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最新专利技术
  • 一种IGBT的故障识别和定位方法、系统及设备
    一种IGBT的故障识别和定位方法、系统及设备_中南大学_202511043311.0
    本发明属于IGBT的故障识别领域，具体涉及一种IGBT的故障识别和定位方法、系统、设备及储存介质，将检测信号和观测信号进行互相关运算，得到第一时延，将检测信号与混合反射信号做互相关运算，得到第二时延，根据第一时延和第二时延计算得到初始时延，...
    2026-02-11
  • 基于基板壳温分布与神经网络模型的IGBT模块状态评估方法
    基于基板壳温分布与神经网络模型的IGBT模块状态评估方法_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511050965.6
    本发明涉及功率器件老化状态评估技术领域，公开了基于基板壳温分布与神经网络模型的IGBT模块状态评估方法，包括：采集IGBT模块在不同工况下芯片损耗与结温、焊料老化水平、壳温分布以及环境温度数据，通过预处理剔除异常值；对预处理的壳温分布数据进...
    2026-02-11
  • 智能功率模块中IGBT关键电参数测试装置及测试方法
    智能功率模块中IGBT关键电参数测试装置及测试方法_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511108934.1
    本申请提供了一种智能功率模块中IGBT关键电参数测试装置及测试方法，所述测试装置包括：模块供电单元，用于为所述高侧驱动器和低侧驱动器提供驱动电源；高侧悬浮供电单元，用于替代高侧驱动器中的自举电路以提供外部持续辅助电源；信号驱动单元，用于实现...
    2026-02-11
  • 一种双自动恒温压力测试夹具的检测方法
    一种双自动恒温压力测试夹具的检测方法_杭州西风半导体有限公司_202511160765.6
    本发明适用于半导体器件检测技术领域，提供了一种双自动恒温压力测试夹具的检测方法，旨在解决现有晶闸管压力测试中温度控制精准度不足、压力调节稳定性差、测试流程固定及数据诊断能力弱等问题，该方法包括夹具准备与参数初始化、双区动态温控、压力实时反馈...
    2026-02-11
  • 一种批量MOS管的性能检测方法及装置
    一种批量MOS管的性能检测方法及装置_杭州三海电子科技股份有限公司_202511161635.4
    本发明公开了一种批量MOS管的性能检测方法及装置，其中方法包括：对批量MOS管中的每个MOS管进行标准出厂检测，获取各MOS管的基础特性数据；根据各MOS管的基础特性数据对批量MOS管进行分类，获取多个MOS管集群；确定各所述MOS管集群的...
    2026-02-11
  • 一种磁性二极管测试装置
    一种磁性二极管测试装置_无锡昌鼎电子有限公司_202511189283.3
    本发明属于磁性二极管测试领域，具体为一种磁性二极管测试装置，包括固定板和磁性二极管本体，所述固定板上安装有定位上料组件，所述固定板的顶端面上固定连接有橡胶框，所述固定板上安装有自动防护组件，所述固定板上安装有高效降温组件，所述定位上料组件包...
    2026-02-11
  • 一种SiC功率器件在线结温估算方法
    一种SiC功率器件在线结温估算方法_江苏金脉电控科技有限公司_202511189727.3
    本发明涉及电力电子技术领域，且公开了一种SiC功率器件在线结温估算方法，包括存储单元，用于在SiC功率模块下线时，预先标定并存储温度与导通电阻Rdson的关系曲线或表格；Vdson采样模块，用于实时采集SiC功率模块的导通压降Vdson；电...
    2026-02-11
  • 一种半导体器件高温漏电检测装置及方法
    一种半导体器件高温漏电检测装置及方法_华羿微电子股份有限公司_202511215924.8
    本申请公开一种半导体器件高温漏电检测装置及方法，涉及半导体器件检测技术领域，能够实现高温环境下半导体功率器件的漏电检测，进而能够提高功率器件的稳定性。装置包括：一个稳压电源和测试电路，稳压电源用于为测试电路供电，测试电路置于高温烘箱中；测试...
    2026-02-11
  • 一种动态栅极电压可靠性评估方法及装置
    一种动态栅极电压可靠性评估方法及装置_深圳市金凯博自动化测试有限公司_202511259159.X
    本发明涉及动态栅极电压可靠性评估技术领域，具体公开一种动态栅极电压可靠性评估方法及装置，包括：测试配置指令生成、器件安装与初始测试、电压扫描监测、异常检测与故障响应、自动弹射隔离、电路重组与切换、测试数据集生成和评估终止与报告生成；本发明通...
    2026-02-11
  • 一种测试电路板及其控制方法
    一种测试电路板及其控制方法_南京南瑞继保电气有限公司_202511307004.9
    本申请公开了一种测试电路板及其控制方法，属于功率半导体器件测试技术领域，包括：信号接收模块，信号接收模块的输出端连接于开关模块；电源模块，电源模块的供电端连接于开关模块；接口模块，开关模块的输出端与接口模块连接；其中，电源模块包括第一电源子...
