Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种石墨烯锦纶纺丝聚合用梯度温控侧吹风方法
    一种石墨烯锦纶纺丝聚合用梯度温控侧吹风方法_南通鑫熙祥纺织科技有限公司_202511641930.X
    本发明公开了一种石墨烯锦纶纺丝聚合用梯度温控侧吹风方法，涉及纺丝生产技术领域，在纺丝机的出丝口至卷绕单元之间沿纤维运动方向设置至少三段独立侧吹风区，每一侧吹风区包括一排或多排可更换式吹嘴、独立加热单元、变频风机及流量调节阀，并且每一侧吹风区...
    2026-02-15
  • 一种制备On-DNA 3-胺基取代-1, 2, 4-恶二唑化合物的方法
    一种制备On-DNA 3-胺基取代-1, 2, 4-恶二唑化合物的方法_成都先导药物开发股份有限公司_202410806558.2
    本发明公开了一种制备On‑DNA 3‑胺基取代‑1, 2, 4‑恶二唑化合物的方法。该方法以On‑DNA仲胺化合物为底物，在碱条件下，与溴氰通过亲核取代反应，得到On‑DNA氰基化合物；在碱性条件下，On‑DNA氰基化合物与盐酸羟胺经过加成...
    2026-02-15
  • 一种n型高载流子浓度β-Ga2O3单晶材料及其制备方法和应用
    一种n型高载流子浓度β-Ga2O3单晶材料及其制备方法和应用_深圳麒磷晶源半导体有限公司_202511219859.6
    本申请属于氧化镓半导体材料技术领域，具体涉及一种n型高载流子浓度β‑Ga2O3单晶材料及其制备方法和应用。针对提拉法无法制备高载流子浓度氧化镓单晶材料的技术瓶颈，本申请提供一种n型高载流子浓度β‑Ga2O3单晶材料及制备方法包括以下步骤：(...
    2026-02-15
  • 一种激光结晶设备和激光结晶方法
    一种激光结晶设备和激光结晶方法_中国科学院福建物质结构研究所_202511061398.4
    本申请公开了一种激光结晶设备和激光结晶方法，属于激光结晶技术领域。该激光结晶设备包括：激光发生设备、偏振衰减系统、光学单元、底座、目标基底，所述目标基底与所述光学单元相对布置用于利用所述输出激光束照射所述目标薄膜以进行结晶。通过可拆装的卡座...
    2026-02-15
  • 一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法
    一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法_青海大学_202511717361.2
    本发明属于镁盐晶须制备技术领域，尤其涉及一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法，包括：S1、构建阳离子交换膜分隔式电解系统：以镁盐溶液为阳极液，以硫酸镁和添加剂的混合水溶液为阴极液，以石墨电极为阳极，以铂电极或铜电极为阴极；S2、向电解系统中通...
    2026-02-15
  • 一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法
    一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法_青海大学_202511717239.5
    本发明属于镁盐晶须制备技术领域，尤其涉及一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法，包括：S1、构建阳离子交换膜分隔式电解系统：以盐湖提锂镁渣与无机盐形成的混合乳液为阳极液，以硫酸镁和添加剂的混合水溶液为阴极液，以石墨电极为阳极，以不锈钢电极或改性...
    2026-02-15
  • 一种熔盐辅助优化P型碲化锡热电材料晶界与缺陷结构的方法
    一种熔盐辅助优化P型碲化锡热电材料晶界与缺陷结构的方法_中山大学_202511329309.X
    本发明属于高性能热电材料制备技术领域，具体涉及一种熔盐辅助优化P型碲化锡热电材料晶界与缺陷结构的方法。本发明采用熔盐介质辅助熔融法合成多晶SnTe材料。该方法在高温液相环境中可促进晶体生长过程中的定向附着，形成大尺寸晶粒，并显著降低大角度晶...
    2026-02-15
  • 一种层状CrPS4微晶及其宽温域晶格相变型电子开关
    一种层状CrPS4微晶及其宽温域晶格相变型电子开关_南开大学_202511065452.2
    本发明公开了一种层状CrPS4微晶及其宽温域晶格相变型电子开关，属于温度调控型电子开关器件技术领域。该制备方法具体包括以下步骤：(1)将铬粉、红磷和硫粉混合，同时加入气态金属碘作为传输剂后密封于石英管；(2)将石英管在氩气保护下置于双温区管...
    2026-02-15
  • 一种6.5吋半绝缘型磷化铟单晶的制备方法
    一种6.5吋半绝缘型磷化铟单晶的制备方法_华冠半导体(河源)有限公司_202511464201.1
    本发明属于半导体材料技术领域，更具体的说是涉及一种6.5吋半绝缘型磷化铟单晶的制备方法。本发明以InP籽晶、单质铁、无水三氧化二硼、红磷和磷化铟多晶料为原料，采用垂直温度梯度凝固法制备得到了6.5吋半绝缘型磷化铟单晶。本发明通过严格控制坩埚...
