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  • 本发明涉及电力设备防护技术领域,且公开了一种高防护性能电表箱,包括电表箱外壳,所述电表箱外壳的内壁处固定连接有四个排风板,所述电表箱外壳的内壁处固定连接有两个阻挡框,两个所述阻挡框的内壁处均滑动连接有收集框,外界沙尘通过排风板侵入电表箱外壳...
  • 本发明公开了一种集成化高压低压预装式变电站结构,涉及箱式变电站技术领域包括:变电站,所述变电站的两侧设置有一个转动板,两个所述转动板的内侧均安装有一个第一过滤板,所述转动板的两侧固定连接有一个第二过滤板;降温机构,设置在所述变电站的内侧,用...
  • 本发明涉及的配电柜防火处理技术领域,公开了一种基于防火堵料的配电柜孔洞封堵装置,包括配电柜柜体、线缆孔洞和封堵单元,线缆孔洞穿过线缆孔洞伸至所述配电柜柜体内,封堵单元包括耐火隔板层、密封层和防火封堵层,防火密封层沿所述线缆孔洞上方周向布设,...
  • 本发明公开了一种变电站用防火封堵设备,涉及防火封堵技术领域。该变电站用防火封堵设备,包括变电站外壳,变电站外壳的左侧和后侧分别开设有散热口一和散热口二;变电站外壳的外侧活动连接有转轴一,转轴一的顶部固定连接有锥齿轮一,散热口一的内部转动连接...
  • 本发明公开了一种低压计量箱整箱设备防烧损的装置及其方法,涉及计量箱设备技术领域,包括箱体,箱体内部安装有若干组连接座,每组连接座通过导线连接有电能表,每组连接座内部对应电能表的电流端子安装有绝缘盒,每组绝缘盒的内部安装有用于监测端子连接点温...
  • 本发明提出了一种元器件母排精准定位安装控制方法及系统。属于低压配电设备制造、电气连接结构与智能制造装配交叉技术领域。所述方法包括:采用高精度冲压工艺对配电箱内母排进行定位孔加工,生成高精度母排定位孔数据;依据高精度母排定位孔数据,将母排安装...
  • 本发明涉及配电箱配件技术领域,具体涉及一种配电箱线路分线器,包括外壳、连接座和多边柱,连接座设置于外壳中部,连接座侧面开设有多个接线口,连接座顶部开设有多个与接线口对应且连通的固定腔,固定腔内固定有上下贯通的导向筒,多边柱上下滑动设置于导向...
  • 本发明公开了一种具有分层隔离与高效散热结构的电表箱,涉及电表箱技术领域。包括柜体,柜体的内部设置有分区组件,分区组件包括隔板和若干分区板,隔板上开设有若干纵向T型槽和若干横向T型槽,若干纵向T型槽和若干横向T型槽相互连通,纵向T型槽和横向T...
  • 本发明涉及配电箱领域,公开了一种走线密封型配电箱,包括箱体、导线槽座、理线组件、定线组件、抽拉屉体和交叉密封件,理线组件供内部线缆穿过,理线组件能够沿水平方向活动,以拉动内部线缆处于绷直状态或带动内部线缆复位至放松状态,定线组件供内部线缆穿...
  • 本发明公开了一种输配电控制设备,涉及电气工程技术领域,包括螺栓、热膨胀驱动调压组件、六组环形均匀传压组件,热膨胀驱动调压组件与环形均匀传压组件两大核心模块的协同创新得以全面体现,在热膨胀驱动调压组件方面,本发明突破了传统电力导体接头依赖人工...
  • 本发明公开了一种模块化可插拔的配电终端结构,本发明涉及配电设备技术领域。该模块化可插拔的配电终端结构,通过功能模块中电力传输插接槽组件和信号输入模块采用可插拔的分体结构设计,且由于相邻电力传输插接槽组件的第一导电金属弹片、第二金属导电弹片的...
  • 本发明涉及气体绝缘柜技术领域,公开了一种高安全性的气体绝缘柜架,包括:多个边支撑组件,与柜体的棱边弹性抵接;多个角支撑组件,与柜体的角弹性抵接,相邻的边支撑组件通过角支撑组件连接;柜体的每个外侧面靠近棱边的一侧均为第一支撑区域,每个边支撑组...
  • 本发明涉及电气开关柜技术领域,具体涉及一种紧凑型高压开关柜,包括:承载框架的底部与外部箱变底框集成,若干个封板可拆卸地设置于承载框架的四周侧面与顶部;真空断路器单元设置于承载框架内的前侧区域,一次元件单元设置于承载框架内的后侧区域,仪表室单...
  • 本申请涉及建筑防雷保护技术领域,尤其是涉及一种古建筑保护用防雷装置,包括安装环架,所述安装环架的顶部等间距呈环状排列固定安装有支撑架,所述支撑架的顶部固定安装有顶环,所述顶环的内侧活动安装有避雷针基座,所述避雷针基座的顶部转动连接有避雷针本...
  • 本申请公开了一种多芯片激光器封装组件,属于光电技术领域。多芯片激光器封装组件包括底板,底板上贴装有多个成行和列排列的发光芯片,多个发光芯片发出多色激光光束,具有慢轴方向和快轴方向;准直镜组,包括多个成行和列排列的准直透镜,所述激光光束的慢轴...
  • 本发明提供一种基于波长选择的低噪声激光装置,包括激光发射单元及波长选择结构,波长选择结构设置于激光发射单元的激光输出端,其中激光发射单元具有多个激光发射通道;波长选择结构包括多个独立的波长选择元件,且多个波长选择元件与多个激光发射通道一一对...
  • 本发明公开了一种定向发射激光的GaN桥接微盘激光器及其制备方法,属于半导体光电器件技术领域。提出桥接多边形微腔结构,在四边形和圆形微腔顶角处引入延伸桥结构,通过桥与主腔体的几何耦合打破多边形的镜像对称性,将回音壁模式定向耦合至输出波导。此发...
  • 本发明提供一种半导体激光器芯片及制备方法,属于半导体激光器芯片制备技术领域,包括自下至上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、张应变量子阱、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层,以及SiO2绝缘层、第一层P面金属和第二层P面金属。...
  • 本发明提供一种微盘结构半导体激光器及制备方法,属于半导体激光器技术领域,本发明包括:SiO2阻挡层、100μm厚n‑GaAs衬底、100nm厚n‑GaAs接触层、200nm厚Si掺杂n‑AlGaInP限制层、400nm厚n‑AlGaInP波...
  • 本发明公开一种用于半导体器件的隧穿结层结构及其制造方法,所述隧穿结层包括从下至上依次生长的P型限制层、P型隧穿结层、N型隧穿结层和N型限制层,所述N型隧穿结层包括交替层叠生长的至少一第一N型隧穿结层和至少一第二N型隧穿结层,与P型隧穿结层接...
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