Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 监控晶圆边缘曝光直边去边宽幅的掩模版及其使用方法
    监控晶圆边缘曝光直边去边宽幅的掩模版及其使用方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510776475.8
    本申请公开了一种用于监控晶圆边缘曝光直边去边宽幅的掩模版及方法。本申请提供的掩模版包含带标尺图案的图形层。监控方法包括：在晶圆上涂布光刻胶；使用该特殊掩模版对覆盖待形成晶圆边缘曝光直边区域的目标区域进行曝光， 形成标尺图案的潜像；对晶圆执行...
    2025-12-24
  • 用于确定掩模图案的方法、设备和存储介质
    用于确定掩模图案的方法、设备和存储介质_全芯智造技术有限公司_202511299846.4
    根据本公开的示例实施例提供了用于确定掩模图案的方法、设备和存储介质。该方法包括：将目标图案划分为多个区域；基于目标图案， 分别确定多个区域中的每个区域的掩模图案；确定多个区域之间的多个重叠区域；以及通过对在多个重叠区域中的相应掩模图案的图案...
    2025-12-24
  • 非等边矩形光罩容器
    非等边矩形光罩容器_家登精密工业股份有限公司_202510276844.7
    本发明关于一种非等边矩形光罩容器， 其包含单层盒与双层盒的非等边矩形光罩容器， 单层盒的盒体与双层盒的外盒， 两者的长度与宽度为非等边矩形光罩的长度与宽度乘以1.25至2.5。双层盒的内盒的长度与宽度为非等边矩形光罩的长度与宽度乘以1.05...
    2025-12-24
  • 掩模结构参数的优化方法、装置和计算机可读存储介质
    掩模结构参数的优化方法、装置和计算机可读存储介质_中国科学院微电子研究所_202410436246.7
    本申请提出一种掩模结构参数的优化方法、装置和计算机可读存储介质。该掩模结构参数的优化方法基于入射光遇到掩模后的传播路径， 构建与待优化的第一掩模结构参数相关联的第一衍射场分布， 根据成像系统的成像模型， 构建第一衍射场分布经成像系统后成像的...
    2025-12-24
  • 微纳米加工工艺及方法及产品及光刻机
    微纳米加工工艺及方法及产品及光刻机_李云忠_202510043465.3
    本发明公开了微纳米加工工艺及方法及产品及光刻机， 涉及光学技术领域， 主要在所需成型面的反面蚀刻出图案或线条或符号或花纹或电路图或光栅图或光路图， 又或者是用蚀刻出图案或线条或符号或花纹或电路图或光栅图或光路图的镜面的反面的反面即加工后的镜...
    2025-12-24
  • 阵列喷胶式纳米压印装置及方法
    阵列喷胶式纳米压印装置及方法_中国科学院光电技术研究所_202510122472.2
    本公开提供一种阵列喷胶式纳米压印装置及方法， 涉及微纳制造技术领域， 装置包括：衬底吸附单元， 用于吸附衬底以带动衬底移动；柔性调平单元， 用于吸附母版， 衬底吸附单元带动衬底移动以使衬底与母版对准， 并使衬底与母版接触并施加压印力；喷胶单...
    2025-12-24
  • 光敏纳米复合物、氧化硅精密成型件及其制备方法与应用
    光敏纳米复合物、氧化硅精密成型件及其制备方法与应用_香港理工大学_202410451325.5
    本申请涉及微纳米制造领域， 尤其涉及光敏纳米复合物、氧化硅精密成型件及其制备方法与应用。本申请光敏纳米复合物包括改性氧化硅颗粒和聚合物单体， 改性氧化硅颗粒包括氧化硅颗粒和改性基团， 改性基团与氧化硅颗粒结合， 聚合物单体与改性基团相溶。本...
    2025-12-24
  • 正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜
    正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜_DIC株式会社_202510354753.0
    本发明提供一种正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜。所述正型感光性树脂组合物含有下述的成分A～成分C。成分A：酚醛清漆型酚树脂， 包含衍生自间甲酚和/或邻甲酚的酚结构单元a1、衍生自水杨醛的醛结构单元a2、且...
    2025-12-24
  • 水性环保型LDI光刻胶及其制备工艺
    水性环保型LDI光刻胶及其制备工艺_深圳市德贝尔光电材料有限公司_202511118992.2
    本发明涉及光刻胶材料技术领域， 具体涉及一种水性环保型LDI光刻胶及其制备工艺， 包括交联剂合成、明胶改性、光刻胶配制与涂布。交联剂合成时， 胱胺与甲基丙烯酸缩水甘油酯反应制得胱胺二丙烯酸酯中间体， 胱胺二丙烯酸酯中间体经与4‑(2‑氨乙氧...
    2025-12-24
  • 平坦化方法、平坦化设备以及物品制造方法
    平坦化方法、平坦化设备以及物品制造方法_佳能株式会社_202510450479.7
    一种平坦化方法包括：通过使用第一平坦化构件来成型可固化的组合物而在基底上形成第一平坦化层；通过使用第二平坦化构件来成型可固化的组合物而在第一平坦化层上形成第二平坦化层；以及基于表示至少两个平坦化构件中的每一个平坦化构件的性能的信息， 确定要...
