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最新专利技术
  • 空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法
    空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法_上海空间电源研究所_202511798915.6
    本发明涉及空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法，在电池的聚酰亚胺膜衬底上沉积一层氧化钛薄膜，在氧化钛薄膜表面上沉积一层氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜表面上沉积一层氧化硅薄膜，形成三层减反射膜。本发明采用多层增透膜设计，可以提高太阳电池表面...
    2026-04-10
  • 一种太阳能电池组件及太阳能电池系统
    一种太阳能电池组件及太阳能电池系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511714546.8
    本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种太阳能电池组件及太阳能电池系统，太阳能电池组件包括依次层叠设置的第一盖板、第一胶膜、电池层、第二胶膜和第二盖板，电池层包括若干电池串和焊带，电池片上设有栅线以及与栅线连接的pad点，pad点上设有端头线...
    2026-04-10
  • 层叠体、电子设备、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统
    层叠体、电子设备、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统_株式会社东芝_202511312195.8
    一种层叠体、电子设备、太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。一种实施方式的层叠体，其具有：基板；透明电极，其设置于基板上；以及绝缘膜，其设置于透明电极上，被覆透明电极的与基板侧相反的一侧的表面的50%以上且100%以...
    2026-04-10
  • 一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511712011.7
    本发明涉及太阳能电池的技术领域，公开了一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏系，太阳能电池片的背面设置有若干条第一栅线和若干条第二栅线，所述第一栅线和第二栅线沿第一方向平行且相互交替设置；太阳能电池片的背面的侧边缘设置有沿第二方向延伸的边缘...
    2026-04-10
  • 一种铜浆料、电极以及其制备方法和应用
    一种铜浆料、电极以及其制备方法和应用_隆基绿能科技股份有限公司_202411245861.6
    本申请公开了一种铜浆料、电极以及其制备方法和应用，所述电极包括铜粉，所述铜粉包括纳米铜颗粒以及片状铜粉，所述纳米铜颗粒包括至少两个相连的铜纳米粒子，相邻铜纳米粒子之间采用面接触的方式连接。本申请的电极，通过使用由两个以上的铜纳米粒子连接而成...
    2026-04-10
  • 铜栅线以及用途
    铜栅线以及用途_隆基绿能科技股份有限公司_202411244287.2
    本申请提供了一种铜栅线以及用途，所述铜栅线包含栅线主体部分和栅线外围部分，所述栅线外围部分位于所述栅线主体部分的两侧，其中任意一侧所述栅线外围部分的宽度不超过所述栅线主体部分宽度的15％‑50％；所述栅线外围部分的铜粉粒径中位值小于栅线主体...
    2026-04-10
  • 一种背接触太阳能电池及光伏组件
    一种背接触太阳能电池及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197657.4
    本申请涉及光伏领域，公开了一种背接触太阳能电池及光伏组件，背接触太阳能电池包括硅基底、第一类掺杂多晶硅层和第二类掺杂多晶硅层，硅基底具有第一表面，第一类掺杂多晶硅层设置于第一表面一侧，第一类掺杂多晶硅层朝向硅基底一侧具有第二表面，第二类掺杂...
    2026-04-10
  • 一种硅片、电池片和光伏组件
    一种硅片、电池片和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202512058271.3
    本发明公开一种硅片、电池片和光伏组件，涉及硅片制造技术领域，用于解决硅片容易碎片的问题。硅片具有相对的两个表面以及位于两个所述表面之间的四侧面；相邻的两个侧面通过倒角连接；所述硅片中含有锑，所述倒角的锑含量为3E+13atoms/cm3~1...
    2026-04-10
  • 太阳能电池和电池组件
    太阳能电池和电池组件_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202512037063.5
    本申请涉及光伏技术领域，具体涉及一种太阳能电池和电池组件，解决了由于半片太阳能电池的切割边处存在严重的边缘复合，导致太阳能电池的功率较低的问题。该太阳能电池在第一方向上具有相背设置的切割边和非切割边，太阳能电池的衬底的第一表面具有沿第一方向...
    2026-04-10
  • 一种IBC光伏电池
    一种IBC光伏电池_宜宾英发德睿科技有限公司_202511965896.1
    本发明公开了一种IBC光伏电池，涉及电池制备技术领域，包括硅基底，所述硅基底背面沿X轴正向设有第一掺杂区域、第一隔离沟槽G1、第二掺杂区域和第二隔离沟槽G2，所述硅基底背面沿Z轴反向设有第一掺杂区域、第三隔离沟槽G3、第二掺杂区域和第四隔离...
    2026-04-10
  • 一种背接触电池、电池组件及光伏系统
    一种背接触电池、电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511582019.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种背接触电池、电池组件及光伏系统，包括：基底，包括相对设置的第一表面及第二表面；掺杂层，设于第一表面上，掺杂层包括若干交替排布且极性相反的第一掺杂层及第二掺杂层，且至少一相邻第一掺杂层与第二掺杂层之间...
