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最新专利技术
  • 一种机柜级气液双通道冷却系统及其控制方法
    一种机柜级气液双通道冷却系统及其控制方法_华中科技大学_202511116898.3
    本发明属于数据中心冷却技术领域， 具体为一种机柜级气液双通道冷却系统及其控制方法。包括液冷单元、风冷单元和机械制冷单元；三者通过三介质换热器进行换热；三介质换热器包括第一通道、第二通道和空气通道；机械制冷单元包括依次连接的压缩机、冷凝器和节...
    2025-11-20
  • 一种多点式流道液冷板
    一种多点式流道液冷板_东莞市立敏达电子科技有限公司_202511239388.5
    本发明公开了一种多点式流道液冷板， 包括相互连接的主体和盖板， 所述主体上靠近盖板的一面上设置有液冷流道， 所述主体或盖板上设置有分别与所述液冷流道两端连通的入液口和出液口；所述盖板上靠近主体一侧设置有若干散热单元， 液冷流道上正对散热单元...
    2025-11-20
  • 一种用于液冷机柜的液冷管路及液冷机柜
    一种用于液冷机柜的液冷管路及液冷机柜_东莞市立敏达电子科技有限公司_202511260759.8
    本发明涉及液冷技术领域， 尤其涉及一种用于液冷机柜的液冷管路及液冷机柜， 包括用于输送液体的多组液冷管一， 液冷管一连接有分流管， 液冷管一的外侧设置有用于支撑液冷管一的支撑架， 还包括与液冷管一连接的金属管， 金属管远离液冷管一的一端安装...
    2025-11-20
  • 一种舰船雷达综合能调节能冷却系统
    一种舰船雷达综合能调节能冷却系统_中天(江苏)防务装备有限公司_202511307811.0
    本发明公开了一种舰船雷达综合能调节能冷却系统， 涉及冷却系统技术领域， 包括支撑底板， 所述支撑底板的外表面设置控制器， 所述支撑底板的顶部靠近一侧边缘处设置用于对舰船雷达综合能调节能系统中的冷却液进行降温的换热组件。该系统， 在夏季， 当...
    2025-11-20
  • 一种两相液冷系统及其控制方法、电子设备
    一种两相液冷系统及其控制方法、电子设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511318184.0
    本发明公开了一种两相液冷系统及其控制方法、电子设备， 应用于液冷技术领域， 其中两相液冷系统包括：循环管路；分集水器；冷量分配单元， 包括温度调节部件、冷凝器和循环驱动部件， 所述温度调节部件用于将所述液冷介质调节至目标温度， 所述目标温度...
    2025-11-20
  • 一种数据中心两相冷板的余热回收调度方法及系统
    一种数据中心两相冷板的余热回收调度方法及系统_天津提尔科技有限公司_202511326325.3
    本发明公开了一种数据中心两相冷板的余热回收调度方法及系统， 涉及制冷与热量管理技术领域。该一种数据中心两相冷板的余热回收调度方法及系统， 包括以下步骤：S1：通过多类热工监测装置采集关键热工参数与末端状态变量， 获取并预处理热工状态监测数据...
    2025-11-20
  • 一种用于数据中心液冷装置的液冷接头
    一种用于数据中心液冷装置的液冷接头_杭州鄂达精密机电科技有限公司_202511343268.X
    本申请公开了一种用于数据中心液冷装置的液冷接头， 包括连接头本体、锁止组件、移动限位组件和密封组件， 锁止组件、移动限位组件和密封组件分别安装在连接头本体内， 其中， 密封组件和移动限位组件分别可以沿连接头本体的轴向进行移动， 锁止组件可以...
    2025-11-20
  • 电磁波屏蔽部件
    电磁波屏蔽部件_信越化学工业株式会社_202510443276.5
    本发明涉及一种电磁波屏蔽部件， 其具有：含有电磁波吸收填料和粘合剂树脂的电磁波吸收层、和在该电磁波吸收层的电磁波入射面的相反面侧设置的反射层， 其中， 所述电磁波吸收层具有4～30的介电常数和0.1～2.0的介电损耗角正切， 所述电磁波吸收...
    2025-11-20
  • 一种主动式交变电磁辐射弱化装置
    一种主动式交变电磁辐射弱化装置_张泽榆_202511209245.X
    本发明涉及磁辐射弱化装置技术领域， 且公开了一种主动式交变电磁辐射弱化装置， 包括包括壳体， 设置于所述壳体表面的控制器、设置于所述壳体表面的功能增强开关、固定连接于所述壳体底部的电源线、开设于所述壳体表面的插口， 以及当所述装置被制作为接...
