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最新专利技术
  • 一种背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    一种背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_滁州捷泰新能源科技有限公司_202610049373.0
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件。所述制备方法包括在硅衬底背面形成包含P型和N型区的背接触结构；在形成至少一个区时，先通过O3氧化法在硅衬底上形成第一氧化层，再通过PECVD法在第一氧化...
    2026-04-25
  • 电池片成串方法及其成串设备
    电池片成串方法及其成串设备_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202610048637.0
    本发明提供一种电池片成串方法及其成串设备，其中电池串制备方法包括如下步骤：沿着电池片成串方向间隔布置预设数量的电池片；将电池片串接件置于各所述电池片的顶面上以将各所述电池片串接形成电池串，所述电池片串接件包括焊带以及与各焊带位置一一对应的胶...
    2026-04-25
  • 一种组合化学法实现光伏电池poly层减薄的工艺方法
    一种组合化学法实现光伏电池poly层减薄的工艺方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202512052918.1
    本发明公开了一种组合化学法实现光伏电池poly层减薄的工艺方法，包括如下步骤：将Poly后硅片的背面的金属电极区进行图形化掩膜；采用酸刻蚀混合液对硅片非掩膜区的PSG层进行酸刻蚀，去除非掩膜区的PSG层、poly层；对于硅片使用溢流水清洗；...
    2026-04-25
  • 一种能够有效去除掩膜材料的制备光伏电池的工艺方法
    一种能够有效去除掩膜材料的制备光伏电池的工艺方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202512052736.4
    本发明公开了一种能够有效去除掩膜材料的制备光伏电池的工艺方法，包括如下步骤：将Poly后硅片的背面的金属电极区进行图形化掩膜；采用酸刻蚀混合液对硅片非掩膜区的PSG层进行酸刻蚀，去除非掩膜区的PSG层、poly层，接着使用溢流水清洗；使用低...
    2026-04-25
  • 一种图形化掩膜实现光伏电池poly层减薄的工艺方法
    一种图形化掩膜实现光伏电池poly层减薄的工艺方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202512052442.1
    本发明公开了一种图形化掩膜实现光伏电池poly层减薄的工艺方法，包括如下步骤：1、将Poly后硅片的背面的金属电极区进行图形化掩膜；2、采用酸刻蚀混合液对所述硅片非掩膜区的PSG层和poly层进行酸刻蚀，实现非金属电极区poly层的减薄或去...
    2026-04-25
  • 背接触电池的膜层制备方法以及系统
    背接触电池的膜层制备方法以及系统_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202512050928.1
    本申请提供了一种背接触电池的膜层制备方法以及系统，涉及半导体或光伏材料加工领域，解决了传统的背接触电池的膜层制备方法会导致硅片热损伤的技术问题。方法包括：在第一区域、第二区域和间隔区域依次制备隧穿氧化层和磷重掺杂层；在磷重掺杂层远离硅片的一...
    2026-04-25
  • 一种基于VHF润化驱动的氧化钒刻蚀后处理方法
    一种基于VHF润化驱动的氧化钒刻蚀后处理方法_无锡中微晶园电子有限公司_202512049165.9
    本发明属于红外焦平面传感器制造技术领域，特别涉及一种基于VHF润化驱动的氧化钒刻蚀后处理方法。包括：对完成氧化钒刻蚀的晶圆实施分级抽真空与程序升温预处理，向处理腔体内持续通入由无水氟化氢、乙醇蒸汽及惰性载气组成的VHF润化混合气体；通过精准...
    2026-04-25
  • 一种无主栅电池串制备装置
    一种无主栅电池串制备装置_苏州宏瑞达新能源装备有限公司_202512035359.3
    本发明涉及一种无主栅电池串制备装置，包括：上料机构，其包括切串组件以及连接于切串组件输出端输送归正组件；第一点胶机构，其包括：用于沿第一方向输送电池串的第一输送线，以及依次设置于第一输送线的第一点胶组件与第一检测组件，所述第一点胶组件设置于...
    2026-04-25
  • 微纳米气泡辅助碱制绒的方法与系统
    微纳米气泡辅助碱制绒的方法与系统_常州捷佳创精密机械有限公司_202512035165.3
    本发明属于太阳能制造技术领域，具体涉及一种微纳米气泡辅助碱制绒的方法与系统，包括如下步骤：S1，取原硅片进行预清洗和水洗处理，配置碱制绒药液并加热至65～90℃；S2，启动微纳米气泡发生器，将气源与碱制绒药液在所述微纳米气泡发生器内混合，制...
    2026-04-25
  • 太阳能电池板自动旋转削边装置及其削边方法
    太阳能电池板自动旋转削边装置及其削边方法_宁波日林电子有限公司_202511993660.9
    本发明公开了太阳能电池板自动旋转削边装置及其削边方法，涉及太阳能电池板加工领域，包括台体，台体上方按照太阳能电池板的移动加工方向依次设有四个工位，台体的上方中心位置安装有能够升降和旋转的旋转台，旋转台的外侧安装有对应四个工位的支架，每个支架...
