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  • 本发明涉及负载锁定室系统及其控制方法,提供一种防止颗粒附着并污染基板且提高单位时间的基板供给量的负载锁定室系统及其控制方法,该系统包括预热室,所述预热室包括:预热室外壳,其内部形成有能够与外部隔绝且用于容纳基板的容纳空间;压力调节部,其在所...
  • 本申请涉及一种气体输送装置、方法及半导体工艺设备,该输送装置包括气体管道、螺旋扇叶结构以及弹簧组件;所述螺旋扇叶结构设置在所述气体管道内,用于混合至少两种气体;所述弹簧组件安装在所述螺旋扇叶结构的两端,用于在经过气体流动时发生形变以产生弹性...
  • 本发明提供了膜层制备方法及半导体工艺设备;其中,在膜层制备方法中,获取基底,并采用原子层沉积技术在基底上进行薄膜沉积;在沉积过程中,按照循环次数生成多个沉积层,并通过多个沉积层形成膜层;其中,在每个沉积层生成后,均执行颗粒清扫步骤,该颗粒清...
  • 本发明提供了氧化铝膜层的制备方法及半导体工艺设备;其中,在氧化铝膜层的制备方法中,获取基底和工艺配方;其中,工艺配方包括至少一个工艺循环,在工艺循环中,首先通入三甲基铝,然后进行第一吹扫,接着通入水蒸气,最后进行第二吹扫;三甲基铝的脉冲时间...
  • 本发明提供了一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备。多站式工艺腔包括:第一半腔,包括分隔部,其中,所述分隔部包括第一金属环和多块金属挡板,所述第一金属环位于所述第一半腔的中心,所述多块金属挡板环绕所述第一金属环,其第一端连接所述第一金属环,...
  • 本申请具体涉及一种高纯钨钼合金的制备方法,具体为:步骤S1.除杂预处理:将三甲基钨和二乙基钼分别进行纯化;步骤S2.低温活化处理:将纯化后的三甲基钨和二乙基钼在氢气的辅助下进行等离子活化;步骤S3.混料处理:经过活化后的混合物通入混合装置进...
  • MOCVD薄膜沉积装置,涉及薄膜制备技术领域,本发明包括下述部分:反应腔(4),其具有进气口和排气口;左右两个带轮(2),带轮表面设有多个定位槽,用于限制带材位移;反应腔(4)和带轮(2)与安装架连接,所述安装架上还装有带材张紧结构。本发明...
  • 本发明的一种自动化铜箔卷绕镀膜装置及其方法,属于自动化铜箔卷绕镀膜技术领域,包括以下步骤:数据采集:通过非接触式轮廓感测架实时监测铜箔在宽度方向的平整度轮廓,获取实时形貌阵列;误差计算:控制器将所述实时形貌阵列与基于全局基准张力计算的理论悬...
  • 本发明提出了一种用于蒸发镀膜的控制方法、蒸发镀膜系统。其中用于蒸发镀膜的控制方法,包括:步骤1,预先采集蒸发镀膜设备的加热器的温度、加热参数与蒸发速率的对应关系;步骤2,基于所述对应关系,采用阶跃提升蒸发镀膜设备的加热器的加热参数的数值的方...
  • 本申请公开了载具、镀膜设备及其控制方法。载具包括多个第一极板、多个第二极板、第一导电块、第二导电块、第三导电块和第四导电块。第一极板和第二极板在第二方向上交替间隔设置。第一导电块设置于相邻第一极板之间靠近第一端的一侧,第二导电块设置于相邻第...
  • 本发明涉及真空处理技术领域,公开了一种工件装载架及真空处理设备, 该工件装载架包括驱动组件、传动架、伞架组件、料串轴组件和传动组件;驱动组件和传动架均设于真空腔室;伞架组件设于驱动组件的驱动端;料串轴组件转动设于伞架组件上;若干个料串轴组件...
  • 本发明公开了一种能够匹配不同光学镜头的夹持固定工装,其包括横向固定设置有多个导向件的支撑导向组件、分别活动环绕设置在支撑导向组件上的多个夹持组件以及环绕设置在多个夹持组件上的复位件;夹持组件包括导向块,其滑动连接在对应的导向件上;固定连接在...
  • 本发明公开了一种用于在回转体类零件表面涂镀类金刚石膜层的装置,属于涂层技术领域。该装置包括转动设置的主撑杆和固定的侧撑杆。主撑杆上安装有若干三维旋转部件,每个部件包括旋转架和环绕分布的零件筒。侧撑杆上设有与三维旋转部件一一对应的拨片机构。通...
  • 本发明涉及表面处理技术领域,具体为一种应用于风力发电工件具有柔性防护结构的工作框架,包括真空镀覆装置,所述真空镀覆装置内部的顶部和底部均栓接有固定框架,两个固定框架相对的一侧之间转动连接有工作结构框架;所述工作结构框架包括两个支板,两个支板...
  • 本发明提供了一种在工程结构表面沉积多层DLC膜层的方法及半导体设备,涉及半导体技术领域。形成的粗化表面有助于消除DLC膜层沉积产生的界面应力,且有助于增加后续DLC膜层的沉积厚度。形成的C原子扩散分布层可增加与含C的DLC膜层的界面粘着力。...
  • 本发明涉及光学镀膜材料技术领域,具体为一种高透光光学镀膜材料及其制备方法。本发明克服了现有光学镀膜材料透光性低和附着力差的技术问题。本发明对光学基材进行离子清洗及HMDS原位等离子体接枝;利用高功率脉冲磁控溅射沉积ZrO2掺杂Nb2O5应力...
  • 本发明提供了一种增强太赫兹发射的氧化铟锡薄膜及其制备方法,属于非线性光学及太赫兹技术领域。该方法采用磁控溅射工艺在基底上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜;将薄膜置于真空环境中进行快速热退火处理。本发明的核心在于通过精确控制退火时间及退火温度,调控...
  • 一种阻氢复合涂层的制备方法,包括以下步骤:步骤S11,在预处理后的基体表面沉积金属钛过渡层;步骤S12,采用钛靶和碳靶共溅射方式,在金属钛过渡层的表面沉积钛碳梯度层;步骤S13,关闭钛靶,通过碳靶在钛碳梯度层的表面沉积类金刚石层;步骤S14...
  • 本发明属于微电子器件制造技术领域,公开了一种低功率等离子体条件下制备金属底电极的方法,其包括如下步骤:采用磁控溅射技术,在清洗、吹干的衬底上沉积氮化铝薄膜以形成一定厚度的种子层,然后在形成的种子层上沉积选定的金属底电极材料至预定厚度,最终制...
  • 本发明公开了一种阀芯表面抗冲击耐磨高韧润滑梯度涂层及其制备方法,涉及阀芯表面处理技术领域,其中,包括依次层叠于阀芯基体表面的支撑层、过渡层和功能层;所述支撑层为金属基复合涂层,所述过渡层为金属铬与碳化铬构成的成分梯度涂层,所述功能层为类金刚...
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