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一种带钢机组镀锌钝化液快速膜化装置及方法
本发明公开一种带钢机组镀锌钝化液快速膜化装置及方法,属于镀锌钝化液干燥技术领域,包括控制器和竖直固定在支架上的加热烘干箱,加热烘干箱的一端面上设有吸风管道,加热烘干箱的两侧面上均从下到上依次设置有第一加热窗口、带钢断面扫描仪和第二加热窗口,...
一种用于合金钢板钝化耐指纹复合涂层制备方法及装置
本发明涉及钢板镀层复合涂层技术领域,具体公开了一种用于合金钢板钝化耐指纹复合涂层制备方法,包括以下步骤:S1、提供合金钢板基材,对其进行光整和拉矫处理;S2、对经步骤S1处理后的合金钢板涂覆钝化膜,并进行烘干和冷却;S3、对经步骤S2处理后...
铝锂合金表面化学钝化工艺及所得钝化铝锂合金
本发明属于材料的表面修饰技术领域,具体而言,涉及一种铝锂合金表面化学钝化工艺及所得钝化铝锂合金。所述的工艺包括采用多次包覆法和高温热处理法对铝锂合金表面进行钝化的步骤;所述包覆法采用的包覆剂包括石墨、石墨烯或氧化石墨烯;所述包覆剂的加入量为...
一种用于增加钛/钛合金牙种植体表面亲水性的磺化处理方法
本发明公开了一种用于增加钛/钛合金牙种植体表面亲水性的磺化处理方法,包括以下步骤:S1、对钛/钛合金牙种植体进行喷砂处理,得到预处理后的钛/钛合金牙种植体;S2、将S1所得预处理后的钛/钛合金牙种植体浸泡在酸蚀剂中,在加热条件下或水热反应条...
一种转子表面处理设备
本发明提供一种转子表面处理设备,涉及转子表面处理技术领域,该转子表面处理设备包括牵引机构、处理箱、投料口、框架、凹槽一、凹槽二、支撑部、引导件、引导板、活动块,相邻的两个活动块中相对的一侧分别开设有卡槽,卡槽的内部设置有U型的底框,相邻的两...
一种金属制品磷化浸没设备
本发明涉及磷化设备技术领域,具体为一种金属制品磷化浸没设备,包括:磷化箱、驱动电机和放置筒,所述磷化箱上端设有气缸、连接板和转动柱,所述磷化箱内部设有蜗轮、转动杆、蜗杆、转动盘、搅拌板、连接杆以及支撑架和安装座;有益效果为:本发明通过气缸和...
一种IPMC电致动材料及其制备方法与在制备具有导向作用的可视机械夹中的应用
本发明公开了一种IPMC电致动材料及其制备方法与在制备具有导向作用的可视机械夹中的应用,属于智能材料应用领域。该材料的制备方法包括采用化学镀的方法在Nafion基体表面沉积金属电极层。本发明还提出基于IPMC电致动的具有导向作用的可视机械夹...
一种化学沉积法制备钢基超疏水表面的改性处理液及其制备、应用方法
本发明属于钢表面改性技术领域,尤其涉及一种化学沉积法制备钢基超疏水表面的改性处理液及其制备、应用方法,所述改性处理液由沉积剂、修饰剂和溶剂组成;沉积剂在处理液中的摩尔浓度为0.01~0.1mol/L;修饰剂在处理液中的摩尔浓度为0.01~0...
一种适用于发动机机匣连接螺栓的修复方法
本发明提供了一种适用于发动机机匣连接螺栓的修复方法。所述方法包括以下步骤:S1、对连接螺栓进行化学剥离和精处理,去除连接螺栓表面的旧镀层和对表面进行均匀粗化;S2、采用硝酸‑磷酸二元酸体系在常温下对步骤S1处理后的连接螺栓进行浸泡处理,去除...
一种铝箔柔性线路板表面化学镀镍装置及其工艺
本发明公开了一种铝箔柔性线路板表面化学镀镍装置及其工艺,属于线路板化学镀镍装置及其工艺技术领域,包括镀镍池、龙门架;及线路板限位机构,所述线路板限位机构设有两个,两个所述线路板限位机构对称设置在龙门架的两侧壁上,两个线路板限位机构用于对线路...
