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最新专利技术
  • 半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法
    半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610267257.6
    本发明公开了一种半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法，属于半导体领域，在半导体衬底上依次沉积缓冲层和硬质掩模；通过刻蚀形成两种不同大小窗口的硬质掩模图案；沉积阶梯覆盖材料，仅将小窗口封闭；采用选择性刻蚀工艺去除水平方向的阶梯覆盖材料打开大窗口...
    2026-04-20
  • 一种基于双模冗余策略的激光修调方法、激光系统及电阻
    一种基于双模冗余策略的激光修调方法、激光系统及电阻_安庆师范大学_202512008136.8
    本发明公开了一种基于双模冗余策略的激光修调方法、激光系统及电阻，方法包括：将修调过程划分为纵向粗调和横向精调两种模式，并分别为这两种模式配置不同的冗余系数，平衡修调速度与安全性，将修调过程转化为一个受控、渐进式的安全收敛过程。本发明能够有效...
    2026-04-20
  • 一种双面超快激光内部改性与翘曲度闭环控制的晶圆剥离方法
    一种双面超快激光内部改性与翘曲度闭环控制的晶圆剥离方法_北京航空航天大学_202511898394.1
    本发明公开了一种双面超快激光内部改性与翘曲度闭环控制的晶圆剥离方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用两束超快激光，同步聚焦于一片晶圆内部的两个不同深度平面，扫描形成两层独立的内部致密改性层；(2)在改性过程中，利用一套双面位移...
    2026-04-20
  • 一种基于超临界流体辅助的高温高压氮化硅深掺杂方法
    一种基于超临界流体辅助的高温高压氮化硅深掺杂方法_上海稷以科技有限公司_202610007725.6
    本发明公开了一种基于超临界流体辅助的高温高压氮化硅深掺杂方法，所述方法包括：将硅片置于一反应腔室内；向所述反应腔室内通入高纯度氮气，并施加压力，使所述反应腔室内压强升高至一预设压强值以上，其中该预设压强值大于氮气的临界压强值；升高温度至超过...
    2026-04-20
  • 一种多元施主元素高纯硅扩散源膜及其制备方法
    一种多元施主元素高纯硅扩散源膜及其制备方法_江苏唐龙电子科技有限公司_202511929558.2
    本发明涉及半导体扩散施主源材料，提供一种高纯硅施主源长晶膜及其应用。通过PVA、PVP、PVB、PVF、PAA、HPMC、PEO、PMMA、PAN有机成膜基体与Al₂O₃、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Si₃N₄、AlN、h‑BN等无机物的...
    2026-04-20
  • 梯度掺杂方法
    梯度掺杂方法_重庆芯联微电子有限公司_202511897608.3
    本发明提供一种梯度掺杂方法，利用透光率沿预设方向梯度变化的光罩以及光刻、刻蚀流程，将光刻胶层的厚度梯度信息转移到离子注入阻挡层上，并以此为基础实现衬底的梯度掺杂，获得载流子非均匀分布的阱或沟道，反向改善场效应晶体管电场集中的问题，从而有效解...
    2026-04-20
  • 一种对多片晶圆进行离子注入加工的系统
    一种对多片晶圆进行离子注入加工的系统_青岛思锐智能科技股份有限公司_202512046659.1
    本发明公开了一种对多片晶圆进行离子注入加工的系统，包括晶圆库、传送系统和工艺系统，所述传送系统位于所述晶圆库和所述工艺系统之间，所述晶圆库包括多个晶圆架，所述传送系统用于每次从其中一个所述晶圆架上抓取多片晶圆，所述传送系统包括第一机械手、第...
    2026-04-20
  • 氢离子注入工艺、半导体器件的制备方法和半导体器件
    氢离子注入工艺、半导体器件的制备方法和半导体器件_比亚迪股份有限公司_202511836521.5
    本发明公开了一种氢离子注入工艺、半导体器件的制备方法和半导体器件，氢离子注入工艺包括：以至少一个氢离子注入工艺程式执行氢离子注入；每个氢离子注入工艺程式包括一个注入能量和N个不同的注入角度的组合，其中，N为大于1的整数。该工艺中每个氢离子注...
    2026-04-20
  • 介质层的制备方法和半导体器件
    介质层的制备方法和半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512014139.2
    本申请公开了一种介质层的制备方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：提供基底；通过第一反应气源，在所述基底的一面制备第一子介质层，所述第一反应气源包括氧气和含硅气体；通过第二反应气源，在所述第一子介质层背离所述基底的一面制备...
    2026-04-20
  • 一种PEALD原位氮化制备半导体存储器隧穿层的方法及器件
    一种PEALD原位氮化制备半导体存储器隧穿层的方法及器件_华中科技大学_202512002729.3
    本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种PEALD原位氮化制备半导体存储器隧穿层的方法及器件，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上，采用等离子体增强原子层沉积工艺沉积SiO2薄膜；在SiO2薄膜上原位进行等离子体氮化处理，形成氮氧...
