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最新专利技术
  • 一种预防激光辅助烧结的电压击穿现象的方法
    一种预防激光辅助烧结的电压击穿现象的方法_一道新能源科技股份有限公司_202411177623.6
    本公开涉及一种预防激光辅助烧结的电压击穿现象的方法，该方法通过在反向电压单元中增设电压控制装置，该电压控制装置可以根据激光器的参数实时调节输出电压，不仅可以简化操作过程，降低操作复杂性，还可以提升施加反向电压的准确性。同时，在反向电压单元中...
    2026-03-18
  • 一种太阳电池的金属化处理工艺
    一种太阳电池的金属化处理工艺_通威太阳能(成都)有限公司_202411147529.6
    本申请提供一种太阳电池的金属化处理工艺，包括：将表面形成有导电浆料的半导体衬底依次进行烘干和烧结处理得到电池片；烧结处理包括熔融恒温烧结区和位于熔融恒温烧结区之后的峰值恒温烧结区，熔融恒温烧结区的烧结温度小于峰值恒温烧结区的烧结温度，熔融恒...
    2026-03-18
  • 一种像素结构、像素结构的工作方式及图像传感器
    一种像素结构、像素结构的工作方式及图像传感器_成都微光集电科技有限公司_202511885723.9
    本申请公开了一种像素结构、像素结构的工作方式及图像传感器，属于半导体技术领域。本申请通过增加传输栅耦合信号线，使传输栅耦合信号线和传输栅信号线形成耦合电容；当像素单元开始进入曝光阶段时，传输栅耦合信号线的电压从第一初始电压下拉至第一目标电压...
    2026-03-18
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202511174690.7
    本申请涉及图像感测装置。图像感测装置包括彼此相邻设置的单光子雪崩二极管SPAD和位于SPAD之间的连接区域。每个SPAD包括输出电压脉冲的输出节点和与输出节点交叠并接收偏置电压的偏置节点，并且连接区域连接包括在相应SPAD中的偏置节点。
    2026-03-18
  • 图像传感器及制造该图像传感器的方法
    图像传感器及制造该图像传感器的方法_三星电子株式会社_202511130591.9
    本申请涉及图像传感器及制造该图像传感器的方法。该图像传感器包括：基板，该基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面并且包括彼此间隔开的像素区域；透光层，该透光层覆盖第二表面并且包括具有开口的抗反射部分；遮光部分，该遮光部分设置在透光层中、填...
    2026-03-18
  • 图像传感器、形成电容器的方法及电容器
    图像传感器、形成电容器的方法及电容器_半导体元件工业有限责任公司_202510014617.7
    本公开涉及图像传感器、形成电容器的方法及电容器。一种系统可包括电容器。该电容器可包括第一电极、第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的绝缘体。该第一电极可具有从该第二电极的周边边缘侧向地偏移的周边边缘。可使用基于单掩模的蚀刻工艺来形成该...
    2026-03-18
  • 一种图像传感器形成方法及图像传感器
    一种图像传感器形成方法及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202411146755.2
    本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：设置包括第一像素单元和第二像素单元的若干像素单元组，于半导体衬底中形成对应各所述第一像素单元和所述第二像素单元的第一感光区域和第二感光区域；分别于所述第一感光区域上部和所述第二感光区域上部的所述半导体...
    2026-03-18
  • 图像传感器及其制备方法
    图像传感器及其制备方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411129834.2
    本申请涉及一种图像传感器及其制备方法。该图像传感器包括第一感光芯片、第一支撑围墙与透光盖板，第一感光芯片包括感光区与非感光区，非感光区环绕感光区，感光区设置有N个感光元件，N个感光元件分别用于感测不同目标波段的光，N个不同的目标波段互不重叠...
    2026-03-18
  • 感测器封装结构
    感测器封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202411126144.1
    本发明公开一种感测器封装结构，其包含：一基板、设置于所述基板的一感测芯片、连接所述基板与所述感测芯片的多条第一金属线与多条第二金属线、形成于所述感测芯片的一环形支撑层、及一透光片。所述基板与所述感测芯片通过多条所述第一金属线而彼此电性耦接，...
    2026-03-18
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610132362.9
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列设置的第一区域和第二区域；在所述衬底上依次生长垫氧化层和垫氮化层；在所述第一区域内形成第一浅沟槽，在所述第二区域内形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽...
