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最新专利技术
  • 太阳电池及光伏组件
    太阳电池及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510715291.0
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及光伏组件。该太阳电池，包括电池本体、汇流栅线、集电栅线以及搭接段。电池本体具有电池表面；汇流栅线设置在电池表面上，汇流栅线的长度方向为第一方向；搭接段与汇流栅线相交；搭接段连接在集电栅线上；...
    2025-11-22
  • 电池串预焊接结构、电池串及电池串的制备方法
    电池串预焊接结构、电池串及电池串的制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511001982.0
    本申请涉及光伏电池技术领域，提供了一种电池串预焊接结构、电池串及电池串的制备方法。电池串预焊接结构包括若干电池片以及焊带；每相邻两个电池片构成第一电池片与第二电池片，第二电池片的边缘搭接于第一电池片的边缘形成重叠区域；第一电池片的正面还设置...
    2025-11-22
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511064281.1
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：电池本体，具有相对设置的第一面和第二面；第一细栅结构，设于所述第一面，且位于所述中心区域；第二细栅结构，设于所述第一面，且至少位于所述边缘区域；所述第二细栅结构与所述第一细栅结构电...
    2025-11-22
  • 光伏电池片、光伏电池片的制备方法及光伏组件
    光伏电池片、光伏电池片的制备方法及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511440251.6
    本申请关于一种光伏电池片、光伏电池片的制备方法及光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏电池片包括欧姆接触的基片和焊盘组，在同一焊盘组内，焊盘组包括间隔设置的中间焊盘和两个外侧焊盘，中间焊盘位于两个外侧焊盘之间，中间焊盘和外侧焊盘均用于焊接同一条焊...
    2025-11-22
  • 应用于晶硅太阳电池的宽带隙电子选择性接触结构及方法
    应用于晶硅太阳电池的宽带隙电子选择性接触结构及方法_江苏海洋大学_202511037828.9
    本发明公开了应用于晶硅太阳电池的宽带隙电子选择性接触结构及方法，包括超薄钝化层以及沉积在超薄钝化层上方的电子传输层；超薄钝化层由氧化钛、氧化硅或本征非晶硅材料中的一层或叠层结构组成；电子传输层为ZnO/Mg/ZnO纳米叠层；通过简单技术，提...
    2025-11-22
  • 光导开关及其制备方法
    光导开关及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511019689.7
    本发明提供一种光导开关及其制备方法，涉及半导体技术领域。该光导开关包括：晶圆、正面电极、圆环状接触电极、反射介质膜和电镀加厚层；晶圆的上表面设置正面电极；晶圆的下表面设置圆环状接触电极和反射介质膜，且反射介质膜位于圆环状接触电极的圆环内部；...
    2025-11-22
  • 一种用于透明围护结构的调光光伏玻璃及其制备方法
    一种用于透明围护结构的调光光伏玻璃及其制备方法_河南城建学院_202511089336.4
    本发明公开一种用于透明围护结构的调光光伏玻璃及其制备方法，用于透明围护结构的调光光伏玻璃包括功能膜层分别沉积堆叠在同一玻璃基底的上下两面的光伏电池部分和电致变色部分，光伏电池部分包括间隔设置的产能区和透光区，太阳光由光伏电池部分入射，一部分...
    2025-11-22
  • 对接式焊接封装的陶瓷外壳
    对接式焊接封装的陶瓷外壳_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511031651.1
    本发明提供了一种对接式焊接封装的陶瓷外壳，属于陶瓷封装技术领域，包括：具有下腔体的陶瓷下底座、具有上腔体的陶瓷上底座、设置于下腔体内的第一芯片以及设置于上腔体内的第二芯片；陶瓷上底座焊接于陶瓷下底座上构成双层堆叠结构，并使下腔体与上腔体构成...
    2025-11-22
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510962484.6
    本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括硅衬底，硅衬底包括相对的两个表面，至少一个表面上具有第一纹理结构，第一纹理结构为非金字塔纹理结构，包括：多个凹陷部，分别朝向硅衬底的内部凹陷；以及多个凸起部，位于...
    2025-11-22
  • 一种硅片、电池片及光伏组件
    一种硅片、电池片及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511053688.4
    本申请提供了一种硅片、电池片及光伏组件，硅片包括沿硅片厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设有第一凹陷腔，第二表面上设有第二凹陷腔；硅片的总厚度为H0，第一凹陷腔沿硅片厚度方向的深度为H1，第二凹陷腔沿硅片厚度方向的深度为H2；...
