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最新专利技术
  • 基于事件触发的数据同步方法和系统
    基于事件触发的数据同步方法和系统_中铁(天津)轨道交通投资建设有限公司_202510610114.6
    本申请提供一种基于事件触发的数据同步方法和系统，涉及工业互联网领域。其中，该方法包括：构建多层分布式同步架构，多层分布式同步架构包括部署于云端侧的路由层和部署于边缘端侧的代理节点；监测到多个设备实体对象的状态数据发生变化时，根据各个设备实体...
    2026-03-26
  • 一种基于互联网语音通话的通信资源管理系统
    一种基于互联网语音通话的通信资源管理系统_国圳有为(深圳)科技有限公司_202510614384.4
    本发明涉及通信资源管理技术领域，尤其涉及一种基于互联网语音通话的通信资源管理系统，通过收集并分析不同区域、时段的语音通话请求数据，以识别语音通话需求的动态变化；根据需求变化分析结果，筛选并提取波动区域‑时段组合的通话请求特征，构建时空特征矩...
    2026-03-26
  • 一种可调节信息化视频监控处理设备
    一种可调节信息化视频监控处理设备_柏威康健(徐州)电子科技有限公司_202510609479.7
    本发明公开了一种可调节信息化视频监控处理设备，涉及监控装置技术领域，包括放置板，还包括调节装置和刮蹭装置，所述放置板表面滑动安装有调节板，所述调节板底部固定安装有调节架，所述调节板顶部固定安装有转向装置，所述转向装置顶部固定安装有机体，其中...
    2026-03-26
  • 蓝牙扫描方法、装置、车辆和存储介质
    蓝牙扫描方法、装置、车辆和存储介质_长城汽车股份有限公司_202510613400.8
    本申请公开了一种蓝牙扫描方法、装置、车辆和存储介质，属于蓝牙技术领域。包括：响应于蓝牙扫描的开始扫描指令，获取当前时间窗的蓝牙扫描记录，蓝牙扫描记录中包括在当前时间窗内所执行的蓝牙扫描的结束扫描时间；在蓝牙扫描记录中的结束扫描时间的数量达到...
    2026-03-26
  • 基于CNN与区块链的无线电频谱异常监测装置
    基于CNN与区块链的无线电频谱异常监测装置_湖北工业大学_202510610952.3
    本发明涉及网络安全领域，特别是涉及基于CNN与区块链的无线电频谱异常监测装置，系统包括频谱感知、特征处理、异常检测、轻量化推理及区块链存储五大模块，首先，频谱感知模块采集多频段信号，生成能量密度矩阵；接着，特征处理模块应用自适应小波变换降噪...
    2026-03-26
  • 一种确定船舶舱室无线通信布局方案的方法和装置
    一种确定船舶舱室无线通信布局方案的方法和装置_浙江海洋大学_202510613977.9
    本申请提供一种确定船舶舱室无线通信布局方案的方法和装置。本申请提供的方法，包括：在基于每组测试参数开展通信测试实验时，采集该组测试参数对应的测试结果；针对每个终端设备，计算该终端设备在不同时刻下的路径损耗；根据该终端设备在不同时刻下的路径损...
    2026-03-26
  • IRS辅助机会型认知无人机网络波束追踪方法
    IRS辅助机会型认知无人机网络波束追踪方法_海南大学_202510608758.1
    针对无人机的高速移动，信道状态急剧改变，最终导致波束指向偏离，出现波束失准问题。本发明提出一种新颖的智能反射面辅助机会型认知无人机网络波束追踪方法。首先，采用了基于注意力机制的长短期记忆模型模型对无人机潜在移动区域的空间角度信息进行预测，根...
    2026-03-26
  • 基于双基站虚拟观测的廊道定位方法及设备
    基于双基站虚拟观测的廊道定位方法及设备_深圳沧穹科技有限公司_202510614246.6
    本发明提供了一种基于双基站虚拟观测的廊道定位方法及设备，包括：在廊道两端设第一及第二基站，构造过两基站且垂直于其连线的两条待定直线；在第一待定直线上定位第一及第二虚拟基站，使其到第一基站的距离均为两基站间距的一半，在第二待定直线上定位第三、...
    2026-03-26
  • 一种汽车车灯驱动电路
    一种汽车车灯驱动电路_海纳川海拉(三河)车灯有限公司_202510615228.X
    本发明涉及汽车车灯技术领域，具体为一种汽车车灯驱动电路，包括：电源模块、防反电路、滤波电路、开关电源电路、转向恒流电路、位置/制动优先级电路、转向报错电路、PWM输出电路、位置/制动恒流电路、位置/制动信号电路。本发明通过电源优化、恒流控制...
    2026-03-26
  • 一种结合展品特征的智能照明控制方法及系统
    一种结合展品特征的智能照明控制方法及系统_广州城市职业学院_202510608051.0
    本发明涉及照明控制技术领域，并具体公开了一种结合展品特征的智能照明控制方法及系统，该方法包括：基于展品材质确定展品的紫外线敏感等级和照明限制条件；基于展品历史背景确定出展品的照明氛围参数范围；基于展品的三维数字模型和核心展示区域生成LED矩...