    2026-02-15
  • 一种晶体生长托杆设计方法及托杆
    一种晶体生长托杆设计方法及托杆_成都天一晶能半导体有限公司_202511626826.3
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种晶体生长托杆设计方法，包括如下步骤：步骤S1、对托杆的几何参数进行设计，避免托杆在随长晶炉一起旋转时发生振动现象；步骤S2、对托杆的实物结构进行设计，使得籽晶粘接炭化后产生的气体排出。本发明通过对托杆的...
    2026-02-15
  • 一种在1823K快速生长致密SiC单晶的方法
    一种在1823K快速生长致密SiC单晶的方法_四川大学_202511112831.2
    本发明涉及一种在1823K快速生长致密SiC单晶的方法，属于半导体材料技术领域。采用电弧炉在微负压的惰性气氛下将特定配比的硅、稀土金属RE、过渡族金属添加剂M和金属铝预熔成Si‑RE‑Al‑M合金锭；将预熔的Si‑RE‑Al‑M合金锭放置在...
    2026-02-15
  • 一种具有高压电响应的低成本无铅压电单晶及制备方法
    一种具有高压电响应的低成本无铅压电单晶及制备方法_四川饶玉新材料科技有限公司_202511323866.0
    本发明涉及单晶材料制备技术领域，特别是涉及一种具有高压电响应的低成本无铅压电单晶及制备方法，所述无铅压电单晶为无铅钙钛矿结构，其化学通式为xBi0.5Na0.5TiO3‑yBi0.5K0.5TiO3‑(1‑x‑y)Bi0.5Li0.5TiO...
    2026-02-15
  • 一种单晶硅的拉晶放肩方法及降低放断率的单晶硅拉晶方法
    一种单晶硅的拉晶放肩方法及降低放断率的单晶硅拉晶方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511480517.X
    本发明公开了一种单晶硅的拉晶放肩方法及降低放断率的单晶硅拉晶方法，属于单晶技术领域，包括以下步骤：S1, 建立放肩晶体模型，模型参数为放肩高度值，放肩角度值；S2, 放肩阶段中，计算出当前晶体的直径生长速率，与预设的放肩晶体模型比较，如果当...
    2026-02-15
  • 减少12寸红磷硅单晶外延层错的热场、方法、产品及单晶炉
    减少12寸红磷硅单晶外延层错的热场、方法、产品及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511342943.7
    本发明属于半导体材料加工设备技术领域，具体涉及一种减少12寸红磷硅单晶外延层错的装置、方法、产品及单晶炉，装置包括主加热器、双层液冷组件及辅助加热组件，冷却液注入双层液冷组件内可形成双螺旋通道，以对单晶实施极冷，辅助加热组件位于主加热器与双...
    2026-02-15
  • 一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用
    一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用_重庆臻宝半导体材料有限公司_202511334479.7
    本申请公开了一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用，属于单晶硅棒制备技术领域。该方法保留原有单晶硅生长设备及32英寸热场，仅更换适配目标大直径晶棒的导流筒，在放肩阶段实施主加热器功率降低与底部加热器功率增加的协同控制策略，形...
    2026-02-15
  • 一种聚晶金刚石的制备方法
    一种聚晶金刚石的制备方法_河南四方达超硬材料股份有限公司_202511184970.6
    本发明提供一种聚晶金刚石的制备方法，涉及聚晶金刚石技术领域。本发明提供的聚晶金刚石的制备方法，包括以下步骤：将合成棒原料进行烧结制备聚晶金刚石；所述合成棒原料包括一个或两个以上上下间隔布置的原料单元，所述原料单元包括金属杯和盛装在金属杯内的...
    2026-02-15
  • 一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器
    一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器_中石化南京工程有限公司_202511087573.7
    本发明公开了一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器，反应器筒体上部为晶种进料区，晶种进料区下部为反应区，反应区下方设有流化气进气管和反应气进气管，流化气进气管的上方设有气体分布器，反应气进气管从气体分布器中向上穿过通入到反应区内，反应气...
    2026-02-15
  • 多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法
    多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511426601.3
    本申请公开了一种多型SiC异质外延生长制备3C‑SiC方法，其包括如下步骤：将多型SiC衬底置于反应腔室中，从第一预设温度开始升温至第二预设温度，采用第一气源以第一流量对多型SiC衬底进行蚀刻处理；维持第二预设温度，控制第一气源为第二流量，...
    2026-02-15
  • 在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法
    在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511110757.0
    本发明涉及半导体外延生长技术领域，且公开了一种在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法，该在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法，包括以下步骤：S1、表面预处理与活性位点构建，预处理碳化硅结构件表面，通过物理或化学修饰...
    2026-02-15
  • 一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法
    一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511707452.8
    本发明涉及一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法，包括由石英材料制成的轴体，轴体的一端用于连接驱动机构，另一端设有用于支撑晶圆基座的轴支架；其中，外延炉内设有用于顶升晶圆基座的圆柱形升降销，轴支架上设有供升降销贯穿并升降运动的...
    2026-02-15
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证