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最新专利技术
  • 一种提升对比度的IC-LED模组制备方法及IC-LED模组
    一种提升对比度的IC-LED模组制备方法及IC-LED模组_湖北芯映光电有限公司_202511920490.1
    本申请涉及一种提升对比度的IC‑LED模组制备方法及IC‑LED模组，IC‑LED模组制备方法包括：将预先开设多个通孔的光学遮光膜对准基板上的LED灯珠，并预压光学遮光膜，使每颗LED灯珠从通孔中露出；其中，基板的同一表面排列有多颗LED灯...
    2026-04-10
  • 显示模组封装方法和显示模组
    显示模组封装方法和显示模组_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511644946.6
    本申请适用于电子设备技术领域，提供了一种显示模组封装方法和显示模组，所述方法包括：一种显示模组封装方法，其特征在于，包括：对PCB基板进行封装，得到封装胶层；PCB基板上焊接有多个LED组件，各个LED组件均位于PCB基板和封装胶层之间；在...
    2026-04-10
  • 一种LED器件及制作方法
    一种LED器件及制作方法_广东晶科电子股份有限公司_202511906075.0
    本发明提供一种LED器件及制作方法，包括：注塑塑料胶体、第一金属片、第二金属片、LED芯片、封装体、空腔结构、键合线；所述封装体覆盖在所述LED芯片上，所述注塑塑料胶体围绕在所述封装体外；所述第一金属片、所述第二金属片远离所述LED芯片的一...
    2026-04-10
  • 一种自密封无机封焊LED光源及无机封焊方法
    一种自密封无机封焊LED光源及无机封焊方法_中山市光圣半导体科技有限公司_202511888957.9
    本发明公开了一种自密封无机封焊LED光源及无机封焊方法，LED光源包括基板、LED芯片和光窗，基板顶面设有电极层、焊接层，LED芯片焊接在电极层上；光窗包括管壳、透镜，管壳的下端焊接在焊接层上；管壳内设有围绕LED芯片设置的环杯形的反光杯，...
    2026-04-10
  • 一种热应力优化的复合结构LED灯珠及其封装方法
    一种热应力优化的复合结构LED灯珠及其封装方法_广东晶科电子股份有限公司_202512038859.2
    本发明涉及LED照明技术领域，具体公开了一种热应力优化的复合结构LED灯珠及其封装方法，所述的一种热应力优化的复合结构LED灯珠，其包括：焊盘，所述焊盘上设置有基板；芯片，所述芯片设置在所述基板上并与所述基板电连接，所述芯片的上表面设置有光...
    2026-04-10
  • 一种LED支架结构及LED器件
    一种LED支架结构及LED器件_广东晶科电子股份有限公司_202512027376.2
    本发明提供了一种LED支架结构及LED器件，其中LED支架结构包括基底和设置于基底上的围坝，所述基底具有上表面、下表面以及连接上表面和下表面的四个侧面，四个所述侧面分别为依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面，所述第一侧面和/或第...
    2026-04-10
  • 倒装LED芯片及其制备方法
    倒装LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610212724.5
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：蓝宝石衬底，设于其正面上的外延层、电流阻挡层、第一反射层；外延层上形成有发光结构；发光结构在蓝宝石衬底上的正投影具有第一外边缘和次外边缘，第一反射层...
    2026-04-10
  • 高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法
    高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610194832.4
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：衬底、外延层、第一绝缘层、第一反射层、第二绝缘层、P型金属连接层、N型金属连接层、第三绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层；隔离槽的侧壁和/或底...
    2026-04-10
  • 垂直LED芯片及其制备方法
    垂直LED芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202610202505.9
    本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤：提供外延片；依次形成第一介质层、第一反射层和键合层；与第二衬底键合，并去除第一衬底，暴露N型接触层；将N型接触层刻蚀，形成预设形状的凸台，...
    2026-04-10
  • 一种长波长InGaN器件及其制备方法
    一种长波长InGaN器件及其制备方法_厦门大学_202512008185.1
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种长波长InGaN器件及其制备方法，通过准备纳米图形蓝宝石衬底；在所述纳米图形蓝宝石衬底上设置n型GaN模板层；在所述n型GaN模板层表面设置InGaN/GaN多量子阱有源层；其中，所述InGaN/Ga...
