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  • 本申请公开了一种摄像模组及电子设备,属于光学技术领域。摄像模组包括透镜组、反射镜以及感光元件,所述透镜组位于所述反射镜的入光侧,所述感光元件位于所述反射镜的出光侧,所述透镜组与所述反射镜沿所述透镜组的光轴方向依次设置,所述反射镜设有入射面、...
  • 本发明涉及语音翻译技术领域,具体地说,涉及具备语音翻译功能的跨语言助听器。其包括:多语种语音采集单元定向采集环境语音,并转换为数字信号,支持多语言输入;噪声下智能处理单元基于卷积神经网络模型抑制背景噪声、消除回声,增强环境语音的清晰度,并在...
  • 本发明涉及自适应信号处理技术领域,具体地说,涉及基于人工智能的自适应增益和降噪的助听器。其包括以下步骤:通过双麦克风阵列接收声学信号,通过时延差分离目标语音与环境噪声,建立空间声场模型;将音频信号转换为时频域,提取MFCC特征;构建CNN‑...
  • 本申请公开了一种移动通信网络注册方法、装置及电子设备,属于电子设备技术领域,应用于第一电子设备,所述第一电子设备处于飞机的机舱内,该方法包括:在检测到所述飞机处于下降阶段且所述第一电子设备未注册到移动通信网络的情况下,扫描所述机舱内的至少一...
  • 本发明公开了一种无人机辅助的应急通信网络性能优化方法及系统。方法涵盖基于环境感知的通信链路优化,通过多传感器收集信息,运用机器学习算法建立环境模型,据此动态调整飞行姿态与通信频率;分布式资源分配利用分布式算法与博弈论,以效用函数U...
  • 本发明属于无线通信技术领域,涉及面向通感算融合的超密集异构网络任务卸载和资源管理方法,包括:构建系统模型;根据系统模型构建服务缓存模型、资源划分模型、通信模型、感知模型以及任务卸载模型;根据服务缓存模型、资源划分模型、通信模型、感知模型以及...
  • 本申请涉及深远海通讯技术领域,特别涉及一种深远海风电场施工场通讯保障系统及其通信方法,通过岸基集控中心的微波站点与风电升压站、海上风电施工区的非视距微波设备,构建了大带宽微波链路,扩展通信范围并增强稳定性和抗干扰力;同时,设置海上宽带卫星小...
  • 本发明涉及煤场物料搬运设备技术领域,特别是一种基于超宽带测距的斗轮机定位数据传输方法及系统。该方法包括:使用超宽带测距基站与安装于斗轮机尾车上的定位标签进行测距获取位置数据;通过安装于尾车上的加速度计监测斗轮机运动状态,并结合位置数据进行数...
  • 本发明实施例提供了一种BWP切换方法、装置、设备及介质,属于通信技术领域。该方法包括:根据每个BWP的一种或多种运行性能数据,确定每个BWP的优先切换参数,优先切换参数表征BWP的性能高低;在当前的BWP的优先切换参数表征的性能低于目标BW...
  • 本发明提供一种双卡终端通信方法,所述双卡终端包括第一手机卡及第二手机卡;所述方法包括:当所述第二手机卡切换至通话状态时,判断所述第一手机卡的当前MIMO天线等级是否为最大等级;若不是,判断所述当前MIMO天线配置是否满足预设条件;若满足,将...
  • 本发明属于静电消除设备技术领域,且公开了一种PA66切片生产制备用静电消除设备,包括处理筒,所述处理筒的两端均开设有出料口,所述处理筒的内部转动设有往复横移机构,所述处理筒中滑动设有推动组件。本发明通过使得推动组件反向移动时配合搅动组件对一...
  • 本发明公开了一种直接贴合式金属基板线路板生产工艺,其包括以下步骤:a)对金属基板进行表面清洁整形处理;b)在设定温度条件下将预加工成形的线路粘贴至金属基板表面,以使得线路与金属基板粘接;或者在设定温度条件下将线路原材料粘贴至金属基板表面,以...
  • 本发明公开了一种避免错位的PCB裁切叠合机,涉及PCB裁切叠合机技术领域,包括支撑底座,所述支撑底座顶部设置有用于排空铜箔底部气体的叠合组件,所述支撑底座顶部设置有用于吸附转移铜箔和清洁铜箔的转移组件,所述支撑底座顶部设置有用于输送铜箔和压...
  • 本发明涉及信息工程通信技术领域,具体涉及一种信息工程用的电子通信装置,包括通讯箱和控制器,通讯箱底部固定连接有底座;通讯箱内底壁上固定连接有设备托架和第一驱动件,控制器用于控制第一驱动件的输出轴旋转;通讯箱内侧壁上固定连接有U型架,U型架内...
  • 本发明公开了一种具有导电梯度结构的MXene/石墨相氮化碳/芳纶纳米纤维电磁屏蔽薄膜及其制备方法,属于电磁屏蔽材料领域。该电磁屏蔽材料,包括以下原料:MXene,石墨相氮化碳(g‑C3N4),以及...
  • 本发明公开了一种无线通讯箱,涉及无线通讯技术领域。本发明包括底板,所述底板的顶面放置有无线通讯设备,所述无线通讯设备的外部设置有屏蔽机构,所述底板的表面安装有用于对屏蔽机构限位的第一对接机构,所述屏蔽机构的顶部嵌设有波导窗,所述屏蔽机构的顶...
  • 本发明公开了一种氮化镓晶体管及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。该氮化镓晶体管包括:衬底、位于衬底一侧的第一n+GaN层、n‑GaN层、p型GaN层和第二n+GaN层;氮化镓晶体管还包括栅极沟槽、源极沟槽、漏极沟槽、第一氧化结构、栅极、源...
  • 本申请实施例提供的一种功率MOSFET版图及MOSFET,在所述第一沟槽区和第二沟槽区之间未设置接触孔区。这样可以提升屏蔽栅极功率MOSFET击穿电压,且本申请实施例提供的MOSFET终端区的沟槽底部的场强/碰撞电离率降低。
  • 本发明提供一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法,包括:电芯片层;在电芯片层沿第一方向的一侧上依次叠置第二再布线层、硅通孔转接层、第一再布线层与光芯片层;其中,电芯片层与第二再布线层之间通过第二凸点相键合,第一再布线层与光芯片层之...
  • 本发明公开了一种磷化铟光电芯片封装装置,涉及芯片封装技术领域,结构包括位移单元、封装单元和平台构件,位移单元负责驱动封装单元在三维空间内移动,实现芯片在不同工位间的精确转移和定位,其驱动元件可以是电机、气缸或液压缸等,封装单元包含一个至少有...
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