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最新专利技术
  • 多通道接收机的分层式腔体屏蔽结构
    多通道接收机的分层式腔体屏蔽结构_西安凌北电子科技有限公司_202511026822.1
    本发明提供多通道接收机的分层式腔体屏蔽结构，涉及接收机技术领域。该多通道接收机的分层式腔体屏蔽结构，包括屏蔽外壳，屏蔽外壳内侧设置有通道腔层，通道腔层下方设置有封闭层，封闭层下方设置有跃迁层，封闭层内侧设置有挤压组件，挤压组件表面设置有封闭...
    2025-11-23
  • 电磁屏蔽膜、线路板
    电磁屏蔽膜、线路板_广州方邦电子股份有限公司_202511109441.X
    本发明涉及电磁屏蔽技术领域，公开了电磁屏蔽膜、线路板，电磁屏蔽膜包括胶膜层、电磁屏蔽层和绝缘层，电磁屏蔽层位于胶膜层的一侧表面，绝缘层位于电磁屏蔽层背离胶膜层的一侧，绝缘层包括绝缘本体和分散在绝缘本体内的第一填料，第一填料具有在第一填料的延...
    2025-11-23
  • 一种自带旋转动力的入板结构
    一种自带旋转动力的入板结构_李国继_202511174761.3
    本发明涉及电子制造技术领域，特别是涉及一种自带旋转动力的入板结构，包括支撑框架，支撑框架的上端设有传送段，传送段包括传送链条，传送链条设置在支撑框架上，支撑框架上设置有用于驱动传动链条运转的驱动组件，支撑框架在传送段入口处转动安装有旋转轴，...
    2025-11-23
  • 一种元器件插接装配设备及方法
    一种元器件插接装配设备及方法_苏州市华研长荣电子科技有限公司_202511396938.4
    本发明提供了一种元器件插接装配设备及方法，其包括：机台及设置于所述机台上的第一上料机构、第二上料机构、传输机构、PCB板固定机构、插接机构及复检相机。本发明通过第一上料机构、第二上料机构配合传输机构中独立分工的第一移料组件与第二移料组件，实...
    2025-11-23
  • 一种PCB板元件贴装压力控制方法、控制装置和设备
    一种PCB板元件贴装压力控制方法、控制装置和设备_苏州锐璟科技有限公司_202510925671.7
    本申请实施例提供了一种PCB板元件贴装压力控制方法、控制装置和设备，该方法包括：S1：获取待贴装PCB板的第一参数信息，所述第一参数信息包括：所述待贴装PCB的弹性模量E和板厚T；S2：获取所述待贴装PCB板的第二参数信息，所述第二参数信息...
    2025-11-23
  • 基于工艺可靠性分析的三维立体电路焊盘设计与组装方法
    基于工艺可靠性分析的三维立体电路焊盘设计与组装方法_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202510928774.9
    本发明涉及电子封装技术领域，旨在解决现有的三维立体电路一体加工成型工艺器件在倾斜平面上安装受重力作用影响焊点的质量和可靠性，影响元器件的组装精度的问题，提供一种基于工艺可靠性分析的三维立体电路焊盘设计与组装方法，包括以下步骤：步骤1：对元器...
    2025-11-23
  • 一种光模块耦合贴装设备及其超高精密触底方法
    一种光模块耦合贴装设备及其超高精密触底方法_武汉飞泰智能设备有限公司_202511056872.4
    本发明公开一种光模块耦合贴装设备的超高精密触底方法，包括：在粗贴平阶段，控制待贴平元件以预贴平高度为起点向下移动，并采用连续采集模式实时监控所述待贴平元件的压力变化量；当所述压力变化量大于预设压力阈值时，控制所述待贴平元件向上移动到第一贴平...
    2025-11-23
  • 一种集成电路贴片机
    一种集成电路贴片机_惠州市兴睿达电子有限公司_202511099271.1
    本发明涉及电路贴片机技术领域，具体为一种集成电路贴片机。包括机架，机架上安装有可三轴移动的移架，移架上转动安装有转位架，转位架上转动套设有主动齿圈，移架上安装有第二视觉探头和两个伺服电机，两个伺服电机的输出轴端分别与转位架和主动齿圈传动连接...
    2025-11-23
  • 一种电子元件加工用贴片机构
    一种电子元件加工用贴片机构_北京富仕森科技有限公司_202511101936.8
    本发明涉及贴片机构技术领域，尤其是一种电子元件加工用贴片机构，包括壳体，所述壳体内设置有机械臂，还包括：连接板，所述连接板固定在机械臂的端部，所述连接板的顶面上开设有条形槽，所述条形槽内插设有输气管，所述输气管的一端与负压设备连接；两个滑块...
