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最新专利技术
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510149579.6
    本发明提供一种显示装置及其制造方法。显示装置包含：电路衬底；发光单元，设置于电路衬底上，发光单元包含第一发光单元和第二发光单元；以及集光结构，包含第一集光结构和第二集光结构，第一集光结构对应于第一发光单元，第二集光结构对应于第二发光单元；在...
    2026-03-17
  • 光源组件、背光模组和显示装置
    光源组件、背光模组和显示装置_深圳创维显示科技有限公司_202511846453.0
    本发明公开了一种光源组件、背光模组和显示装置，涉及彩色LED领域，其中，光源组件包括支架结构、至少三个同色的发光晶片以及两个光转化部。支架结构形成有至少三个容纳槽，至少三个同色的发光晶片至少三个发光晶片对应至少三个容纳槽设置，至少三个发光晶...
    2026-03-17
  • 一种分区配光的多色光源器件
    一种分区配光的多色光源器件_深圳循光科技有限公司_202411133668.3
    本发明涉及半导体发光技术领域，公开了一种分区配光的多色光源器件，其包括支架和设于支架上的发光芯片、透光胶层、透镜和光学隔离腔。发光芯片至少包括第一发光芯片和第二发光芯片。透光胶层覆盖发光芯片。透镜覆盖透光胶层。光学隔离腔为透镜向内部凹陷的空...
    2026-03-17
  • 显示芯片转移方法、装置、驱动背板和显示面板
    显示芯片转移方法、装置、驱动背板和显示面板_成都辰显光电有限公司_202411148305.7
    本申请涉及一种显示芯片转移方法、装置、驱动背板和显示面板。所述方法包括：将临时基板上的显示芯片与设置有黑色阻挡层的驱动背板进行对位，并将所述显示芯片的芯片电极与所述驱动背板的接收电极接触；所述驱动背板的接收电极位于所述黑色阻挡层的开口内，所...
    2026-03-17
  • 陶瓷LED灯的覆膜工艺及陶瓷LED灯
    陶瓷LED灯的覆膜工艺及陶瓷LED灯_深圳市同一方光电技术有限公司_202511412841.8
    本申请涉及一种陶瓷LED灯的覆膜工艺及陶瓷LED灯，该覆膜工艺包括如下步骤：在荧光膜表面涂覆有第一胶层并进行初步固化处理，得到带有半固化胶层的荧光膜；对所述带有半固化胶层的荧光膜进行激光切割，得到多个与陶瓷基板的LED芯片相匹配的荧光膜单元...
    2026-03-17
  • 基板的修复方法、系统、设备及计算机可读存储介质
    基板的修复方法、系统、设备及计算机可读存储介质_成都辰显光电有限公司_202411116933.7
    本申请公开了一种基板的修复方法、系统、设备及计算机可读存储介质，修复方法包括：获取待修复的目标基板上存在缺陷的目标元件的位置信息以及缺陷种类；根据缺陷种类，确定与目标元件相匹配的修复参数；根据位置信息，在目标基板上对目标元件进行定位；在定位...
    2026-03-17
  • 发光芯片
    发光芯片_京东方科技集团股份有限公司_202411155474.3
    本公开提供了一种发光芯片。本公开的发光芯片包括发光功能部。发光功能部包括第一半导体层、发光层和第二半导体层。第一半导体层包括第一面、第二面和第一侧壁；发光层包括第三面、第四面和第二侧壁；第二半导体层包括第五面、第六面和第三侧壁。发光芯片还包...
    2026-03-17
  • 一种电极结构、LED芯片及其制作方法
    一种电极结构、LED芯片及其制作方法_厦门乾照光电股份有限公司_202511804627.7
    本申请提供一种电极结构、LED芯片及其制作方法，电极结构包括第一导电层和第二导电层；第一导电层具有带缺口的围坝，缺口位于围坝的外边缘；围坝的厚度从其外边缘向内减小形成向缺口引流的导流壁；第二导电层层叠于第一导电层的导流壁上；第一导电层的硬度...
    2026-03-17
  • 发光芯片及其制备方法
    发光芯片及其制备方法_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202511743399.7
    本发明实施例公开了一种发光芯片及其制备方法，通过在相邻发光单元的隔离沟道的底部，设置与第一半导体层对应的本征半导体层材料相同的剥离功能层，使得发光单元与衬底的接触界面以及相邻发光单元之间的隔离沟道处与衬底的接触界面的材料相接近，从而使得剥离...
