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最新专利技术
  • 信息提供方法、信息提供程序、存储介质及信息处理装置
    信息提供方法、信息提供程序、存储介质及信息处理装置_本田技研工业株式会社_202480020952.1
    一种向电动自行车(10)的乘员提供信息的信息提供方法，其包括：取得其他车辆位置信息的步骤，该其他车辆位置信息是与不同于电动自行车(10)的其他车辆的当前的地理位置相关的信息；基于所述其他车辆位置信息来生成显示信息的步骤，所述显示信息是用于在...
    2025-11-20
  • 信息处理装置、信息处理系统、信息处理方法和程序
    信息处理装置、信息处理系统、信息处理方法和程序_TDK株式会社_202480019920.X
    实施方式的信息处理装置包括：取得部，其取得包含具有重复的结构的信号分量的对象信号被测量而得的多维的测量信号；和信号处理部，其使用计算模型，对由所述取得部取得的所述测量信号进行规定的信号处理，所述计算模型包含针对所述重复的部分在从所述重复的开...
    2025-11-20
  • 感测装置
    感测装置_株式会社日本制钢所_202380096147.2
    公开了感测装置，包括：第一子基板，其具有设计成输入来自多个第一传感器的信号的第一输入部、设计成去除来自第一输入部的信号中的噪声的低通滤波器、以及设计成将来自低通滤波器的模拟信号转换为数字信号的转换电路；第二子基板，其具有设计成输入来自多个第...
    2025-11-20
  • 测量装置
    测量装置_横河电机株式会社_202480020078.1
    根据本公开的测量装置1是用于测量流动通道F中流动的流体的流量的测量装置1，该测量装置1包括：分别布置在流动通道F中的多个位置处的多个压力传感器10；被配置为向每个压力传感器10提供公共电压基准的单个基准电源20；被配置为公共地对从每个压力传...
    2025-11-20
  • 流量测定装置
    流量测定装置_安斯泰莫株式会社_202380095519.X
    本发明提供一种流量测定装置，即使被测定气体的通路宽度因模具的脱模斜度而扩大，也能够抑制流量检测精度的降低。流量测定装置(150)的测定通路(157)包括：底壁(157b)，其使热式流量计(151)的流量检测面(151b)露出；侧壁(157w...
    2025-11-20
  • 用于传感器的电接触的装置和方法
    用于传感器的电接触的装置和方法_罗伯特·博世有限公司_202480015967.9
    本发明涉及一种用于在两个彼此成角度(尤其成直角)布置的孔(4、5)的孔交叉部(3)的区域内对传感器(1)、尤其温度传感器电接触的装置，孔交叉部构造在阀块(2)内，该装置包括：用于插入一个孔(4)中的插头(6)，插头(6)在周向区域中具有裸露...
    2025-11-20
  • 用于确定与静态电感应装置组件相关的温度信息或与温度信息相关的信息的方法
    用于确定与静态电感应装置组件相关的温度信息或与温度信息相关的信息的方法_日立能源有限公司_202480020598.2
    本发明涉及一种用于确定与静态电感应装置组件(10)相关的温度信息或与温度信息相关的信息的方法。静态电感应装置组件(10)沿竖直方向(z)具有竖直延伸部。该方法包括：针对静态电感应装置部分(20)执行以下各者：‑确定热损耗值(Q)，该热损耗值...
    2025-11-20
  • 压力测量单元
    压力测量单元_瑞士富巴自动化控制股份有限公司_202480019840.4
    描述了一种压力测量单元(5)，其包括支承主体(5.3)、测量电路(5.1)和由支承主体支承的膜(5.2)，所述测量电路包括连接在惠斯通电桥电路中的多个应变敏感电阻器(R1a、R1b、R2、R3、R4a、R4b)，其中，所述测量电路包括温度平...
    2025-11-20
  • 磁致伸缩式转矩传感器
    磁致伸缩式转矩传感器_日本精工株式会社_202480018091.3
    课题为良好地确保绕线管与磁性体环的同轴性，并且与温度变化无关地充分确保该绕线管与该磁性体环的结合强度。[解决手段]磁致伸缩式转矩传感器(1)具备：绕线管(3)，其具有配置于旋转轴(2)的周围的绕线管侧筒部(7)、圆筒面状的绕线管侧嵌合面(8...
    2025-11-20
  • 光脉冲测试器
    光脉冲测试器_横河电机株式会社_202480014430.0
    光脉冲测试器10用作能够测量光纤1的状况的光时域反射仪(OTDR)。光脉冲测试器10包括：激光元件121，其生成入射到光纤1的光脉冲；感光器123，其检测来自光纤1的反射光；光强度调节器13，其能够调节光脉冲和反射光的光强度；以及控制器16...