    2026-04-10
  • 一种LED外延生长方法及LED设备
    一种LED外延生长方法及LED设备_厦门大学_202512007843.5
    本发明公开了一种LED外延生长方法及LED设备，应用于LED技术领域，包括：获取外延片预制体；在外延片预制体表面交替生长第一材料层和第二材料层，形成具有多个周期结构的超晶格层；生长第一材料层的温度为第一温度，生长第二材料层的温度为第二温度，...
    2026-04-10
  • 一种垂直磁各向异性GaN基自旋偏振光发光二极管制备方法
    一种垂直磁各向异性GaN基自旋偏振光发光二极管制备方法_南京大学_202511891328.1
    本发明公开了一种垂直磁各向异性GaN基自旋偏振光发光二极管及其制备方法，其制备方法核心在于：首先，通过干法转移和激光直写在n‑GaN上将1‑3层石墨烯化为圆环形状；其次，在超高真空环境下，于同一溅射腔体内连续、不破真空地依次溅射沉积MgO隧...
    2026-04-10
  • 一种纳米级空腔增强色转换方法
    一种纳米级空腔增强色转换方法_广西飓芯科技有限责任公司_202511868138.8
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，且公开了一种纳米级空腔增强色转换方法，包括如下步骤：氮化镓‌蓝光LED晶圆采用荷能重离子径迹刻蚀方法在氮化镓表面进行处理，荷能重离子能量和辐照剂量的控制在氮化镓表面刻蚀形成介孔通道形貌；将制备有介孔通道的晶...
    2026-04-10
  • 一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法
    一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法_山东晶镓半导体有限公司_202511602302.0
    本发明属于光电技术领域，具体涉及一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法。本发明通过采用PVT生长炉优先对AlN衬底进行开口处理，再对该衬底进行外延相应Buffer层，N‑GaN以及量子阱等；本发明的方法可以在PVT炉膛内高温循环退...
    2026-04-10
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610210330.6
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及光伏组件。在本申请实施例中，隧穿层设于第一表面的第一区域，掺杂导电层设于隧穿层背离于基底的一侧。通过设置连接第一区域和第二区域的过渡区域，在第二区域上设置第一陷光结构，在过渡区域上设置表面...
    2026-04-10
  • 一种太阳能电池片、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池片、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610210238.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种太阳能电池片、电池组件及光伏系统，电池片包括：基底，其背面包括第一区域、第二区域及连接区域，若干第一区域与第二区域相互交替排布，连接区域至少部分设于相邻的第一区域与第二区域之间，并分别与第一区域及第...
    2026-04-10
  • 电路板模组和太阳能板
    电路板模组和太阳能板_庆鼎精密电子(淮安)有限公司_202411227253.2
    本申请提出一种电路板模组和太阳能板。本申请通过在电路基板上设置具有电致变色性能的介电层，介电层在高温条件下可通过调整电压实现由透明态变为深色的转变，从而能遮光并降低硅电池和电路基板的温度，进而能改善太阳能板整体的发热问题。
    2026-04-10
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511915738.5
    本申请属于光伏技术领域，具体涉及一种光伏组件，能够增加了入射光的利用率，能够提升光伏组件整体光电转换效率，光伏组件包括层叠的正面封装层、正面封装胶膜层、电池片层、背面封装结构，所述电池片层包括间隔排列的多个电池串、多个汇流条，所述光伏组件还...
    2026-04-10
  • 一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件
    一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610098792.3
    本申请提供了一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件。该背接触太阳能电池包括：硅基体具有相对的背光面和受光面，背光面具有第一区和第二区；第一载流子收集层设于第一区；第二载流子收集层与第一载流子收集层的导电类型相反，设于第二区；钝化减反膜组设...
    2026-04-10
  • 空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法
    空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法_上海空间电源研究所_202511798915.6
    本发明涉及空间用薄膜砷化镓太阳电池减反射膜及其制备方法，在电池的聚酰亚胺膜衬底上沉积一层氧化钛薄膜，在氧化钛薄膜表面上沉积一层氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜表面上沉积一层氧化硅薄膜，形成三层减反射膜。本发明采用多层增透膜设计，可以提高太阳电池表面...
    2026-04-10
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