    2026-04-20
  • 一种多孔介电常数材料的制备方法
    一种多孔介电常数材料的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511728990.5
    本发明公开了一种多孔介电常数材料的制备方法，所述方法包括，将有机硅前体以及双官能有机致孔剂混合后，通过PECVD技术沉积在衬底上，以形成SiOCH介电薄膜；使用微波处理去除致孔剂，所述微波处理包括预处理阶段、主处理阶段以及后固化阶段；所述预...
    2026-04-20
  • NiSi层的形成方法
    NiSi层的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511841272.9
    本发明提供一种NiSi层的形成方法，通过在Si衬底上依次形成Ti层及Ni层，退火使Ni层中的Ni穿过Ti层并与Si衬底反应形成NiSi层。Ti层作为扩散延缓层有效抑制了Ni在Si中的扩散速率，避免横向扩散导致的均匀性及短路问题。通过AP‑M...
    2026-04-20
  • 晶圆及其制作方法以及吸附固定方法
    晶圆及其制作方法以及吸附固定方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511670902.0
    本公开提供了一种晶圆及其制作方法以及吸附固定方法，属于半导体制造技术领域。所述晶圆包括绝缘衬底以及位于所述绝缘衬底背面上的导电层。本公开可以使得晶圆能够通过库仑力吸附固定在设备上，以提高芯片的加工效率。
    2026-04-20
  • 一种基于选择性外延生长的半导体器件及其制备方法
    一种基于选择性外延生长的半导体器件及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202512030686.X
    本发明公开了一种基于选择性外延生长的半导体器件及其制备方法，制备方法，包括：提供Si衬底层；在Si衬底层上生长掩膜层，并刻蚀中间目标区域的掩膜层；步骤3、利用等离子体对剩余的掩膜层进行界面改性处理，以在掩膜层的表面形成羟基化界面；步骤4、对...
    2026-04-20
  • 氧化镓半导体结构及其制备方法
    氧化镓半导体结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511932555.4
    本发明提供了一种氧化镓半导体结构及其制备方法，获取预处理后的衬底；在预处理后的衬底上预铺包含预设元素的原子层，得到第一结构体；其中，预设元素为：铝元素或镓元素或铟元素；在第一结构体上生长复合阻挡层，得到第二结构体；在第二结构体上生长氧化镓外...
    2026-04-20
  • 一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件及其制备方法
    一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件及其制备方法_华中科技大学_202512024390.7
    本发明公开了一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件，其特征在于，所述忆阻器自上而下依次为顶电极、活性金属层、功能层及底电极；所述功能层的材料为二维七原子层范德华材料；所述二维七原子层范德华材料的通式为MA2Z4，其中M选自Mo、W、V、N...
    2026-04-20
  • 阈值开关器件材料和存储器
    阈值开关器件材料和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202512032740.4
    本申请实施例公开了一种阈值开关器件材料和存储器，所述阈值开关器件材料包括硫族元素粒子、Sn元素粒子和掺杂元素粒子，所述硫族元素粒子包括S元素粒子，所述掺杂元素粒子包括Ga元素粒子；其中，所述硫族元素粒子和所述Sn元素粒子的原子个数之和与所述...
    2026-04-20
  • 选通材料和存储器
    选通材料和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511996292.3
    本申请实施例公开了一种选通材料和一种存储器。选通材料包括Ge元素、As元素、Se元素、Sb元素以及第一元素D，所述第一元素D的原子与所述Ge元素的原子或所述Se元素的原子之间具有第一化学键，所述As元素的原子与所述Ge元素的原子或所述Se元...
    2026-04-20
  • 薄膜堆叠结构的形成方法及薄膜堆叠结构
    薄膜堆叠结构的形成方法及薄膜堆叠结构_新存科技(武汉)有限责任公司_202511909969.5
    本申请公开了薄膜堆叠结构的形成方法及薄膜堆叠结构，该方法包括：形成第一材料层；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层的形成方法包括：采用第一沉积处理在所述第一材料层上形成初始种子层，所述第一沉积处理具有第一偏置电压，所述第一偏置电...
    2026-04-20
  • 一种零磁场的YBCO超导二极管及其制备方法
    一种零磁场的YBCO超导二极管及其制备方法_电子科技大学_202512043606.4
    本发明的目的在于提供一种零磁场的YBCO超导二极管及其的制备方法，属于超导二极管技术领域。该超导二极管通过对二极管的主体超导微米线进行部分辐照来调控微米线的表面涡旋势垒，通过这种方式实现正负临界电流的不对称，无需外加磁场便可实现整流；同时，...
    2026-04-20
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