    2025-11-23
  • 一种与AOI联动的SMT贴片纠偏系统及其方法
    一种与AOI联动的SMT贴片纠偏系统及其方法_昆山振顺电子科技有限公司_202511023815.6
    本发明提供了一种与AOI联动的SMT贴片纠偏系统及其方法，包括炉前AOI检测模块、炉后AOI检测模块、多维感知模块、智能数据中台模块、AI决策优化模块和工艺仿真验证模块。本发明通过智能数据中台模块融合炉前与炉后AOI检测数据，构建知识图谱关...
    2025-11-23
  • 双基准点矫正方法
    双基准点矫正方法_东莞智熠智能科技有限公司_202511175615.2
    本发明涉及自动插装设备技术领域，具体涉及双基准点矫正方法，该方法通过获取设置于下相机模组上的第一基准点和第二基准点的图像信息，基于第一基准点的图像信息确定上相机对准第一基准点时的实际坐标，并与预设的固定坐标值进行比对，生成坐标系平移校正参数...
    2025-11-23
  • 具有多个层级的高带宽存储器件
    具有多个层级的高带宽存储器件_长江存储科技有限责任公司_202410553471.9
    本公开涉及用于管理具有多个层级的高带宽存储器(HBM)的方法、器件、系统和技术。示例半导体器件包括沿着第一方向堆叠的多个层级的半导体结构、在多个层级的半导体结构之间的多个电介质层、以及沿着第一方向延伸的多组接触结构。多个层级的半导体结构至少...
    2025-11-23
  • 包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法
    包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411240110.5
    本公开涉及包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括设置于一半导体基板中的一字元线结构。该字元线结构包括一较低栅极电极层、一较高栅极电极层、设置于该较高栅极电极层的相对侧上的一对间隔物、和包围该较低栅...
    2025-11-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510062427.2
    可以提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：衬底，包括第一堆叠区域、第二堆叠区域和焊盘区域，焊盘区域在第一水平方向上位于第一堆叠区域和第二堆叠区域之间；多条字线，在第一水平方向上从焊盘区域朝向第一堆叠区域和第二堆叠区域中的每一个延伸，...
    2025-11-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510070649.9
    提供了一种半导体存储器件，包括：衬底，包括堆叠区域，该堆叠区域包括第一阶梯区域和第二阶梯区域，第一阶梯区域和第二阶梯区域在第一水平方向上位于堆叠区域的两端；多条字线，每条字线在堆叠区域中沿第一水平方向延伸；多条位线，在堆叠区域中沿竖直方向延...
    2025-11-23
  • 包含半导体衬底上的栅极结构的设备
    包含半导体衬底上的栅极结构的设备_美光科技公司_202510553261.4
    本公开的一些实施例提供一种设备，所述设备包含半导体衬底上的栅极结构及所述栅极结构的侧壁上的衬层。所述栅极结构的所述侧壁包含第一间隔件及在所述第一间隔件上的第二间隔件。所述第二间隔件的顶部部分低于所述第一间隔件的顶部部分。所述衬层至少覆盖所述...
    2025-11-23
  • 包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法
    包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510662032.6
    本公开涉及包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括设置于一半导体基板中的一字元线结构。该字元线结构包括一较低栅极电极层、一较高栅极电极层、设置于该较高栅极电极层的相对侧上的一对间隔物、和包围该较低栅...
    2025-11-23
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781372.0
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上依次形成多个堆叠子阵列和多个第三隔离层，形成每个堆叠子阵列包括：在电路基板上交替堆叠第一隔离层和叠层，每个叠层依次包括第一导电层、第二隔离层、公共电极层、第二隔离层...
    2025-11-23
  • 半导体存储器设备
    半导体存储器设备_爱思开海力士有限公司_202411770034.9
    一种半导体存储器设备包括第一行的柱结构和第二行的柱结构，第一行的柱结构和第二行的柱结构穿透栅极结构、延伸到源极结构的内部并且彼此相邻。源极结构包括堆叠在第一行的柱结构与第二行的柱结构之间的第一半导体层和第二半导体层，或者源极结构包括在第一行...
    2025-11-23
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510169399.4
    本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极堆叠结构，包括在第三方向上交替堆叠的多个层间绝缘层和多个导电层；沟道塞，形成在单元区域中，沟道塞在第三方向上穿透栅极堆叠结构；以及至少一个支撑结构，形成在接触区域中，至少一个支撑结...
    2025-11-23
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