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最新专利技术
  • 太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏发电系统
    太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏发电系统_比亚迪股份有限公司_202511050307.7
    本申请涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏发电系统。太阳能电池片包括硅片和多个电流收集单元，电流收集单元包括多个依次首尾相连的栅线段，栅线段连接在硅片上，相邻的两个电流收集单元通过栅线段相互拼接，以共同形成连续...
    2025-12-24
  • 一种背接触电池及其形成方法
    一种背接触电池及其形成方法_安徽阳光光能科技有限公司_202510976267.2
    本发明实施例涉及光伏领域，公开了一种背接触电池及其形成方法，其中，背接触电池包括：基底，基底包括相对的第一表面和第二表面；沿第一方向排布的多条主栅线，主栅线位于第一表面，多条主栅线包括正极主栅以及负极主栅，正极主栅以及负极主栅在第一方向间隔...
    2025-12-24
  • 金属互联条结构、电池串及其制备方法以及光伏组件
    金属互联条结构、电池串及其制备方法以及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410753283.0
    本发明公开了一种金属互联条结构、电池串及其制备方法以及光伏组件。金属互联条结构包括互联主体部以及突出部，所述互联主体部上设置有多个所述突出部，多个所述突出部沿着所述互联主体部的长度方向间隔分布，所述突出部突出于所述互联主体部宽度方向上的边缘...
    2025-12-24
  • 一种应用于光伏组件的背板玻璃、光伏组件及其制备方法
    一种应用于光伏组件的背板玻璃、光伏组件及其制备方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511316958.6
    本发明公开了一种应用于光伏组件的背板玻璃、光伏组件及其制备方法，涉及光伏组件制造技术领域，该背板玻璃包括：玻璃主体、多条汇流带以及粘接剂；其中，所述玻璃主体上设置有放置所述汇流带的多个凹槽；粘接剂将汇流带至少部分固定在凹槽内，并使得汇流带周...
    2025-12-24
  • 一种曲面光伏组件及其应用
    一种曲面光伏组件及其应用_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511292677.1
    本发明提供一种曲面光伏组件及其应用，所述曲面光伏组件包括依次层叠的耐候膜、第一胶膜、玻纤预浸料、第二胶膜、油墨层、曲面玻璃、第三胶膜、电池片、第四胶膜和背板。所述曲面光伏组件，采用特定的结构设计，在曲面玻璃表面丝印油墨，油墨层朝向受光面，提...
    2025-12-24
  • 一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法
    一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法_中国科学院物理研究所_202511229964.8
    本发明提供了一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法。该制备方法中，通过将薄膜太阳能电池组件的子电池的工作区域外的侧边非工作区域刻蚀除去异质结以形成第一刻蚀区域，使得顶电极结构在此区域与底电极充分接触，即，通过第一刻蚀区域实现顶电极与底电极的低电...
    2025-12-24
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511204153.2
    本申请公开了背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。所述背接触太阳能电池的背光面形成有交替分布的P区、N区以及位于二者之间的间隔区，所述背光面包括中心区域和边缘区域，所述中心区域中N区的面积占比小于所述边缘区域中N区的面积占比，所述中心区域...
    2025-12-24
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511189261.7
    本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该背接触太阳能电池包括：硅基体，设置于硅基体的第一主表面的第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区，第一掺杂区和第二掺杂区交替排列，隔离区位于相邻的第一掺杂区和第二掺杂区之间；设置...
    2025-12-24
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411164485.8
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中太阳电池包括硅基底，硅基底的背面包括沿硅基底水平方向上交替排列的第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区对应P型掺杂层，第一掺杂区的掺杂浓度为1×1015atom/cm3～1×1018atom/...
    2025-12-24
  • 半导体控制的整流器
    半导体控制的整流器_瑞萨设计(英国)有限公司_202510035598.6
    提供了一种半导体控制的整流器。该整流器包括阳极、阴极和阱，该阱包括第一触点和第二触点。该阳极定位在第一触点和第二触点之间，该第一触点被布置成提供从第一触点经由阳极到阴极的第一电流流动路径，并且该第二触点被布置成提供从第二触点经由阳极到阴极的...
