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最新专利技术
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统和存储介质
    存储器装置及其操作方法、存储器系统和存储介质_长江存储科技有限责任公司_202410483782.2
    本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统和存储介质。其中， 存储器装置包括：存储单元阵列， 存储单元阵列包括存储m个数据位的存储单元， m个数据位对应m页， 每页对应多阶读取电压；外围电路， 与存储单元阵列耦合且被配置为：接收...
    2025-11-25
  • 半导体存储器装置及其操作方法
    半导体存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202411698315.8
    本文提供一种半导体存储器装置及其操作方法。半导体存储器装置可以包括：存储块， 包括多个存储器单元；电压生成电路， 被配置为在对存储块进行读取操作期间生成待施加到存储块的字线的读取电压和通过电压；温度测量电路， 被配置为在执行读取操作之前或之...
    2025-11-25
  • 控制装置、控制方法以及存储器系统
    控制装置、控制方法以及存储器系统_华邦电子股份有限公司_202510165359.2
    本发明提供一种控制装置、控制方法以及存储器系统。控制装置用于控制存储器系统。控制装置包括：第一周边电路群， 在存储器系统为待机模式下， 通过第一电压驱动；第二周边电路群， 耦接于第一周边电路群， 在存储器系统为待机模式下， 以第二电压驱动；...
    2025-11-25
  • 全双工存储器系统
    全双工存储器系统_美光科技公司_202510474097.8
    本公开涉及全双工存储器系统。在一些实施方案中， 一种存储器装置可接收读取命令， 所述读取命令指示所述存储器装置读取存储在存储器组件处的第一组主机数据， 所述存储器组件与和通道相关联的多个存储器组件存储面中的存储器组件存储面相关联。所述存储器...
    2025-11-25
  • 管理存储装置中的编程干扰
    管理存储装置中的编程干扰_长江存储科技有限责任公司_202410479948.3
    公开了用于管理闪存中的编程干扰的示例设备和方法。在一个示例中， 存储装置可以包括存储串， 该存储串包括第一选择栅晶体管、第二选择栅晶体管以及位于其间的存储单元。外围电路被配置为在第一存储单元的编程操作期间向第一选择栅晶体管施加第一电压。第一...
    2025-11-25
  • 存储器装置及其控制方法
    存储器装置及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202410664797.9
    本发明提供一种存储器装置及其控制方法。存储器装置的控制方法包括：接收擦除命令， 对存储区块执行擦除动作；当在擦除动作中发生多次暂停事件时， 计数分别对应暂停事件的多次重启事件的重启次数或暂停事件的暂停次数；以及， 在擦除动作中， 当重启次数...
    2025-11-25
  • 制造半导体设备的方法以及半导体设备
    制造半导体设备的方法以及半导体设备_瑞萨电子株式会社_202510427398.5
    本公开的实施例涉及制造半导体设备的方法以及半导体设备。写入驱动器使用升压电压或调节器电压来向OTP存储器单元写入二进制数据中的一个二进制数据。OTP电压选择寄存器使写入驱动器选择两个电压中的一个电压。修整寄存器保持电压设置值， 该电压设置值...
    2025-11-25
  • 单片GaN技术中的一次性可编程存储器设备
    单片GaN技术中的一次性可编程存储器设备_意法半导体国际公司_202510495319.4
    本公开涉及单片GaN技术中的一次性可编程存储器设备。一种一次性可编程(OTP)存储器设备包括半导体管芯和集成到管芯中的OTP存储器单元格。管芯包括形成异质结构的沟道层和阻挡层以及异质结构之上的多个金属化层级。OTP存储器单元格包括熔断器元件...
    2025-11-25
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202411818041.1
    本公开涉及半导体装置。一种半导体装置包括通过第一信号路径、第二信号路径、第三信号路径和第四信号路径被堆叠的基础芯片和存储器芯片， 每个信号路径延伸穿过存储器芯片到基础芯片中。基础芯片和存储器芯片被配置成在偶数扫描操作开始之后同时驱动第一信号...
    2025-11-25
  • 一种用于MTP存储器的内建自测试系统及方法
    一种用于MTP存储器的内建自测试系统及方法_中国科学院微电子研究所_202410496368.5
    本发明涉及一种用于MTP存储器的内建自测试系统及方法， 属于芯片测试技术领域， 解决了现有内建自测试功能单一且无法同时应用在不同存储区域的问题。包括：地址生成器用于产生地址信号；模式生成器用于根据区域选择信号、模式选择信号和测试序列选择信号...
    2025-11-25
  • 用于写入操作的电压校准
    用于写入操作的电压校准_美商新思科技有限公司_202510452640.4
    本公开涉及用于写入操作的电压校准。示例是一种电路。该电路包括存储器阵列(104)、模拟列(110)、模拟电阻器(436)和校准电路(102、602)。模拟列(110)沿着存储器阵列(104)的外围。模拟电阻器(436)在穿过模拟列(110)...
