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利用音频进行Pierre Robin综合征风险预测的装置与方法
本发明提供了一种利用音频进行Pierre Robin综合征风险预测的装置及方法, 该装置包括包括音频采集模块、信号预处理模块、特征提取模块、深度神经网络分析模块和结果输出模块, 形成了从信号采集到风险预测的完整处理链路, 在数学上构建了一个...
一种辅助计算机硬盘稳定运行的硬盘保护装置
本发明涉及计算机装置技术领域, 具体是一种辅助计算机硬盘稳定运行的硬盘保护装置, 包括箱体, 所述箱体内部设有正面开口的硬盘腔, 所述硬盘腔内部上下底面均固定设有导热硅胶板, 导热硅胶板靠近箱体内壁的侧面固定设有若干散热鳍片, 所述散热鳍片...
固态硬盘装置
本发明提供一种固态硬盘装置, 包括壳体、内存主板、以及内存模块板。壳体设置有多个通风孔, 以利壳体内的热通过通风孔从固态硬盘装置排出。内存主板设置于该壳体内。内存模块板设置于壳体内, 且与内存主板维持于不同高度, 而于内存主板与内存模块板之...
一种存储装置
本申请公开了一种存储装置, 存储装置包括存储电路板、至少一个扩容电路板和辅助电路板;存储电路板上设置有至少一个第一扩容接口;扩容电路板上设置有第二扩容接口;其中, 存储电路板的第一扩容接口通过连接器连接扩容电路板的第二扩容接口, 以将扩容电...
一种OTP电路和存储芯片
本申请涉及电力电子领域, 公开了一种OTP电路, 该OTP电路包括:控制电路、开关管和二极管;开关管的第一端与磁隧道结的第一端、二极管的阳极均连接, 磁隧道结的第二端与位线连接;开关管的第二端与源极线连接, 开关管的控制端与字线连接;控制电...
用于铁电存储器单元的非破坏性地读出的存储器器件和方法
本公开涉及一种存储器器件, 其包括铁电存储器单元和连接到该存储器单元的读出电路。本公开还涉及一种用于非破坏性地读出该存储器器件的铁电存储器单元的方法。该存储器器件包括具有铁电电容器的存储器单元。字线和位线分别连接到该存储器单元。该存储器器件...
一种用于铁电存储器单元的对称非破坏性读出的方法和存储器器件
本公开提供了一种铁电存储器器件, 其包括具有铁电电容器的存储器单元和连接到该存储器单元的电荷传感器。本公开提供了一种用于非破坏性地读出该存储器单元的方法。该方法包括经由电压线向铁电电容器的电容器板施加电压, 其中该电压的值始终低于改变铁电电...
基于铁电存储器的自校准温度补偿网络系统及方法
本发明涉及半导体技术领域, 特别涉及一种基于铁电存储器的自校准温度补偿网络系统及方法, 其中, 系统包括:温度检测模块, 温度检测模块与目标铁电存储器连接, 以检测目标铁电存储器的当前工作温度, 并将当前工作温度转换为当前工作电压;温度补偿...
半导体存储装置及其控制方法
本发明提供半导体存储装置及其控制方法, 当外部电阻连接多个存储芯片时, 能缩短阻拉校准处理的时间。半导体存储装置, 包括多个存储器芯片, 通过校准垫而连接共同的外部电阻;以及, 控制部, 用于控制使得在对多个存储器芯片中的第1存储器芯片进行...
基于SRAM的非易失性存储单元电路、控制方法及存储器
本申请提供一种基于SRAM的非易失性存储单元电路、控制方法及存储器, 存储单元电路主要包括:静态随机存储器SRAM单元电路, 分别连接漏极电压、源极电压、字线、第一位线和第二位线, SRAM单元电路包括存储节点QB;第一控制晶体管分别与第一...
一种支持双行读取与异或运算的SRAM阵列电路及存储器
本发明公开了一种支持双行读取与异或运算的SRAM阵列电路及存储器。阵列电路包括多个SRAM单元、多个耦合电路以及多个读取电路。每个单元包括交叉耦合的两个反相器及分别与两个反相器连接的两个访问晶体管, 连接节点分别为Q、QB。相邻两个SRAM...
环路展开型可复用SAR-ADC、CIM电路与芯片
本发明属于存储器领域, 具体涉及一种环路展开型可复用SAR‑ADC、CIM电路与芯片。该电路由CDAC阵列、切换电路和多级比较器构成。其中, CDAC阵列用于生成指定大小的参考电压Vref。切换电路用于在不同模式下对多级比较器内部的器件间耦...
一种多功能的CIM电路、布尔逻辑运算电路及其芯片
本发明属于存储器领域, 具体涉及一种多功能的CIM电路、布尔逻辑运算电路及其芯片。CIM电路的存算阵列由多个D8T单元阵列排布而成;D8T单元由左右镜像布置的两个8T‑SRAM单元构成。8T‑SRAM单元包括由2个PMOS管和2个NMOS管...
基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路
一种基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路, 包括:一个存算单元和一个微型控制器, 其中:存算单元缓存所有传感器阵列采集并经放大器放大后的模拟源数据, 并根据来自微型控制器的请求进行存内原位计算后, 将计算结果转换为数字信号并输出至...
分栅式闪存及操作方法
本申请公开了一种分栅式闪存及操作方法, 该分栅式闪存包括字线、位线以及存储单元, 存储单元包括衬底、浮栅以及位于衬底与浮栅之间的氧化物材料层, 该操作方法通过在对待读取的存储单元执行读取操作或验证操作之前, 对待读取的存储单元执行去缺陷操作...
存储器装置和执行编程操作的方法
本公开涉及一种存储器装置和执行编程操作的方法, 该存储器装置可以包括:存储器单元阵列, 包括连接到多条字线的存储器单元;外围电路, 被配置为在将编程电压施加到从多个字线中选择的选择字线直到选择字线的电压电平达到目标电平的电压上升时段期间, ...
存储器装置及其操作方法、存储器系统
本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统, 该存储器装置包括外围电路;外围电路包括页缓存器组、错误位信号生成电路以及多个第一晶体管;页缓存器组包括N个页缓存器, 错误位信号生成电路与页缓存器的感测节点连接;N为大于1的整数;...
存储器装置中的多遍编程
公开了示例存储器装置、系统和用于存储器装置中的多遍编程的方法。一种示例方法包括基于第一数据生成层级指示符数据, 其中, 将基于第一编程操作和第二编程操作将第一数据存储在存储器装置中。执行编程操作以将层级指示符数据存储在存储器装置的存储器单元...
一种动态擦除方法和存储系统
本发明实施例公开了一种动态擦除方法和存储系统。本发明实施例的方法为确定目标存储系统的性能需求数据和剩余可写入空间, 根据性能需求数据和剩余可写入空间确定预估擦除时间, 根据预估擦除时间确定目标存储系统对应的擦除策略, 擦除策略包括目标存储系...
包括虚设存储器块的存储器件
一种存储器件, 包括存储器单元结构, 该存储器单元结构包括多个存储器块, 其中, 该多个存储器块包括至少一个虚设存储器块和多个主存储器块, 该多个主存储器块中的每一个包括第一类型的串组, 并且, 该至少一个虚设存储器块包括第一类型的串组和第...
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