封装基板的制备方法，包括S100，对金刚石片的部分表面进行激光打孔处理；S200，对金刚石片进行高温氧化处理，以去除打孔过程中金刚石片表面附着的石墨；S300，对金刚石片使用DPC工艺，使其表面形成导通线路...
    2026-01-29
  • 一种超薄复合毛细结构的制作方法
    一种超薄复合毛细结构的制作方法_北京中石伟业科技宜兴有限公司_202511022059.5
    本发明公开了一种超薄复合毛细结构的制作方法，所述复合毛细结构主要由铜网与铜粉复合烧结而成；所述制作方法主要包括以下步骤：步骤1)、准备好厚度为0.05mm~0.1mm的铜网；步骤2)、配制铜浆，将铜粉、粘结剂和造孔剂按一定比例混合均匀后得到...
    2026-01-29
  • 制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件
    制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件_意法半导体国际公司_202510713408.1
    本公开涉及制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件。半导体管芯布置在基板的表面的第一区域处。附加材料被施予到基板的表面的第二区域上以提供凸起构造的浮雕图案。电绝缘材料被模制到基板的表面上，半导体管芯布置在基板的表面的第一区域处。电绝缘材料封...
    2026-01-29
  • 制造半导体集成电路封装的方法
    制造半导体集成电路封装的方法_安世有限公司_202510690131.5
    本公开公开了一种利用焊料可润湿镀覆制造半导体集成电路封装的方法，所述方法包括以下步骤：提供放置在单体化带上的无引线封装的阵列，其中所述阵列包括引线框架，各引线框架具有在下侧处的接触垫、和包封层，所述集成电路被包封在所述包封层中；在底侧处将导...
    2026-01-29
  • 一种离子注入方法
    一种离子注入方法_济南晶正电子科技有限公司_202511192144.6
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种离子注入方法。所述方法包括以下步骤：准备待注入晶圆，所述待注入晶圆具有离子注入面；在所述待注入晶圆的离子注入面上制备导电层；自所述导电层向待注入晶圆进行离子注入，离子注入期间保持导电层接地，得到离子注入...
    2026-01-29
  • 图案形成方法
    图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510696173.X
    本发明涉及图案形成方法。本发明提供借由进行等离子照射而相对于以往的有机下层膜图案展现优良的边缘粗糙度的抗蚀剂下层膜图案形成方法。本发明提供一种图案形成方法，包含下述步骤：于基板上形成抗蚀剂下层膜、于该抗蚀剂下层膜上形成含硅抗蚀剂中间膜、于该...
    2026-01-29
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511607330.1
    一种半导体结构的制备方法，包括：形成初始半导体结构；在所述初始半导体结构的表面形成待保护层；在所述待保护层的表面形成保护层，所述保护层内存在沿所述保护层的厚度方向延伸的针孔缺陷，所述保护层的材质为非晶硅；在所述保护层的表面形成金属层，之后热...
    2026-01-29
  • 一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法
    一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511588564.6
    本申请提供了一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法，所述方法包括：根据第一光刻胶层上定义出的硅通孔的图案，对待处理晶圆表面的硬掩模层进行初步刻蚀，得到硅通孔的初步浅槽；去除第一光刻胶层，保留硬掩模层；在硬掩模层的表面依次沉积抗反射层和第二光刻胶...
    2026-01-29
  • 用于等离子刻蚀的方法及设备
    用于等离子刻蚀的方法及设备_香港大学_202510710813.8
    本申请公开了半导体等离子刻蚀的刻蚀方法和设备，其在等离子刻蚀的真空腔中引入带有由能够使等离子体通过的开口的阵列构成的特定图案的金属掩模并将其置于待刻蚀的基板上方且与该基板保持一定间距的位置，这样在等离子刻蚀过程中所产生的等离子体经由所述金属...
    2026-01-29
  • 一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法
    一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202510980373.8
    本发明涉及半导体材料生产技术领域，具体涉及一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法，包括：S1、腐蚀液配制：配置HF、HNO₃和CH₃COOH的混合溶液，体积比为HF : HNO₃ : CH₃COOH=1 : 3 : 6；添加0.01%‑0.1%的表面...
    2026-01-29
  • 基板处理方法、基板处理装置、计算机程序以及存储介质
    基板处理方法、基板处理装置、计算机程序以及存储介质_株式会社斯库林集团_202510697409.1
    一种基板处理方法，用于在贮存处理液的处理槽中，按批次通过将至少一张基板浸渍于处理液来对基板进行处理，其包含以下工序：取得基板张数信息，该基板张数信息表示所述批次中包含的所述基板的张数；从分别表示所述基板的张数与所述基板的处理时间的校正值之间...
    2026-01-29
  • 多晶圆堆叠结构的处理方法
    多晶圆堆叠结构的处理方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511599123.6
    本公开提供了一种多晶圆堆叠结构的处理方法，涉及半导体技术领域，包括：将第一晶圆键合在第二晶圆上以形成堆叠结构；将第一晶圆中的外延层减薄至第一预设厚度；对堆叠结构进行修边，使得堆叠结构的侧壁暴露出至少部分内部结构；在堆叠结构上形成包裹层，包裹...
    2026-01-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511526628.X
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底中形成有至少一个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构定义出有源区；对衬底执行第一离子注入工艺，以在有源区中形成阱区；在衬底上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层定义出至少一个注入窗口，每个...
    2026-01-29
  • 一种半导体器件及其生产方法
    一种半导体器件及其生产方法_上海微阱电子科技有限公司_202511234213.5
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件及其生产方法，通过接收半导体衬底；所述半导体衬底上包括多个离子注入区；按照预设的执行顺序对多个所述离子注入区依次进行注入处理；单次所述注入处理的过程包括设置图形化光刻胶层、离子注入及去胶；其...
    2026-01-29
  • 一种金属刻蚀气体残留的清洗方法
    一种金属刻蚀气体残留的清洗方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511268071.4
    本申请提供了一种金属刻蚀气体残留的清洗方法，涉及半导体技术领域。通过将等离子轰击预处理、深度清洗以及湿法去胶、清洗和干燥处理步骤有机结合，形成一个系统性的多阶段清洗流程，从而有效清除金属刻蚀后产生的各类残留物，特别是难以去除的气体残留，避免...
    2026-01-29
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