    2026-04-25
  • 钝化设备
    钝化设备_浙江晶盛光子科技有限公司_202511937137.4
    本发明涉及一种钝化设备，包括壳体，所述壳体形成有反应腔，并形成有与所述反应腔连通的开口；和电离组件，可通过所述开口进出所述反应腔，所述电离组件包括：载板，用于放置至少一排第一小舟；绝缘件，设置在载板上，和电极板，设置在绝缘件上，用于放置至少...
    2026-04-25
  • 一种激光光伏电池及其制作方法
    一种激光光伏电池及其制作方法_江苏仲磊芯半导体有限公司_202511909540.6
    本发明公开了一种激光光伏电池及其制作方法，涉及光伏电池的技术领域。一种激光光伏电池，包括衬底，所述衬底上表面设有808nm激光电池和第三电极，所述衬底下表面设有1064nm激光电池和第四电极；所述808nm激光电池表面设有第一电极和栅线；所...
    2026-04-25
  • 一种激光光伏电池及其制作方法
    一种激光光伏电池及其制作方法_江苏仲磊芯半导体有限公司_202511909534.0
    本发明公开了一种激光光伏电池及其制作方法，涉及光伏电池的技术领域。一种激光光伏电池，包括支撑衬底，所述支撑衬底的上表面依次设置第一缓冲层、1064nm激光电池、组分阶变缓冲层、电极接触层、808nm激光电池、电流扩展层、欧姆接触层，所述欧姆...
    2026-04-25
  • 一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺
    一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺_中电科蓝天科技股份有限公司_202511855092.6
    本发明公开了一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺，制备工艺中：(1)电池减反射膜为采用蒸镀工艺制备的3层结构，由电池表面开始，分别为35.5 nm的TiOx膜、44 nm 的HfO2膜和52 nm Al2O3膜；(2)在电池上...
    2026-04-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411433334.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层被分隔为第一区域和第二区域，所述第一区域的顶硅层中形成有第一器件，所述第二区域的顶硅层中形成有第一开口；介质层，覆盖所述SOI衬底并填满所...
    2026-04-25
  • 一种太阳能电池背插板全自动安装装置
    一种太阳能电池背插板全自动安装装置_苏州欧索机械设备有限公司_202311771881.2
    本发明公开了一种太阳能电池背插板全自动安装装置，涉及太阳能电池板技术领域，包括机架；上料机构，设于所述机架上料端；夹取插装机构，夹取工件并将通电工装插接于电池背插上；检测机构，设于机架上，用于检测转运过程中的工装是否正位；其中，所述夹取插装...
    2026-04-25
  • 太阳能电池串传输装置及传输方法
    太阳能电池串传输装置及传输方法_卓汇新能源(苏州)有限公司_202310938338.0
    本发明公开了一种太阳能电池串传输装置及传输方法。传输装置包括载具、传输轨道及驱动机构，其中，载具可用于承载电池串，传输轨道沿第一方向延伸，载具能够沿第一方向相对运动地与传输轨道连接；驱动机构包括驱动模块，驱动模块包括驱动件，驱动模块能够沿第...
    2026-04-25
  • 光共享晶体模块、检测器及其高度解码方法、发射成像设备
    光共享晶体模块、检测器及其高度解码方法、发射成像设备_湾影科技(深圳)有限公司_202610320379.7
    本发明公开了一种光共享晶体模块、检测器及其高度解码方法、发射成像设备。光共享晶体模块包括：闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列的大小为2N×2N；其中，N为自然数；在所述闪烁晶体阵列中，除了第1行第1列、第1行第2N列、第2N行第1列、第2N行第...
    2026-04-25
  • 一种优化深沟槽刻蚀深度均一性的方法
    一种优化深沟槽刻蚀深度均一性的方法_格科微电子(上海)有限公司_202411421773.7
    本发明公开了一种优化深沟槽刻蚀深度均一性的方法，具体通过在设置有感光区的衬底表面的深沟槽的交叉区域预形成一具有曲面结构的层，然后对具有曲面结构层的交叉区域和非交叉区域同时刻蚀，进而抵消交叉区域和非交叉区域因开口尺寸不同导致的沟槽深度上的差异...
    2026-04-25
  • 一种前照式图像传感器结构及其形成方法
    一种前照式图像传感器结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411405440.5
    本申请提供一种前照式图像传感器结构及其形成方法，所述前照式图像传感器结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的第一面和第二面；所述半导体衬底的第一面形成有若干晶体管结构以及电连接所述若干晶体管结构的第一金属互连结构；所述半导体衬底的第二...
    2026-04-25
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