镁合金表面二维纳米材料复合SLIPS自修复防护涂层及其制备方法和应用
本发明公开了一种镁合金表面二维纳米材料复合SLIPS自修复防护涂层的制备方法,包括如下步骤:1)在镁合金表面原位生长LDH涂层;2)对表面生长有LDH涂层的镁合金进行低表面能改性处理;3)将含有负载缓蚀剂的六方氮化硼纳米颗粒的润滑液滴加到表...
一种自动连续换片与多重安全联锁控制CVD装置及控制方法
本发明公开了一种自动连续换片与多重安全联锁控制CVD装置及控制方法,涉及化学气相沉积领域,包括气源、多路气体流量传感器MFC、石英管、加热炉阵列、置样腔室、送样杆模块、换片模块、挡板模块和上位机控制系统,气源提供气体供应,MFC控制和读取气...
MOCVD真空腔室压力动态平衡控制方法及系统
本发明属于半导体气相沉积技术领域,具体涉及一种MOCVD真空腔室压力动态平衡控制方法及系统,其方法包括:采集并预处理多维状态数据;基于实时数据计算等效流导,并结合参考基准构建流导衰减指数以表征管路堵塞程度;构建增益调度的扩张状态观测器,利用...
基于预臭氧工艺的ALD沉积设备
本发明公开了一种基于预臭氧工艺的ALD沉积设备,包括ALD机台主体和等离子体沉积炉,所述等离子体沉积炉包括等离子体沉积炉气体连接口,所述ALD机台主体的一侧端面连接有臭氧输送机构和供给装置,所述臭氧输送机构包括臭氧发生器、烃类过滤器和臭氧输...
反应腔室及半导体沉积设备
本公开提供了一种反应腔室及半导体沉积设备,属于半导体制备技术领域。该反应腔室,包括:腔体和腔盖;腔体具有开口;腔盖与腔体活动相连,以封盖腔体的开口,腔盖朝向腔体的一面具有输气管道和输气盘,输气管道的一端与输气盘相连,输气管道的另一端与腔盖相...
形成金属-铌氧化物膜的方法和系统
一种使用沉积方法在衬底上沉积金属‑铌氧化物膜的过程可以包括多个完整沉积循环。每个完整沉积循环可以包括执行金属‑氧化剂子循环,然后执行铌子循环。金属‑氧化剂子循环可以包括使衬底与金属前体和第一氧前体接触。铌子循环可以包括使衬底与至少铌前体接触...
一种原子层沉积腔室
本发明公开一种原子层沉积腔室,涉及原子层沉积技术领域,包括:下腔室槽;上腔室盖,封盖于下腔室槽上;样品台,设置于下腔室槽中,样品台用于放置衬底;加热装置,设置于上腔室盖,且加热装置位于样品台的上方以对衬底加热。本发明提供的原子层沉积腔室中,...
半导体处理装置
公开了一种半导体处理装置。半导体处理装置包括:处理室,其配置成接收多个衬底;与处理室流体连通的至少一个蓄积器容器,其配置成储存气体形式的前体;以及至少两个固态前体储存容器,每个配置成接收气体形式的前体,以使所述接收的气体形式前体在相应的固态...
半导体处理装置
公开了一种半导体处理装置。半导体处理装置包括:处理室,其配置成接收多个衬底;与处理室流体连通的蓄积器容器,其配置成储存气体形式的前体;以及至少两个固态前体储存容器,每个配置成接收气体形式的前体,以使所述接收的气体形式前体在相应的固态前体储存...
一种制备硅碳负极材料的装置系统及方法
本发明涉及一种制备硅碳负极材料的装置系统及方法,所述装置系统包括沿物料流向依次连接的流化床反应器、中间料仓、回转窑以及出料料仓;所述流化床反应器的顶部分别连接有进料料仓与尾气处理装置,底部分别连接有原料气预混装置与所述中间料仓;所述进料料仓...
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