    2025-11-25
  • 一种存储系统及存储系统的操作方法
    一种存储系统及存储系统的操作方法_长江存储科技有限责任公司_202410489403.0
    本公开提供了一种存储系统及存储系统的操作方法， 应用于数据处理技术领域。该存储系统包括存储器和控制器。存储器和控制器耦合。控制器被配置为：接收待编码数据。基于待编码数据， 得到待编码数据的校验码向量， 校验码向量用于对应的待编码数据的准确性...
    2025-11-25
  • 半导体器件及其修复方法
    半导体器件及其修复方法_三星电子株式会社_202510380385.7
    一种半导体器件， 包括：主机；以及存储器件， 包括与多条字线相对应的第一存储单元阵列以及与多条冗余字线相对应的第二存储单元阵列。主机被配置为基于第一存储单元阵列中连接到第一字线的第一存储单元行中发生通过纠错码(ECC)能够校正的第一类型的错...
    2025-11-25
  • 存储器系统及其操作方法、可读存储介质
    存储器系统及其操作方法、可读存储介质_长江存储科技有限责任公司_202410465321.2
    本申请一些实施例提供一种存储器系统。存储器系统包括存储器装置和与存储装置耦合的存储器控制器。其中， 存储器装置包括页缓存器；页缓存器包括锁存器。存储器控制器被配置为响应于存储器装置执行编程操作时出现编程状态错误， 获取锁存器中的数据。利用获...
    2025-11-25
  • 用于执行硅通孔修复操作的逻辑管芯以及包括该逻辑管芯的半导体器件
    用于执行硅通孔修复操作的逻辑管芯以及包括该逻辑管芯的半导体器件_三星电子株式会社_202510107821.3
    提供了一种用于执行硅通孔(TSV)修复操作的逻辑管芯以及包括该逻辑管芯的半导体器件。半导体器件包括：逻辑管芯， 包括存储器控制器和接口电路；多个核心管芯， 在竖直方向上堆叠在逻辑管芯上， 多个核心管芯中的每一个包括存储单元阵列；以及多个硅通...
    2025-11-25
  • 一种基于磁场注入与光学检测耦合技术的MRAM检测方法
    一种基于磁场注入与光学检测耦合技术的MRAM检测方法_山东大学_202410451002.6
    本发明涉及一种基于磁场注入与光学检测耦合技术的MRAM检测方法， 包括：将待测的MRAM样品加载到磁畴缠绕的磁铁线圈中心；控制磁铁线圈中的电流， 加载所需的磁场强度和方向；使用MOKE显微镜观察MRAM样品的磁畴结构和磁化行为， 记录反射光...
    2025-11-25
  • 一种低功耗自适应光路调整方法及其在磁性芯片节能产业中的应用
    一种低功耗自适应光路调整方法及其在磁性芯片节能产业中的应用_山东大学_202410451012.X
    本发明涉及一种低功耗自适应光路调整方法及其在磁性芯片节能产业中的应用， 属于磁光检测技术领域， 利用光学设计， 实现低功耗但高度灵活的光路结构， 能够快速适应不同检测需求；采用了智能控制系统， 根据实时检测数据自动调整光学元件， 以优化检测...
    2025-11-25
  • 一种低功耗特定参数单束光源获取装置、方法及其在磁光检测中的节能应用
    一种低功耗特定参数单束光源获取装置、方法及其在磁光检测中的节能应用_山东大学_202410451014.9
    本发明涉及一种低功耗特定参数单束光源获取装置、方法及其在磁光检测中的节能应用， 属于磁光检测技术领域， 包括激光发射器、单色仪、离轴转换器、波长选择器、衰减器、斩光器、调节器、滤光片体系、偏光器体系、准直器和稳定器。本发明采用新型光源技术，...
    2025-11-25
  • 一种集成光学角分辨与高数值孔径物镜的MRAM检测方法
    一种集成光学角分辨与高数值孔径物镜的MRAM检测方法_山东大学_202410451031.2
    本发明涉及一种集成光学角分辨与高数值孔径物镜的MRAM检测方法， 属于存储器检测技术领域。方法步骤如下：(1)系统准备；(2)样品准备；(3)光学角分辨观察；(4)光信号采集；(5)光学探测器和信号处理；(6)结果分析和评估。本发明利用光学...
    2025-11-25
  • 一种利用Polar-MOKE技术进行MRAM检测的方法
    一种利用Polar-MOKE技术进行MRAM检测的方法_山东大学_202410451033.1
    本发明涉及一种利用Polar‑MOKE技术进行MRAM检测的方法， 属于存储器检测技术领域。方法步骤如下：(1)准备样品并设置实验装置；(2)样品放置；(3)初始校准；(4)设置偏振方向；(5)测量信号；(6)改变磁场；(7)记录测量结果；...
    2025-11-25
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