    2025-11-20
  • 一种SMT贴片机的PCB固定装置
    一种SMT贴片机的PCB固定装置_南通斯迈尔精密设备有限公司_202510748079.4
    本发明公开了一种SMT贴片机的PCB固定装置， 涉及SMT贴片机技术领域， 包括固定平台和PCB板本体， 所述固定平台的上表面放置有PCB板本体， 所述固定平台的内部设置有磁吸装置， 所述固定平台通过磁吸装置对PCB板本体进行吸附固定。本发...
    2025-11-20
  • 双面电路板贴片用输送线
    双面电路板贴片用输送线_深圳市科莱昂科技有限公司_202511245879.0
    本发明公开了一种双面电路板贴片用输送线， 涉及电路板生产技术领域， 所述双面电路板贴片用输送线包括两输送带、治具、两抬升翻转机构、两固定机构， 两所述输送带间隔形成输送空间；所述治具位于所述输送空间内且与所述输送带连接， 电路板的两侧凸出所...
    2025-11-20
  • 零件馈送器
    零件馈送器_松下知识产权经营株式会社_202511010522.4
    本发明的零件馈送器(13)具备：主体部(41)， 其具备向部件取出位置(13K)供给部件的部件供给机构；插槽插入部(42)， 其沿着在馈送器基座(22)设置的插槽向一方向滑动；被固定构件(51)， 其从主体部朝向一方向突出， 并固定于在馈送...
    2025-11-20
  • 部件安装装置以及偏移信息取得方法
    部件安装装置以及偏移信息取得方法_JUKI株式会社_202510445284.3
    本发明提供部件安装装置以及偏移信息取得方法， 能够缩短取得头部的偏移信息所需的时间。部件安装装置具备：头单元， 包括具有保持电子部件的吸嘴且直线状排列的3个以上的头部；头移动机构， 具有能够拆装地安装头单元的头保持体， 使头单元在水平方向上...
    2025-11-20
  • 静态随机存取存储器的布局图案
    静态随机存取存储器的布局图案_联华电子股份有限公司_202410533844.6
    本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案， 其主要包含一栅极结构沿着第一方向延伸于一基底上， 一源极/漏极区域沿着第二方向延伸于该栅极结构的第一侧以及第二侧， 一基体区域设于该栅极结构的第三侧以及一缺口设于该栅极结构以及该基体区域之间。
    2025-11-20
  • 半导体器件及其制造方法、存算装置及系统
    半导体器件及其制造方法、存算装置及系统_长江存储科技控股有限责任公司_202410437291.4
    本公开提供一种半导体器件及其制造方法、存算装置及系统， 涉及半导体技术领域。该半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。该第一半导体结构包括计算电路的执行单元和存储器装置的外围电路。该第二半导体结构与该第一半导体结构键合， 该第二半导体...
    2025-11-20
  • 存储单元、存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备
    存储单元、存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202410440403.1
    本申请提供一种存储单元、存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备， 涉及半导体技术领域， 用以解决如何提高存储器的存储密度的问题。该存储单元包括：第一导体结构、第一半导体层、栅极、第一电结构和第一绝缘层；第一半导体层设置在第一导体结构的一侧，...
    2025-11-20
  • 存储器器件及其制造方法
    存储器器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410444946.0
    本公开提供了一种存储器器件及其制造方法， 该存储器器件包括：第一半导体结构， 第一半导体结构包括：半导体柱；半导体柱沿第一方向延伸；栅极结构；栅极结构位于相邻的半导体柱之间；位线；位线沿第二方向延伸， 与半导体柱沿第一方向相对的两端中的第一...
    2025-11-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410445084.3
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法， 该半导体器件的制造方法包括：形成第一半导体结构， 形成第一半导体结构包括：形成堆叠结构；堆叠结构包括沿第一方向堆叠的第一介质层、第二介质层、子堆叠结构；形成多个电容结构；电容结构沿第一方向贯穿堆叠结...
    2025-11-20
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410554756.4
    本发明提供一种半导体装置及其形成方法。其中， 半导体装置包括基板、字线结构、栅极导电层、接触物及衬层。字线结构设置在基板中。栅极导电层设置在字线结构上。接触物设置在字线结构上。衬层设置在栅极导电层与接触物之间， 且覆盖栅极导电层的侧表面。
    2025-11-20
  • 半导体元件的制造方法
    半导体元件的制造方法_南亚科技股份有限公司_202410928198.3
    本发明公开一种半导体元件的制造方法。提供硅柱的平坦表面。在一基板之中形成至少一第一沟槽。沉积一导电材料， 以部分地填充该第一沟槽。在该第一沟槽中形成一绝缘片且延伸至该导电材料之中。在该第一沟槽中沉积一隔离材料， 以覆盖暴露在该绝缘片周围的导...
    2025-11-20
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