    2026-03-17
  • 一种红光垂直芯片组件及其制作方法
    一种红光垂直芯片组件及其制作方法_重庆康佳光电科技有限公司_202411112032.0
    本发明涉及一种红光垂直芯片组件及其制作方法。其中红光垂直芯片组件制作方法包括：提供一外延片，所述外延片包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面掺杂有掺杂元素；于所述第二半导体层上蒸镀一层透...
    2026-03-17
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511508171.X
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：外延保护结构、外延结构、第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极分别与所述外延结构连接；所述外延保护结构为杯状结构，所述外延结构位于所述外延保护结构的开口内，所述外延...
    2026-03-17
  • 一种垂直结构LED芯片及其制备方法
    一种垂直结构LED芯片及其制备方法_南昌大学_202511676131.6
    本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，其芯片从下到上依次包括导电基板、键合金属层、反射层、电流阻挡层、外延层和N电极，外延层为台面结构；电流阻挡层由互不相连的中间区域电流阻挡层和边缘区域电流阻挡层组成；中间区域电流阻挡层与N电极在导...
    2026-03-17
  • 一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件
    一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件_盐城师范学院_202311118451.0
    本发明公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体、图形化的P型半导体和量子阱。该基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体，其特征在于：所述N型半导体上设有量子阱，量子阱上连接有小于特定...
    2026-03-17
  • 一种LED垂直芯片组件及其制作方法
    一种LED垂直芯片组件及其制作方法_重庆康佳光电科技有限公司_202411139311.6
    本发明涉及LED垂直芯片组件及其制作方法。其中LED垂直芯片组件制作方法包括：提供一外延片；于第二半导体层上蒸镀一层第一透明导电层并形成欧姆接触；于第一透明导电层上蒸镀一层键合金属层；将目标基板与键合金属层键合，并去除衬底，暴露出第一半导体...
    2026-03-17
  • 一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的方法
    一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的方法_盐城师范学院_202311114412.3
    本发明公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：S1，生长LED的N型半导体；S2，在N型半导体表面上图形化，且在图形化中生长量子阱或者生长量子阱且图形化量子阱；S3，在图形化中生长P型半导体，...
    2026-03-17
  • 一种异质结差异化绒面电池及其制造方法
    一种异质结差异化绒面电池及其制造方法_江苏橙伟通能智能科技有限公司_202511828882.5
    本发明公开了一种异质结差异化绒面电池及其制造方法，该方法依次包括以下步骤：首先对晶硅衬底进行第一次碱制绒，在其双面形成大结构金字塔绒面；其次在管式炉中进行富磷吸杂处理，同步于硅片双面生成一层富磷氧化硅层，该层兼具吸杂提纯和掩膜功能；然后采用...
    2026-03-17
  • 受光元件以及受光元件的制造方法
    受光元件以及受光元件的制造方法_住友电气工业株式会社_202510865568.8
    本发明提供一种受光元件以及受光元件的制造方法，受光灵敏度高且不易产生损伤。受光元件具备：衬底，具有硅层；以及光电二极管，由III‑V族化合物半导体形成，与所述硅层接合，所述硅层包含波导、凹部、空隙以及壁，所述壁设置于所述凹部与所述空隙之间，...
    2026-03-17
  • 一种光转向复合膜、制备方法及其应用
    一种光转向复合膜、制备方法及其应用_凯鑫森(上海)功能性薄膜产业股份有限公司_202511778434.9
    本发明公开一种光转向复合膜、制备方法及其应用，属于光能利用领域。针对现有太阳能电池组件在低角度光照条件光能损失严重的问题，本发明提供一种光转向复合膜，包括依次设置的第一扩散功能层、中间粘结层和第二扩散功能层；第一扩散功能层上设置有第一微结构...
    2026-03-17
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610101967.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，背接触电池的第一极性区域上层叠有第一隧穿层和第一掺杂层，第一隧穿层包括第一氮化物层，第一隧穿层上形成有若干孔洞，第一极性区域的表面为绒面，第一极性区域具有若干第一金字塔...
    2026-03-17
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_江苏宜兴德融科技有限公司_202511809959.4
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，其中太阳能电池包括：外延结构、反射镜层、背电极金属层以及设置在反射镜层与外延结构之间的隔离层，其中，所述隔离层由非晶态材料组成，且所述隔离层对所述外延结构的底电池的吸收波段内的光的透射率不小于99%，...
    2026-03-17
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