    2026-03-26
  • 一种基于MEMS超声波传感器的智能补光控制系统及方法
    一种基于MEMS超声波传感器的智能补光控制系统及方法_广州蜂鸟传感科技有限公司_202510609542.7
    本发明公开了一种基于MEMS超声波传感器的智能补光控制系统及方法，系统包括：驱动电路模块、处理电路模块和逻辑判断模块，通过在目标区域布置MEMS超声波换能器及补光灯，利用驱动电路模块生成脉冲信号驱动MEMS超声波换能器发出超声波，利用处理电...
    2026-03-26
  • 主动热对流调控式交流逆变器
    主动热对流调控式交流逆变器_温州市泽军电子有限公司_202510613246.4
    本发明涉及主动热对流调控式交流逆变器，采用双风扇协同散热（逆/顺时针旋转）及模块化可拆卸结构，通过弹性卡钩与定位主轴实现快速拆装，结合除尘杆与防静电毛刷清洁系统，提升散热效率，增强温度均匀性，适配宽温域，降低维护成本，适用于高功率密度及严苛...
    2026-03-26
  • 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法
    一种改进半导体器件饱和压降的制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202510613311.3
    一种改进半导体器件饱和压降的制备方法，涉及半导体制备技术领域。在发射区进行推进工艺中引入O2和H2，由于氧气层阻止磷扩散，维持高的发射区浓度，提高电子注入效率，同时避免基区掺杂补偿，保持低的基区电...
    2026-03-26
  • 一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件
    一种具有原位阻性钝化层的p-GaN栅HEMT器件_电子科技大学_202510613215.9
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有原位阻性钝化层的p‑GaN栅HEMT器件。该发明的核心方案是部分保留栅极以外区域的p‑GaN层，并通过ICP工艺对保留的p‑GaN层进行氧注入处理，通过调控氧注入剂量，可精确调整原位钝化层的电阻值。...
    2026-03-26
  • 一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件
    一种具有雪崩击穿特性的p-GaN栅HEMT器件_电子科技大学_202510613217.8
    本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有雪崩击穿特性的p‑GaN栅HEMT器件。该发明的核心方案是在器件的缓冲层中引入p型掺杂的空穴补偿层，并设计互联金属结构：其一端与源极和漏极连接，另一端沿垂直方向延伸至缓冲层内，距离空穴补偿层一定...
    2026-03-26
  • 一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法
    一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法_无锡新洁能股份有限公司_202510608663.X
    本发明提供一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法，包括N型漏极及位于其下表面的漏极金属，在N型漏极的上表面设有N型外延层作为JFET的漂移区，在N型外延层的上表面设有N型源区，在N型源区上表面还依次设有Silicide层与源极金属，...
    2026-03-26
  • 外延层制造方法、外延层及宽工艺窗口的超结功率器件
    外延层制造方法、外延层及宽工艺窗口的超结功率器件_无锡新洁能股份有限公司_202510608548.2
    本发明涉及外延层制造方法、外延层及宽工艺窗口的超结功率器件。本发明包括提供高掺杂浓度的N型衬底，形成第一外延层；形成第二外延层；定义出N型柱与P型柱的位置；进行刻蚀，形成第一空沟槽；形成二氧化硅柱；形成顶部带有第二阻挡层的第一二氧化硅柱以及...
    2026-03-26
  • 一种外延层的制造方法、外延层及降噪的超结功率器件
    一种外延层的制造方法、外延层及降噪的超结功率器件_无锡新洁能股份有限公司_202510608598.0
    本发明涉及一种外延层的制造方法、外延层及降噪的超结功率器件。本发明包括提供高掺杂浓度的N型衬底；形成第一外延层；在所述第一外延层上制作第二外延层；所述第二外延层包括沿所述第一外延层的上表面自下而上依次生长的：第1号P型外延层、插入层、第2号...
    2026-03-26
  • 外延层制造方法、外延层及增大工艺窗口的超结功率器件
    外延层制造方法、外延层及增大工艺窗口的超结功率器件_无锡新洁能股份有限公司_202510608600.4
    本发明涉及外延层制造方法、外延层及增大工艺窗口的超结功率器件。本发明包括提供高掺杂浓度的N型衬底，生长低掺杂浓度的N型半导体，形成第一外延层；在第一平面上生长N型半导体，形成第二外延层；在晶圆的正面形成第一阻挡层；在晶圆的正面进行刻蚀，形成...
    2026-03-26
  • TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202510608222.X
    本申请实施例提供了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。TOPCon太阳能电池的制备方法，包括：在硅基底的第一面上依次形成第二隧穿层、第一掺杂多晶硅层、阻挡层、第二掺杂多晶硅层；采用退火工艺，使第二掺杂多...
    2026-03-26
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