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  • 本申请公开了一种立体MIM电容极板形成方法,包括:提供一半导体器件,所述半导体器件的第一介质层中形成有金属连线,所述第一介质层上依次形成有介质阻挡层和第二介质层;在所述第二介质层中形成通孔,使所述通孔底部的金属连线暴露;生长第一WN薄膜层,...
  • 本发明的实施例提供了了半导体器件和半导体结构。根据本发明的半导体器件包括:第一晶体管和第二晶体管,共享第一源极/漏极部件;第三晶体管和第四晶体管,共享第二源极/漏极部件;第一源极/漏极接触件,设置在第一源极/漏极部件上方;第二源极/漏极接触...
  • 本发明涉及无线通信技术领域,具体为一种用于低空领域的网络通信方法及系统,包括以下步骤:S1:通过建立线性回归模型分析历史通信数据,预测未来通信需求,通过预测结果建立动态场景模型;S2:建立移动基站和智能天线,通过深度学习算法实时优化基站参数...
  • 本申请实施例提供一种变电站GOOSE链路故障分析方法、装置、设备、介质及产品,应用于电力系统自动化技术领域。获取GOOSE链路的断链报文,以及断链报文对应的光纤接口的指示灯亮灭信息和收发功率;基于预设故障分析规则,针对断链报文、指示灯亮灭信...
  • 本发明提供一种工业互联网多层异构算力资源的调度与分配方法及装置,涉及移动通信技术领域。该方法包括:构建工业系统模型;多个异构移动设备产生异构任务集合;构建本地计算模型及远程计算模型,得到系统的总能耗及时延;基于元学习方法,移动设备根据总能耗...
  • 本发明涉及一种计算机网络安全检测系统及方法。本发明包括数据采集模块、威胁识别模块和攻击路径分析模块,数据采集模块用于从目标网络中实时收集网络流量、日志文件及用户行为数据,并对数据进行初步过滤和预处理;威胁识别模块基于数据采集模块提供的数据内...
  • 本发明提供了一种基于神经网络模型的水下通信方法,所述神经网络模型至少包括水印嵌入层模块和水印提取层模块,所述方法包括:获取第一载波信号,通过所述水印嵌入层模块将水印信息嵌入所述第一载波信号得到第二载波信号;在水下环境中通过发射端发射所述第二...
  • 本发明公开了通信技术领域的一种新型水下潜航器通信系统和方法,该新型水下潜航器通信系统包括水面母舰、水下潜航器、中继R模块,所述水面母舰通过脐带电缆将信息传输到水下中继R模块,所述水下中继R模块包括用于将电信号转化为光信号的电光转换单元,水下...
  • 本发明公开了一种基于DSP芯片的简化架构的电驱逆变器,包括基础功能控制模块和功能校核模块,所述基础功能控制模块包括供电电源芯片SBC、芯片DSP1、电平转换电路,所述功能校核模块包括供电电源芯片LDO1、供电电源芯片LDO2和芯片DSP2。...
  • 本申请涉及一种城市负荷中心电网的煤电灵活性改造方案输出方法和装置。所述方法包括:根据不同层级的区域对于煤电机组的改造需求,从电力系统中确定出待改造煤电机组;根据待改造煤电机组的机组类型,确定待改造煤电机组的技术改造方向;确定符合技术改造方向...
  • 本发明公开了基于智能电价的家庭能量管理方法及系统,属于数据分析技术领域,要解决的技术问题为:如何分析电价波动及用电规律、实现最优的充放电策略。包括:实时获取电价数据,电价数据包括分时电价和实时电价;通过历史用电数据分析家庭的用电规律,通过用...
  • 本发明涉及一种中压供电系统电压保持方法及系统,属于线路保护检测技术领域。本发明的方案包括:供电系统发生故障时使用电压互感器、电流互感器对应的检测供电系统中的电压突变量、电流突变量并计算电压幅值和电流幅值;若任一相的电流突变量大于电流设定值,...
  • 本发明公开了一种动态漏电抑制的ESD/EOS保护电路,连接在电压源与电子设备之间,ESD/EOS保护电路包括参考电路、高压泄放电路和漏电消除电路;参考电路用于在外界电压源电压高于钳位电压时开启高压泄放电路,将电压钳位在设定的电压上;高压泄放...
  • 本申请涉及电器元件生产设备的技术领域,具体涉及一种单排连接器的生产设备,包括支撑平台、两个设置在支撑平台上且之间留有间隔的导柱、安装在导柱下端的放置机构、设置在导柱上端的接线柱输出机构以及设置在放置机构与接线柱输出机构之间的切断机构,放置机...
  • 本发明涉及气体扩散层的技术领域,公开了一种结晶性多孔材料掺杂的气体扩散层的制备方法及应用,包括如下步骤:S1、按质量份数计,将6~9份碳黑、结晶性多孔材料、0.1~0.2份增稠剂、2~4份疏水剂和5~8份分散剂加入75~85份溶剂中,其中碳...
  • 本发明提供一种监控台阶覆盖率的方法,提供设计版图,设计版图在工艺制造中会形成台阶结构,台阶结构上需沉积目标膜层;调节待测试版图在测试晶圆上形成测试结构,测试结构与台阶结构具有相同的形貌;在测试晶圆上的测试结构上沉积目标膜层;形成引出测试结构...
  • 本申请公开了一种套刻误差的补偿方法,包括:计算得到CMP工艺后的研磨差值,该研磨差值是通过CMP工艺对晶圆进行研磨后的实际研磨量和目标研磨量之间的差值;根据研磨差值计算得到套刻偏差值,套刻偏差值是CMP工艺对晶圆的套刻偏差的影响数值;根据套...
  • 本发明公开一种共封前测试用的插座,用于对具有若干待测芯片和非待测芯片的共封芯片进行共封前测试,包括:多个边框导向面和若干设置在非待测芯片上的温控板导向面,边框导向面和温控板导向面首尾衔接地紧密环绕待测芯片或待测芯片的安装位设置,以引导待测芯...
  • 本申请公开了一种缓冲层的刻蚀方法,包括:在缓冲层多层膜上形成顶部氧化物层,该缓冲层多层膜从下而上包括顶部氮化物层和位于所述顶部氮化物层下方的至少一层介质层,该缓冲层多层膜形成于金属互连结构上,金属互连结构的顶层层间介质层中形成有顶部金属层,...
  • 本发明属于油浸式变压器技术领域,且公开了一种具有防爆保护结构的油浸式变压器,包括变压器主体和保护座,变压器主体安装在保护座的内部,保护座的内壁设置有散热组件,保护座的内壁开设有进风口、通风腔、第一出风口和第二出风口,进风口、第一出风口和第二...
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