    2025-11-22
  • 光伏电池片、光伏组件和光伏系统
    光伏电池片、光伏组件和光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511417470.2
    本发明涉及光伏技术领域，提供一种光伏电池片、光伏组件和光伏系统，光伏电池片包括：硅基体，包括第一表面，第一表面为绒面结构；透光层，填充于绒面结构，沿光伏电池片的厚度方向，第一距离大于第二距离，第一距离为绒面结构的顶部与绒面结构的底部之间的距...
    2025-11-22
  • 一种LED薄膜器件及其制备方法
    一种LED薄膜器件及其制备方法_南昌大学_202511020601.3
    本发明提供一种LED薄膜器件及其制备方法，通过先键合再进行背金蒸发的方式，避免了硅支撑基板蒸发后因翘曲度过大破片问题。通过蒸发多层调节应力的金属层，使得硅支撑基板背面金属对硅支撑基板产生向下的大压应力，以抵消去除外延片的衬底后产生的背向硅支...
    2025-11-22
  • 一种倒装LED芯片的制作方法
    一种倒装LED芯片的制作方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511039667.7
    本发明涉及半导体发光器件制造技术领域，具体为一种倒装LED芯片的制作方法，包括以下步骤：步骤一、在图形化蓝宝石衬底上制作外延层，包括N‑GaN、量子阱、P‑GaN；步骤二、制作MESA蚀刻出N型区域及确定芯片大小和沟道；步骤三、制作ISO将...
    2025-11-22
  • 一种提高载流子复合效率的蓝光LED生长方法
    一种提高载流子复合效率的蓝光LED生长方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511063929.3
    本发明涉及半导体光电技术领域，具体为一种提高载流子复合效率的蓝光LED生长方法，包括如下步骤：S1.与常规蓝光LED制程相一致，在蓝宝石上分别外延Buffer层、3D层、GR层、N‑GaN层。S2.在N‑GaN层后增加一层N‑Al0.2Ga...
    2025-11-22
  • 一种提高LED芯片发光效率的方法
    一种提高LED芯片发光效率的方法_湖南聚石科技有限公司_202511009615.5
    本发明公开了一种提高LED芯片发光效率的方法，包括以下步骤：S1、基于电流密度分布调控注入载流子浓度以优化复合区域分布；S2、根据温度变化动态调整LED芯片的工作电压以维持量子效率稳定；S3、依据外延层材料特性优化光学谐振模式增强光子逃逸率...
    2025-11-22
  • 一种雪崩增强型的无载流子注入式纳米LED
    一种雪崩增强型的无载流子注入式纳米LED_福州大学_202510902238.1
    本发明公开了一种雪崩增强型的无载流子注入式纳米LED，包括：LED包括：第一电极和第二电极；位于第一电极和第二电极之间的绝缘层和衬底层；位于绝缘层和衬底层之间的第一对称结构，第一对称结构依次包括第一n‑GaN层、第一单量子阱雪崩发光结、第一...
    2025-11-22
  • 一种双色混光LED结构及其制备方法
    一种双色混光LED结构及其制备方法_南昌大学_202510837249.6
    本发明公开了一种双色混光LED结构及其制备方法，涉及半导体光电子技术领域，通过在同一外延片上集成两个独立的外延发光单元，实现了芯片级的双色混光，不仅大幅简化了制备工艺，更显著提升了混光均匀性和光色稳定性。双色混光LED结构包括中心区域的第一...
    2025-11-22
  • 发光二极管芯片组、显示背光模组及照明模组
    发光二极管芯片组、显示背光模组及照明模组_纳微朗科技(深圳)有限公司_202510840843.0
    本申请实施例提供一种发光二极管芯片组、显示背光模组及照明模组，涉及半导体技术领域，该发光二极管芯片组产生白光，包括至少一个多波长芯片，多波长芯片中，第一发光层以电致发光的方式产生至少一种波段的光线，并激发第二发光层产生至少两种波段的光线；或...
    2025-11-22
  • 多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组
    多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组_纳微朗科技(深圳)有限公司_202510852965.1
    本申请提供一种多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组，涉及半导体技术领域，该多波长发光二极管芯片将N个发光层层叠设置在N型电极和P型电极之间，利用N型电极和P型电极之间形成电场，通过调控电压/电流来调控发光层发出不同数量的波长的光线，这样...
    2025-11-22
  • 一种双结红外LED外延结构及红外LED芯片
    一种双结红外LED外延结构及红外LED芯片_江西乾照半导体科技有限公司_202511276523.3
    本发明提供了一种双结红外LED外延结构及红外LED芯片，通过在双结红外LED外延结构的两侧表面设置吸光层(第一吸光层、第二吸光层)，吸光层包括AlGaAs/GaAs异质结构，使其带隙能量略低于两个结的有源区所发射的光子能量；基于此，从有源区...
    2025-11-22
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