    2026-04-10
  • 一种具有碲化银量子点/硫化铅量子点/二氧化锡结构的红外光电二极管探测器及其制备方法
    一种具有碲化银量子点/硫化铅量子点/二氧化锡结构的红外光电二极管探测器及其制备方法_湖北大学_202411298877.3
    本发明涉及一种快速稳定的红外光电二极管探测器，该探测器采用了碲化银量子点(Ag2Te QDs)/硫化铅量子点(PbS QDs)/二氧化锡(SnO2)/金电极(Au)的结构，并提供了一种溶液法制备。Ag2Te量子点作为吸光层和空穴传输层，同时...
    2026-04-10
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及太阳能组件
    钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及太阳能组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197670.X
    本发明公开了钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及太阳能组件，涉及光伏技术领域。本发明提供的钝化接触结构包括介电层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层表面区域的硼最低掺杂浓度与整体掺杂多晶硅层的峰值掺杂浓度的比值大于等于90%，有利于降低金属电极与...
    2026-04-10
  • 一种PIN光电探测器及其制备方法
    一种PIN光电探测器及其制备方法_北京英孚瑞半导体科技有限公司_202610218761.7
    本发明公开了一种PIN光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明的倒装结构的PIN光电探测器整个P型扩散区域被低电阻的P金属覆盖，光生载流子输运至P型区域后，主要通过纵向输运到达P型金属电极，由于P型盖层厚度远小于光敏面尺寸(横...
    2026-04-10
  • 一种光伏组件的制造方法、制造装置
    一种光伏组件的制造方法、制造装置_浙江晶科能源有限公司_202610155840.8
    本公开涉及太阳能电池领域，特别涉及一种光伏组件的制造方法、制造装置。该制造方法，包括：提供电池片，电池片包括沿第一方向排布的两个第一区以及位于两个第一区之间的第二区，第一区上设置有沿第二方向排布的多个焊盘，焊盘表面有钝化膜；提供振动模块，振...
    2026-04-10
  • In2S3纳米片的制备及应用
    In2S3纳米片的制备及应用_河南欣维捷科技有限公司_202511989665.4
    本发明公开了In2S3纳米片的制备及应用，属于薄膜电池材料领域。具体涉及一种电池的制备方法，包括以下步骤：将硫代乙酰胺和三氯化铟溶解在溶剂中，配置为In2S3前驱液，在TiO2纳米颗粒薄膜上旋涂成膜，惰性气体保护下进行热处理，得到In2S3...
    2026-04-10
  • 一种IBC光伏电池烧结和退火的方法
    一种IBC光伏电池烧结和退火的方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511965897.6
    本发明公开了一种IBC光伏电池烧结和退火的方法，涉及光伏电池制备技术领域，所述方法应用于浆料烧结和光注入退火一体化设备，具体包括：取金属化印刷后电池，依次进行烘干操作、烧结操作、第一光注入退火操作和第二光注入退火操作，所述光注入退火具体包括...
    2026-04-10
  • 一种太阳能板层压用自适应压力调节装置
    一种太阳能板层压用自适应压力调节装置_福力加特(南通)新能源科技有限公司_202511911683.0
    本发明提供一种太阳能板层压用自适应压力调节装置，包括操作台，所述操作台的顶端通过支架装配有电动伸缩杆，所述支架的内部滑动连接有与电动伸缩杆连接的上压台，所述操作台的上表面通过自适应调节组件连接有下压台；所述自适应调节组件包括：空心底座，所述...
    2026-04-10
  • 一种内嵌天线辐射单元的薄膜光伏器件制备方法
    一种内嵌天线辐射单元的薄膜光伏器件制备方法_上海空间电源研究所_202511812372.9
    本发明公开了一种内嵌天线辐射单元的薄膜光伏器件制备方法，所述薄膜光伏器件从上至下依次包括兼容性前电极层、半导体层、金属电极层、聚酰亚胺膜层。通过兼容性前电极层及图形化金属电极层协同设计，满足对入射太阳光的高效吸收与能量转换。通过半导体膜层掺...
    2026-04-10
  • 消除P/N区高度差的背接触电池的制备方法
    消除P/N区高度差的背接触电池的制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202511622489.0
    本发明提供了一种消除P/N区高度差的背接触电池的制备方法，其包括：提供一硅基底；对硅基底进行碱抛处理，并在正面和背面进行磷扩散，形成磷扩散层；定义背面相邻的两个区域为第一区域和第二区域，去除第一区域的磷扩散层并向下刻蚀硅基底，形成第一凹槽；...
    2026-04-10
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