    2025-12-24
  • 曝光结构及曝光设备
    曝光结构及曝光设备_光科芯图(北京)科技有限公司_202410442323.X
    本发明涉及全息光刻技术领域， 具体涉及曝光结构及曝光设备。通过在曝光结构中限定曝光光束经过透明掩模基底在浸没液中完全成像时， 成像的理论距离大于所述透明掩模基底的厚度且小于浸没液滴的最大厚度与所述透明掩模基底的厚度之和， 保证曝光光束经过浸...
    2025-12-24
  • 一种包围结构的OPC修正方法、装置、设备及存储介质
    一种包围结构的OPC修正方法、装置、设备及存储介质_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410448473.1
    本发明涉及光刻修正领域， 特别是涉及一种包围结构的OPC修正方法、装置、设备及存储介质， 通过接收待处理版图；判断所述包围结构中是否存在间距小于预设的第一工艺参数阈值的上层结构与下层结构；当存在间距小于所述第一工艺参数阈值的第一上层结构与第...
    2025-12-24
  • 一种基于信息融合与智能调控的半导体光刻系统
    一种基于信息融合与智能调控的半导体光刻系统_天津恩佐科技发展有限公司_202510864631.6
    本发明属于信息技术领域， 涉及一种基于信息融合与智能调控的半导体光刻系统， 具体通过聚焦工业机器人半导体光刻系统， 多传感器融合与实时补偿技术将定位偏差大幅缩小， 成品率显著提升， 人工干预次数锐减。传统光刻图形转移技术图案偏差大、次品率高...
    2025-12-24
  • 照射源和相关的量测设备
    照射源和相关的量测设备_ASML荷兰有限公司_202510915505.9
    公开了一种照射源， 其包括具有气体喷嘴的气体递送系统。气体喷嘴包括在气体喷嘴的出口平面中的开口。所述气体递送系统被配置成从所述开口提供气流以用于在相互作用区域处产生所发射的辐射。该照射源被配置成接收具有传播方向的泵浦辐射并且在气流中提供该泵...
    2025-12-24
  • 一种红外低反射硫化锌人工微结构激光直写方法
    一种红外低反射硫化锌人工微结构激光直写方法_上海大学_202510958972.X
    本发明公开了一种红外低反射硫化锌人工微结构激光直写方法， 涉及红外光学表面技术领域。对比在表面蒸镀硫化锌薄膜的方法， 直接在具有稳定性质的硫化锌表面制备高反射结构的方法在极端环境下更为可靠， 制备步骤如下：(1)利用飞秒激光直写技术， 对硫...
    2025-12-24
  • 一种反射式双光束干涉曝光系统及其兼顾刻线密度和像差的装调方法
    一种反射式双光束干涉曝光系统及其兼顾刻线密度和像差的装调方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511042766.0
    一种反射式双光束干涉曝光系统兼顾刻线密度和像差的装调方法， 包括：构建刻线密度标准模块， 生成用于调整曝光系统刻线密度的标准参考光束；搭建反射式双光束干涉曝光系统， 分别以±1级标准参考光束经离轴抛物面反射镜聚焦后的点， 作为双光束光路中各...
    2025-12-24
  • 用于目标图案的基于规则的重靶向的方法
    用于目标图案的基于规则的重靶向的方法_ASML荷兰有限公司_202511118245.9
    本文描述一种用于产生用于待印刷于衬底上的目标图案的重靶向图案的方法。该方法包括：获得(i)包括至少一个特征的目标图案， 该至少一个特征具有包括第一维度和第二维度的几何形状；以及(ii)多个偏差规则， 该多个偏差规则被定义为第一维度、第二维度...
    2025-12-24
  • 一种不规则晶圆的背面套刻方法
    一种不规则晶圆的背面套刻方法_武汉光谷量子技术有限公司_202511176743.9
    本申请涉及一种不规则晶圆的背面套刻方法， 其包括以下步骤：使用划片机在完成正面工艺制作且背面减薄后的不规则晶圆上切割出具有特定形状的定位边；对不规则晶圆的定位边进行成像并提取关键特征点和轮廓信息；在不规则晶圆的背面涂布光刻胶；将不规则晶圆放...
    2025-12-24
  • 用于确定光刻设备的控制数据的方法和设备
    用于确定光刻设备的控制数据的方法和设备_ASML荷兰有限公司_202511239225.7
    一种用于确定输入的方法， 该输入被输入至透镜模型， 以在对衬底的多个场中的至少一个场进行寻址时， 确定针对光刻设备的透镜的操纵的设定值， 所述方法包括：接收针对至少一个场的参数数据， 该参数数据与衬底的在至少一个场内的一个或多个参数有关， ...
    2025-12-24
  • 基于光刻胶胶厚测量的曝光剂量自适应调整光刻方法
    基于光刻胶胶厚测量的曝光剂量自适应调整光刻方法_合肥清溢光电有限公司_202511274619.6
    本发明涉及半导体光刻， 具体涉及基于光刻胶胶厚测量的曝光剂量自适应调整光刻方法， 在光刻机上加装胶厚测量装置， 将掩膜版原材放入光刻机， 并对胶厚测量装置的入射光位置进行调节；通过胶厚测量装置对掩膜版原材上的光刻区域进行胶厚测量；根据胶厚测...
    2025-12-24
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证