    2026-02-11
  • 一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统
    一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统_广东仁懋电子有限公司_202511406645.X
    本申请提供一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统，涉及半导体测试领域，从动态响应数据中分离出非线性扰动分量；基于非线性扰动分量构建链路传输补偿函数，通过链路传输补偿函数和动态响应数据确定动态特性参数；对动态特性参数进行多维频谱解析，得到高频...
    2026-02-11
  • 进位链校准方法、装置、时间测量单元和设备
    进位链校准方法、装置、时间测量单元和设备_杭州长川科技股份有限公司_202511446150.X
    本申请涉及一种进位链校准方法、装置、时间测量单元和设备。所述方法包括：获取进位链的比特输出序列；对所述比特输出序列进行分段得到若干待处理分段；从各所述待处理分段中筛选目标分段，并统计所述目标分段中各比特进位输出为1的次数；基于各所述目标分段...
    2026-02-11
  • 一种主板的测试系统
    一种主板的测试系统_广州视源电子科技股份有限公司_202410583924.2
    本发明提供一种主板的测试系统，该测试系统包括：外部设备、PC主板、背光供电电路和交流转直流电路，外部设备包括存储板或控制设备。PC主板分别电连接外部设备、背光供电电路的控制端和交流转直流电路的控制端，交流转直流电路的输入端用于电连接交流电源...
    2026-02-11
  • 一种GEO星地双基地SAR成像处理方法
    一种GEO星地双基地SAR成像处理方法_北京理工大学_202510758672.7
    本发明属于合成孔径雷达技术领域，尤其涉及一种GEO星地双基地SAR成像处理方法。具体过程为：步骤1，获取GEO星地双基地SAR系统的相关参数，估计直达波参数信息；步骤2，利用所述参数信息判断GEO SAR的开机时间，获取回波通道的雷达数据，...
    2026-02-11
  • 一种电路板漏锡检测方法、装置、设备及存储介质
    一种电路板漏锡检测方法、装置、设备及存储介质_联宝(合肥)电子科技有限公司_202510933396.3
    本公开提供了一种电路板漏锡检测方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：基于电气属性参数将电路板上的待检测孔分类为至少两类检测对象；以所述待检测孔的几何边界为基准扩展预设距离形成检测区域，并筛选所述检测区域内的目标检测元素；基于所述待检测孔...
    2026-02-11
  • 半导体芯片缺陷检测定位方法及系统
    半导体芯片缺陷检测定位方法及系统_星云量科(北京)科技发展有限公司_202511024090.2
    本发明提供半导体芯片缺陷检测定位方法及系统，涉及半导体芯片检测技术领域，包括获取原始图像及电学测试数据；基于局部密度分析形成缺陷候选区域；对电学数据执行变分模态分解并标记电特性异常点；将图像特征映射至电特性空间并计算互信息值确定缺陷点；计算...
    2026-02-11
  • 一种适用于硅基毫米波裸片的通用化测试装置及方法
    一种适用于硅基毫米波裸片的通用化测试装置及方法_中国电子科技集团公司第十研究所_202511041375.7
    本发明提供了一种适用于硅基毫米波裸片的通用化测试装置，包括PCB测试子板与PCB测试母板，其中，PCB测试子板上表面贴装硅基毫米波裸芯片，下表面设置有多个弹簧针接触点；PCB测试母板包括芯片测试所需的所有元器件，同时上表面焊接有多个弹簧针，...
    2026-02-11
  • 一种基于ATE平台的芯片测试方法
    一种基于ATE平台的芯片测试方法_广西机电职业技术学院_202511079064.X
    本发明提供一种基于ATE平台的芯片测试方法，涉及芯片制造与测试技术领域。该方法创新性地整合多种先进测试技术和智能算法，通过智能环境调控系统精准控制测试环境参数，协同测试引擎高效处理射频及数字信号，测试执行流利用芯片内置Loopback功能与...
    2026-02-11
  • 一种芯片测试插座及其测试方法
    一种芯片测试插座及其测试方法_苏州法特迪科技股份有限公司_202511091621.X
    本申请公开了一种芯片测试插座及其测试方法，涉及芯片老化测试技术领域，其包括可开合式控温压盖和承载底座，控温压盖包括冷却座以及多个间隔设置的温度传感器，承载底座上放置有待测芯片，冷却座与待测芯片上端面相抵，温度传感器穿过冷却座后与待测芯片上端...
    2026-02-11
  • 一种可避免误判的基于分压器的TSV键合后检测架构
    一种可避免误判的基于分压器的TSV键合后检测架构_西安电子科技大学_202511098714.5
    本发明涉及一种可避免误判的基于分压器的TSV键合后检测架构，包括：检测电路信号控制器、若干TSV检测电路群、若干检测电路输出结果比较器群和若干检测结果输出结构。本发明的检测架构在TSV检测电路群中采用多个晶体管与待检测TSV形成分压结构，通...
    2026-02-11
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