    2025-12-24
  • 标准单元布局及其标准单元库生成方法
    标准单元布局及其标准单元库生成方法_浙江大学_202510969922.1
    本发明公开了一种标准单元布局及其标准单元库生成方法，布局包括：地线结构、至少一个第一晶体管结构、至少一个第二晶体管结构、电源线结构及导线结构；其中，第一、第二晶体管结构均位于地线结构上方，电源线结构位于第二晶体管结构上方，导线结构用于实现各...
    2025-12-24
  • 无栅极分接单元及其制造方法
    无栅极分接单元及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510183057.8
    本申请公开了无栅极分接单元及其制造方法。本公开的实施例提供了一种包括无栅极结构的拾取组件(例如分接单元)的半导体器件及其形成方法。
    2025-12-24
  • 具有降低的划线脆弱性的III-N半导体装置
    具有降低的划线脆弱性的III-N半导体装置_德州仪器公司_202510616643.7
    本公开的实施例涉及具有降低的划线脆弱性的III‑N半导体装置。本发明涉及一种半导体装置(100)，其包括：半导体衬底(102)；III‑N半导体层(104)，其在所述半导体衬底上方；介电层(110)，其沿着所述III‑N半导体层；第一沟槽及...
    2025-12-24
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202510688814.7
    提供了一种显示设备，包括第一显示区域，该第一显示区域包括像素电路和配置成向第一显示区域的像素电路提供扫描信号的扫描线。该显示设备包括第二显示区域，该第二显示区域位于第一显示区域的一侧处，并且包括像素电路和配置成向第二显示区域的像素电路提供扫...
    2025-12-24
  • 第一显示基板、第二显示基板、显示基板和显示面板
    第一显示基板、第二显示基板、显示基板和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410667458.6
    本公开提供第一显示基板、第二显示基板、显示基板和显示面板。第二显示基板，包括位于绑定区至少一侧的焊盘区，焊盘区设置有第一检测焊盘和第二检测焊盘；绑定区按照配列顺序设置有第一数据引脚和第二数据引脚，第一延伸走线和第二延伸走线分别从第一数据引脚...
    2025-12-24
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510700462.2
    根据本说明书的一个实施方式的显示装置，包括显示面板和设置在显示面板的侧表面上的模制件，该显示面板包括包含像素的显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，其中，显示面板包括：基板；在基板上的至少一个面板无机层；在所述至少一个面板无机层上的发光部...
    2025-12-24
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410671517.7
    本公开提供一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域。本公开的显示面板包括衬底基板、设置在衬底基板上的栅极驱动电路和多条时钟信号线；时钟信号线通过连接部跨层与栅极驱动电路电连接；对于任意两相邻时钟信号线，其中一条记作第一时钟信号线，另一条记作...
    2025-12-24
  • 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法
    阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法_成都辰显光电有限公司_202410670354.0
    本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法，阵列基板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底一侧，驱动电路层背离衬底一侧设置有驱动电极；绝缘层，设置驱动电路层背离衬底一侧，绝缘层合围形成开口，驱动电极位于开口内；焊料，设...
    2025-12-24
  • 低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法
    低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202511203149.4
    本发明涉及半导体行业超大规模集成电路制造技术领域，具体提供一种低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法。旨在解决现有技术中针对界面缺陷的优化方法仍存在工艺复杂度高、成本增加或效果有限等问题。为此，本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法...
    2025-12-24
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511118016.7
    本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括从衬底突出并沿第一横向方向延伸穿过衬底的半导体鳍。半导体结构包括设置在衬底上的多个栅极结构，其中每个栅极结构沿垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸。半导体结构包括设置在栅极结构上方的栅...
    2025-12-24
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