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最新专利技术
  • 基于机器学习的长期服役金属晶粒尺寸识别方法及系统
    基于机器学习的长期服役金属晶粒尺寸识别方法及系统_上海工程技术大学_202510482658.9
    本发明提供了一种基于机器学习的长期服役金属晶粒尺寸识别方法，包括以下步骤：激发试件表面产生超声波；获取激发试件所产生的超声波信息，并将超声波信息输入至样本数据库中进行特征对比；依据预测模型，预测晶粒尺寸，并与被测试件的晶粒尺寸对，计算出误差...
    2026-01-02
  • 基于微调多模态大模型的胃镜诊疗报告生成方法及系统
    基于微调多模态大模型的胃镜诊疗报告生成方法及系统_山东师范大学_202510484534.4
    本发明提出了基于微调多模态大模型的胃镜诊疗报告生成方法及系统，属于医学图像处理技术与自然处理技术领域，包括：获取第一阶段数据集的胃肠道的图像文本对数据作为第一阶段微调数据集；采用所述第一阶段微调数据集对多模态大模型进行第一阶段微调得到第一阶...
    2026-01-02
  • 基于视觉引导的呼吸门控训练系统、方法、设备及介质
    基于视觉引导的呼吸门控训练系统、方法、设备及介质_山东新华医疗器械股份有限公司_202510484815.X
    本申请公开了基于视觉引导的呼吸门控训练系统、方法、设备及介质，涉及放疗设备技术领域，包括：第一相机采集单元，用于采集当前患者的人脸信息，以对当前患者进行身份验证；第二相机采集单元，用于当通过身份验证后，采集当前患者的呼吸时体表特征信息变化；...
    2026-01-02
  • 一种基于虚拟现实的正念生物反馈系统
    一种基于虚拟现实的正念生物反馈系统_西安电子科技大学_202510485737.5
    本发明公开了一种基于虚拟现实的正念生物反馈系统，包括：用户测评模块，用于通过心理状态评估问卷获取用户的心理状态信息；虚拟现实设备，用于为用户提供用于正念训练的虚拟现实场景；虚拟现实场景中显示指导信息；生理信号检测装置，用于在用户利用虚拟现实...
    2026-01-02
  • 基于网络药理学及分子对接技术探讨木槿花-黄芪配伍防治糖尿病心肌病的机制及应用
    基于网络药理学及分子对接技术探讨木槿花-黄芪配伍防治糖尿病心肌病的机制及应用_青岛大学_202510479510.X
    本发明基于网络药理学及分子对接技术探讨木槿花‑黄芪配伍防治糖尿病心肌病的机制及应用，属于生物医药领域。首先，利用HERB和TCMSP数据库分别收集木槿花和黄芪成分，并利用SwissADME平台筛选出活性成分及SwissTar getPred...
    2026-01-02
  • 一种电力电缆线芯绞线分线设备及分线方法
    一种电力电缆线芯绞线分线设备及分线方法_安徽和光电气设备有限公司_202510479705.4
    本发明公开了一种电力电缆线芯绞线分线设备及分线方法，属于交联聚乙烯电力电缆加工技术领域。一种电力电缆线芯绞线分线设备及分线方法，包括上端一侧具有绕线架的底座，所述底座上端的另一侧设置有第二固定架，所述第二固定架的内部设置有固定环。本发明解决...
    2026-01-02
  • 一种复合电缆线芯生产设备
    一种复合电缆线芯生产设备_江苏南瑞淮胜电缆有限公司_202510484904.4
    本发明公开了一种复合电缆线芯生产设备，本发明涉及电缆生产技术领域，其结构包括挤出管，挤出管的一侧固定安装有套筒，套筒的输出口设置有防护机构，套筒的内部一侧设置有吹气机构，套筒的表面螺纹连接有安装环，安装环的内部设置有支撑机构，防护机构包括弧...
    2026-01-02
  • 一种连接不同电网适应能流多工作模态的三绕组变压器及工作方法
    一种连接不同电网适应能流多工作模态的三绕组变压器及工作方法_上海置信电气有限公司_202510487568.9
    本发明公开了一种连接不同电网适应能流多工作模态的三绕组变压器，包括铁芯、一次绕组和分裂绕组，分裂绕组包括围绕铁芯辐向分布的第一分裂绕组和第二分裂绕组，第一分裂绕组和第二分裂绕组的轴向分为三段后交叉串联分布，分裂绕组的轴向结构对称，即第一分裂...
    2026-01-02
  • 一种集成可调漏感的矩阵变压器及谐振变换器
    一种集成可调漏感的矩阵变压器及谐振变换器_北京理工大学_202510484797.5
    本申请公开了一种集成可调漏感的矩阵变压器及谐振变换器，涉及电力电子技术领域，该矩阵变压器包括：上、中、下层盖板、多个磁柱、原边绕组和副边绕组；磁柱设置在上、下层盖板之间，各磁柱均开设有气隙；中层盖板设置在上、下层盖板间且穿过各气隙；原边绕组...
