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最新专利技术
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202510425928.2
    提供了一种存储器件，其中串选择线的接地晶体管连接到虚设字线以减小芯片尺寸。在一方面中，存储器件包括：存储块，包括分别由串选择线选择的单元串，其中每个单元串连接到在竖直方向上堆叠的字线；传输晶体管电路，包括分别连接到多条串选择线和多条字线的传...
    2026-03-18
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411132520.8
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体结构和外围电路结构，外围电路结构沿第一方向位于半导体结构的一侧并与半导体结构耦接，半导体结构包括存储阵列，外围电路结构包括第一半导体层和电容结构，电容结构包括第一电极层和...
    2026-03-18
  • 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括该半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510597414.5
    提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：栅极线，其各自具有一对主栅极部分和桥接部分；伪沟道结构，其在竖直方向上穿过栅极线；以及局部字线切割结构，其在竖直方向上穿过栅极线的相应的局部区域，并且在第一方向上间歇地延伸以限定桥接部分...
    2026-03-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510205556.2
    根据一个实施方式，半导体装置具备：层叠膜，其包含在第一方向上交替设置的多个第一绝缘膜和多个电极层；以及多个柱状部，其在所述层叠膜内沿所述第一方向延伸。所述多个柱状部中的第一柱状部包含：第二绝缘膜，其设置在所述多个第一绝缘膜及所述多个电极层的...
    2026-03-18
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411151303.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低半导体结构制备过程中的形变量。所述半导体结构包括叠层结构、多个沟道结构和填充部。所述叠层结构包括交叠设置的多个栅线层和多个绝缘层。所述多个沟道结构...
    2026-03-18
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411147722.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器和存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升沟道结构的尺寸均一性。半导体结构包括基板、叠层结构和栅极隔离结构。叠层结构包括交替叠置的多个栅线层和多个绝缘层。栅极隔离结构包括依次连接的多个第一...
    2026-03-18
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411132904.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一电极层和电容介质层。第一电极层沿第一方向贯穿堆叠结构，其中堆叠结构包括交替堆叠的第一介质层和第二电极层。电容介质层位于第一电极层和第二电极层之间。多个第二电极层相连接。
    2026-03-18
  • 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括该半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510419205.1
    提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：存储器单元结构，其位于单元阵列区域中；电极堆叠结构，其包括在连接区域中交替地堆叠的多个电极和多个层间绝缘层；以及多个电极接触部分，其穿透电极堆叠结构的至少局部部分，并且电连接到多个电极。...
    2026-03-18
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510326068.7
    一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成下模制结构；在下模制结构上形成第一模制结构，第一模制结构包括沿竖直方向交替堆叠的第一层间绝缘层和第一牺牲层；形成第一竖直沟道孔以穿透第一模制结构、下模制结构、以及衬底的一部分；以及形成有源层以覆...
    2026-03-18
  • 半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510563869.5
    本文可以提供半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：栅极层叠体；在栅极层叠体上方的第一半导体层；在第一半导体层和栅极层叠体之间的源极绝缘结构；接触源极层，其设置在源极绝缘结构和栅极层叠体之间；沟道结构，其穿透栅极...
    2026-03-18
  • 半导体器件和包括半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202510453692.3
    提供了一种半导体器件和电子系统。半导体器件包括基板、包括在基板上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电图案的第一子堆叠、包括在第一子堆叠上交替堆叠的第二层间绝缘层和第二导电图案的第二子堆叠、在第一子堆叠和第二子堆叠之间的中间绝缘层、穿透第一子堆...
    2026-03-18
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510181743.1
    本发明的实施方式提供一种半导体存储装置，较好地动作。本发明具备：第1接触电极，连接于实施方式的半导体衬底；第2接触电极，在第1方向上与第1接触电极分开，连接于半导体衬底；电极，设置在第1接触电极及第2接触电极之间，与半导体衬底对向；第1电极...
    2026-03-18
  • SONOS存储器制造方法
    SONOS存储器制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411180344.5
    本发明公开了一种SONOS存储器制造方法，先在栅介质层表面沉积多晶硅层，光刻刻蚀形成两两间隔的选择管栅极多晶硅及存储管栅极多晶硅，再通过光刻只打开在左右相邻选择管栅极多晶硅之间区域，然后在离子注入时，离子注入区域就会限定在左右相邻选择管栅极...
    2026-03-18
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411140875.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括沿着垂直于衬底方向堆叠的一个或多个存储单元阵列：存储单元包括：第一晶体管、第二晶体管和浮栅；所述第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、第二栅极；所述第二栅极沿着垂直于所述衬底方向延伸，所述...
    2026-03-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510136731.7
    实施方式提供一种能够降低存储器孔宽度的偏差的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基板、层叠膜和柱状部。层叠膜设置在基板的上方，具有在与基板的上表面相交的第一方向上交替层叠的多个绝缘层和多个电极层。柱状部沿第一方向贯通层叠膜。多个...
    2026-03-18
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510657731.1
    提供了一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置制造方法包括：通过在基底上交替地形成牺牲层和模塑层来形成模制堆叠件；在模制堆叠件上形成光致抗蚀剂图案，同时暴露模制堆叠件的部分；以及去除模制堆叠件的所述部分以形成延伸到模制堆叠件中的接触...
    2026-03-18
  • 存储器装置
    存储器装置_铠侠股份有限公司_202510268155.1
    本发明可提高集成度。一实施方式的存储器装置具备：衬底、第1半导体层及第2半导体层，在第1方向上互相隔开并依序排列；多个第1布线层，在衬底与第1半导体层之间，在第1方向上互相隔开排列，且包含第1层；多个第2布线层，在第1半导体层与第2半导体层...
    2026-03-18
  • 半导体结构、形成方法、半导体器件及存储系统
    半导体结构、形成方法、半导体器件及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411155738.5
    本公开提供一种半导体结构、形成半导体结构的方法、半导体器件及存储系统，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：包括沿第一方向交替堆叠的导电层和第一介质层的第一堆叠结构；包括沿第一方向交替堆叠的第二介质层和第一介质层的第二堆叠结构；沿第一方向设...
    2026-03-18
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610121167.6
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该制造方法包括在衬底上形成堆叠结构；在堆叠结构中形成沿第一方向排布的多个初始隔离结构，初始隔离结构沿第二方向延伸；其中，至少一个初始隔离结构中存在空腔；在初始隔离结构沿第二方向的相对两侧中的...
    2026-03-18
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511881205.X
    本申请提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；字线，位于衬底内；隔离结构，位于衬底上并与字线对应，隔离结构包括：第一介质层，第一介质层中包括一缝隙；第一氧化层，保形覆盖第一介质层的缝隙，第一氧化层界定一凹陷，凹陷包括上凹陷和下凹陷，其中...
    2026-03-18
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