    2026-03-18
  • 半导体组件及其形成方法
    半导体组件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511611001.4
    本发明提供一种半导体组件包括影像传感器组件，其包括电容结构，该电容结构包含作为电介质材料的非晶成分，该非晶成分包括金属氧化物混合物。非晶成分取代其他方法中使用的晶体金属氧化物电介质层堆栈。与晶体金属氧化物电介质层堆栈相比，非晶成分减少或防止...
    2026-03-18
  • 用于制造探测模块的方法和用于这种方法的辐射源模块
    用于制造探测模块的方法和用于这种方法的辐射源模块_西门子医疗股份公司_202511136230.5
    本发明涉及用于制造探测模块的方法和用于这种方法的辐射源模块。该方法包括：a)首先提供由探测元件和散射束格栅构成的堆叠组件，其中在探测元件的面对散射束格栅的表面上至少部分存在辐射固化粘合剂，其与散射束格栅和探测元件接触，b)其次提供辐射源模块...
    2026-03-18
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510928888.3
    一种图像传感器包括：传感器衬底，包括多个第一像素和多个第二像素，其中所述多个第一像素被配置为感测第一波长的光，所述多个第二像素被配置为感测不同于第一波长的第二波长的光；第一滤色器和第二滤色器，布置在传感器衬底上方，并分别对应于所述多个第一像...
    2026-03-18
  • 光电封装结构及其制备方法、摄像模组
    光电封装结构及其制备方法、摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159141.8
    一种光电封装结构、其制备方法及摄像模组。光电封装结构包括基板模块、感光芯片及塑封模块。基板模块包括玻璃基板和第一导电结构。玻璃基板包括相对的第一表面和第二表面。第一导电结构包括显露于第二表面的第一导电垫。感光芯片和塑封模块设于第二表面。塑封...
    2026-03-18
  • 光电封装结构及其制备方法、摄像模组
    光电封装结构及其制备方法、摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159138.6
    一种光电封装结构、其制备方法及摄像模组。光电封装结构包括基板模块、感光芯片及盖板模块。基板模块包括塑封体和第一导电结构。塑封体包括第一表面和第二表面。第一导电结构包括第一导电通道、第二导电通道、第一导电垫、第二导电垫及第三导电垫。第一导电通...
    2026-03-18
  • 光电封装结构及摄像模组
    光电封装结构及摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159134.8
    一种光电封装结构及摄像模组。光电封装结构包括基板模块、感光芯片以及塑封模块。基板模块包括介质层和设于介质层内的第一多层线路结构。介质层第一表面和第二表面。第一多层线路结构包括第一线路层和第二线路层。第一线路层包括相连接的第一导电垫和第一导电...
    2026-03-18
  • 光电封装结构、制备方法以及摄像模组
    光电封装结构、制备方法以及摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159128.2
    一种光电封装结构、其制备方法及摄像模组。光电封装结构包括塑封模块、感光芯片和基板模块。塑封模块的塑封体包括第一表面和第二表面。感光芯片设于塑封体内且具有连接垫。基板模块设于第二表面上且包括介电层和第一多层线路结构。介电层包括朝向第二表面的第...
    2026-03-18
  • 基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法
    基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法_西安电子科技大学_202511754646.3
    本发明公开了一种基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法，日盲探测器包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、AlScN吸收层以及电极；其中，AlGaN势垒层的材料表示为Al1‑yGay...
    2026-03-18
  • 一种基于选区刻蚀的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法
    一种基于选区刻蚀的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法_北京工业大学_202511611666.5
    本发明公开了一种基于选区刻蚀的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。自下而上包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为高掺杂n‑Ga2O3层；第二外延层，位于所述第一外延层上，所述第二外延层为轻掺杂n‑...
    2026-03-18
  • 一种光电二极管及其制备方法、光电探测器接收电路
    一种光电二极管及其制备方法、光电探测器接收电路_上海灿瑞科技股份有限公司_202511611058.4
    本发明涉及一种光电二极管，包括依次形成的衬底、外延层、氧化层、抗反射涂层、遮光层和钝化层，所述衬底中具有埋层，所述外延层中具有隔离环、光敏部和接触环，所述隔离环和所述接触环形成在所述光敏部的外侧，且所述隔离环贯穿所述外延层，与所述衬底接触。...
    2026-03-18
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