    2026-01-02
  • 一种蝶形绕线设备及绕线方法
    一种蝶形绕线设备及绕线方法_四川省渝源电器有限公司_202510485780.1
    本申请公开了一种蝶形绕线设备及绕线方法，涉及磁环线圈绕制的技术领域，其包括机架、转动设置在机架上的转盘、以及滑动设置在机架上的送线架，所述机架上设置有用于驱使转盘转动的驱动电机、以及用于驱使送线架滑动的直线电机，所述转盘上设置有用于夹持磁芯...
    2026-01-02
  • 一种变距机构
    一种变距机构_苏州英泰时腾智能科技有限公司_202510483228.9
    本发明公开了一种变距机构，涉及键盘生产技术领域，包括底板，所述底板的板面固定有第一固定板和第二固定板；所述第一固定板和第二固定板之间固定有多对定位杆；各对所述定位杆的外侧共同滑动套设有一个第一移动板；所述底板上设置有使第一移动板进行移动的移...
    2026-01-02
  • 一种具有高低压绝缘结构的继电器
    一种具有高低压绝缘结构的继电器_昆山国力源通新能源科技有限公司_202510484289.7
    本发明提供一种具有高低压绝缘结构的继电器，涉及继电器技术领域，包括；高压系统，包括上衔铁和绝缘架，上衔铁和绝缘架之间固定设置；低压系统，包括磁极板；固定脚，分别与绝缘架和磁极板固定连接，固定脚采用金属材质。本发明提供的一种具有高低压绝缘结构...
    2026-01-02
  • 浸渍阴极的制备方法和浸渍阴极
    浸渍阴极的制备方法和浸渍阴极_四川华束科技有限公司_202510481506.7
    本发明公开了一种浸渍阴极的制备方法和浸渍阴极，制备方法包括：获取带有多孔钨海绵体的热子组件；混合设定质量比的还原性粉末与活性物质以形成混合粉末，其中，活性物质可被多孔钨海绵体和还原性粉末分别还原；倒置热子组件以使多孔钨海绵体置于钼舟中并固定...
    2026-01-02
  • 一种降低半导体晶片表面缺陷的制备方法
    一种降低半导体晶片表面缺陷的制备方法_徐州威聚电子材料有限公司_202510482116.1
    本发明涉及半导体晶片表面缺陷修饰制备领域，具体涉及一种降低半导体晶片表面缺陷的制备方法。本发明利用自组装单分子层的高稳定性超疏水涂层，在半导体晶片表面应用中，具有显著的清洁性、抗湿性、耐腐蚀性、低摩擦性和长期稳定性，能有效提升半导体器件的性...
    2026-01-02
  • 一种晶圆切片蚀刻设备及方法
    一种晶圆切片蚀刻设备及方法_安徽万维克林精密装备有限公司_202510482782.5
    本发明公开一种晶圆切片蚀刻设备及方法，涉及晶圆蚀刻技术领域；而本发明包括蚀刻机台和机座，机座固定设置在蚀刻机台的下表面，蚀刻机台的上表面设有设备罩，蚀刻机台的上表面固定设置有电动滑轨；本发明中，通过驱动设备罩移动至清洗槽的上方，由升降清洗机...
    2026-01-02
  • 真空吸附装置、半导体设备及吸附方法
    真空吸附装置、半导体设备及吸附方法_宸微设备科技(苏州)有限公司_202510481708.1
    一种真空吸附装置、半导体设备及吸附方法，真空吸附装置的每个吸附单元的吸附管路上设置负压储能器，并在该负压储能器与基座之间配置第一阀门，使得在吸附操作前，可以先关闭第一阀门，利用负压发生装置通过主干管路将负压储能器预先抽至较低压力状态。当需要...
    2026-01-02
  • 键合晶圆的形成方法
    键合晶圆的形成方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202510486755.5
    本发明提供一种键合晶圆的形成方法，先于器件晶圆的一表面形成第一氧化层；然后于支撑晶圆的正面形成缺陷富集层；接着，于缺陷富集层表面形成第二氧化层，第二氧化层的厚度大于第一氧化层的厚度，且第二氧化层的厚度与第一氧化层的厚度之和满足预设厚度；将第...
    2026-01-02
  • SOI晶圆的制备方法
    SOI晶圆的制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202510486761.0
    本发明提供一种SOI晶圆的制备方法，通过炉管设备对键合晶圆依次执行预退火工艺和退火工艺，以使键合晶圆中的部分厚度的器件衬底沿离子注入层剥离，预退火工艺的温度为250℃～300℃，退火工艺的温度为400℃～500℃。如此，在器件衬底的剥离过程...
    2026-01-02
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510487643.1
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该半导体器件的制备方法包括：提供预设基底；其中，预设基底包括衬底，衬底上形成有沟槽；在沟槽的侧壁和底部进行原子层沉积形成第一介质层；对第一介质层进行刻蚀形成开口区；其中，开口区的顶部宽度大于...
    2026-01-02
  • 键合晶圆的制备方法
    键合晶圆的制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202510489003.4
    本发明提供一种键合晶圆的制备方法，先于器件晶圆的一表面形成第一氧化层，第一氧化层具有第一厚度；于缺陷富集层的表面形成第二氧化层，并于支撑晶圆的背面形成第三氧化层，第二氧化层具有第三厚度，第三氧化层具有第四厚度；将所述第一氧化层面向所述第三氧...
    2026-01-02
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