    2025-11-20
  • 舒适性确认用人体假人
    舒适性确认用人体假人_株式会社佳思特_202480020706.6
    舒适性确认用人体假人具备：由树脂材料成型的骨骼部；由与所述树脂材料不同的材料形成、并包围所述骨骼部外周的肉质部；以及配置在所述肉质部表面侧的皮肤部，其中，所述骨骼部，根据骨的部位由不同的树脂材料成型，具有基于人体数据进行了国际标准化的碰撞安...
    2025-11-20
  • 电磁波测量装置、电磁波测量方法、电磁波测量程序
    电磁波测量装置、电磁波测量方法、电磁波测量程序_住友重机械工业株式会社_202480016767.5
    电磁波测量装置(1)具备：电磁波照射部(21和/或31)，对样品(S)照射太赫兹波等电磁波；电磁波检测部(22和/或32)，检测来自样品(S)的太赫兹波等电磁波；识别部(51和/或52)，根据由电磁波检测部(22和/或32)检测出的太赫兹波...
    2025-11-20
  • 辐射吸收气体分析仪和气体分析方法
    辐射吸收气体分析仪和气体分析方法_英福康有限责任公司_202480020940.9
    本发明涉及一种气体分析仪，具有第一气体入口(28)、第二气体入口(30)、第一测量池(12)和第二测量池(14)，第一测量池(12)设置有第一辐射源(16)和第一辐射检测器(20)，使得第一辐射源(16)发射的辐射穿透第一测量池(12)并被...
    2025-11-20
  • 具有竖向间隔开的热结构的基于MEMS的流体传感器
    具有竖向间隔开的热结构的基于MEMS的流体传感器_哈恩-席卡德应用研究学会_202480017292.1
    本发明涉及一种热流体传感器(1)，该热流体传感器包括：具有孔(19)的膜(7)；加热元件(9)；以及温度传感器(11)。加热元件(9)和温度传感器(11)被定位成使得能够基于加热元件(9)和温度传感器(11)之间的热流的调制来对流过孔(19...
    2025-11-20
  • 用于组织的组织学评估的光子吸收遥感系统
    用于组织的组织学评估的光子吸收遥感系统_易路美索尼克股份有限公司_202480020527.2
    成像装置可以用于组织样品的组织学和/或分子成像。成像装置可以包括：一个或多个光源，所述一个或多个光源生成一个或多个激发光束，所述一个或多个激发光束指向聚焦在所述样品上的激发位置，以在所述样品中生成信号；以及一个或多个询问光束，所述一个或多个...
    2025-11-20
  • 检查装置及检查方法
    检查装置及检查方法_株式会社富士_202380096098.2
    本公开的检查装置是对具有孔部的对象物照射光来进行检查的检查装置，上述检查装置具备：存储部，存储包含反射光区域的信息及/或基准孔面积的信息的区域信息，上述反射光区域是对处于预定的基准状态的上述对象物进行拍摄而得到的基准图像中被作为上述对象物的...
    2025-11-20
  • 安装基板的异常推定系统以及机器学习方法
    安装基板的异常推定系统以及机器学习方法_雅马哈发动机株式会社_202380096270.4
    安装基板的异常推定系统具有能够显示图像的显示部。异常推定系统具备：拍摄部，拍摄安装有元件的安装基板；检查部，使用推理模型来进行所述拍摄部拍摄到的所述安装基板的异常的推定；学习部，通过将所述拍摄部拍摄到的所述安装基板的图像和该安装基板的优劣判...
    2025-11-20
  • 工件外观检查装置以及方法
    工件外观检查装置以及方法_株式会社东京精密_202480020201.X
    [问题]提供一种工件外观检查装置及方法，其能够准确且高效地进行工件的外观检查。[解决方案]工件外观检查装置1包括：工作盘2，该工作盘2用于载置工件W；照相机4A、4B、4C，该照相机4A、4B、4C用于拍摄工件W的被加工面Wa；第一滑动机构...
    2025-11-20
  • 用于同步测量的分子旋转共振光谱仪和其使用方法
    用于同步测量的分子旋转共振光谱仪和其使用方法_布赖特斯佩克股份有限公司_202480024753.8
    分子旋转共振(MRR)光谱学是一种结构特异性的高分辨率光谱学技术，可以鉴定无法用其它分析技术分辨的化学物种，包括对映异构体。在MRR光谱学测量中，将气相样品注入到真空室中，在所述真空室中，用毫米波或微波辐射激励所述气相样品，并且作为响应，所...
    2025-11-20
  • 电极
    电极_日东电工株式会社_202480016340.5
    电极(1)朝向厚度方向一侧依次具备基材膜(2)、第1基底层(3)、第2基底层(4)、和导电性碳层(5)，第1基底层(3)为金属层或半金属层，第2基底层(4)为金属层，第1基底层(3)的比电阻为第2基底层(4)的比电阻的10倍以上。
    2025-11-20
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