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最新专利技术
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411190072.7
    本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置可以包括：外围电路；位于外围电路上的第一栅极结构；位于与第一栅极结构对应的层级处的第一层叠；位于第一栅极结构上的源极接合结构；位于第一层叠上的第一接触接合结构；穿过第一栅极结构延伸到源...
    2025-11-23
  • 一种三维电感器及其制造方法
    一种三维电感器及其制造方法_江南大学_202510909907.8
    本发明公开了一种三维电感器及其制造方法，属于电感制造领域。所述三维电感器包括：由硅和玻璃构成的复合载体；位于所述玻璃内的空腔；贯穿所述玻璃的悬空三维通孔结构；所述复合载体上下表面设置的金属线路，所述金属线路通过所述悬空三维通孔结构形成三维螺...
    2025-11-23
  • 一种提升初始态极化强度的铁电电容器及制备方法和应用
    一种提升初始态极化强度的铁电电容器及制备方法和应用_复旦大学_202511094752.3
    本发明属于微电子领域，具体涉及一种提升初始态极化强度的铁电电容器及制备方法和应用，铁电电容器包括由底至顶依次层叠的衬底、底电极、超薄铁电介质层和顶电极；超薄铁电介质层为Hf1‑xZrxO2薄膜，0
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411936758.6
    一种半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极、以及在下电极和上电极之间的介电层，其中，下电极和上电极中的至少一个包括纳米层压电极，其中，纳米层压电极包括交替布置的多个第一材料层和多个第二材料层，其中，多个第一材料层包括氧化铟(In2...
    2025-11-23
  • 一种提高Cu MIM电容TDDB的结构及方法
    一种提高Cu MIM电容TDDB的结构及方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969329.7
    本发明公开了一种提高Cu MIM电容TDDB的结构及方法，所述的MIM电容包含上下金属极板以及位于所述上下金属极板之间的介质层；所述的介质层为复合层，包含位于下层的氮化硅层和位于上层的氧化层。本发明通过在传统的介质层SiN上额外淀积一层AL...
    2025-11-23
  • 防止MIM电容ZrO2介质层结晶的方法
    防止MIM电容ZrO2介质层结晶的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049743.2
    本发明公开了一种防止MIM电容ZrO2介质层结晶的方法，所述的MIM电容的介质层为AL2O3/ZrO2/Al2O3叠层膜，在一个反应腔室内部完成所述叠层膜的沉积；在所述叠层膜的第一层Al2O3形成后，引入常温的O3对晶圆表面进行处理；通入的...
    2025-11-23
  • MIM电容器制造方法
    MIM电容器制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049902.9
    本申请公开了一种MIM电容器制造方法，包括：提供一基底，基底中形成有下极板层；沉积介质层覆盖基底和下极板层暴露的区域；沉积第一上极板层覆盖介质层；在第一上极板层上覆盖光刻胶，依次通过曝光和显影，去除第一目标区域的光刻胶；进行刻蚀，刻蚀形成凹...
    2025-11-23
  • 一种低反向漏电氧化镓基肖特基势垒二极管及其制备方法
    一种低反向漏电氧化镓基肖特基势垒二极管及其制备方法_复旦大学_202510836054.X
    本发明公开了一种低反向漏电氧化镓基肖特基势垒二极管及其制备方法，应用于高耐压情景中，该方法包括：准备一氧化镓衬底；在氧化镓衬底上生长标记层；利用离子注入机进行N离子注入形成箱型分布；接着，将样品送入管式炉中，在氮气氛围中退火；再将完成退火的...
    2025-11-23
  • 一种具有扩散阻挡结构的氧化镓肖特基二极管
    一种具有扩散阻挡结构的氧化镓肖特基二极管_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510976898.4
    本发明公开了一种具有扩散阻挡结构的氧化镓肖特基二极管。氧化镓肖特基二极管包括衬底层、导电层、扩散阻挡层、漂移层、第一电极和第二电极。导电层设置在衬底层上，导电层由重掺杂的α‑Ga2O3薄膜组成；扩散阻挡层覆盖部分导电层，扩散阻挡层由Al2O...
    2025-11-23
  • 改善SEG内外基区连接及填充的方法
    改善SEG内外基区连接及填充的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510956916.2
    本申请公开了一种改善SEG内外基区连接及填充的方法，包括提供一晶圆衬底；在晶圆衬底表面形成外延站点区域，外延站点区域包括外基区和内基区，外基区与内基区均开设有开口，外基区与内基区的开口连通呈倒“T”字型；形成外延层填充内基区，外延层形成过程...
    2025-11-23
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_株式会社村田制作所_202510579985.6
    本发明提供能抑制基极电阻上升且不与发射极台面交叉地将基极电极与周围布线连接的半导体装置及其制造方法。在含有第1导电型化合物半导体的集电极层的朝向第1方向的表面配置含有与第1导电型相反的第2导电型化合物半导体的基极层。在基极层的朝向第1方向的...
    2025-11-23
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_株式会社村田制作所_202510579986.0
    本发明提供可提高集电极电流的电流密度的、集电极台面内的面内的均匀性的半导体装置和半导体装置的制造方法。在含有第1导电型的化合物半导体的发射极层的朝向第1方向的表面配置有基极层，该基极层含有与第1导电型相反的第2导电型的化合物半导体，与发射极...
    2025-11-23
  • 一种具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件及其制备方法
    一种具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件及其制备方法_电子科技大学重庆微电子产业技术研究院_202511106797.8
    本发明涉及功率半导体器件领域，特别涉及一种具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件及其制备方法，所述具有浮空P区和L型栅极结构的高压IGBT器件包括：重掺杂区域P区、场阻止区、N漂移区、N+发射极区、Pbody区、CS区、JFET区、F...
    2025-11-23
  • 超结绝缘栅双极型晶体管
    超结绝缘栅双极型晶体管_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511122752.X
    本申请实施例提供一种超结绝缘栅双极型晶体管。该晶体管包括位于中心的元胞区，以及位于元胞区外围的终端区，终端区对应的外延区中形成有并列排布的多组柱区，柱区的导电类型与外延区的导电类型相反，柱区沿外延区的厚度方向延伸，各组内各柱区的延伸深度一致...
    2025-11-23
  • IGBT器件的制备方法
    IGBT器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511050329.3
    本申请公开了一种IGBT器件的制备方法，包括：衬底、层间介质层、金属阻挡层和金属层、第一钝化层、和第二钝化层，以及合金处理衬底及半导体器件区域。本申请通过在光刻刻蚀后的合金化处理释放半导体器件内部的应力，解决了相关技术中无硼磷硅玻璃的IGB...
    2025-11-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410566223.8
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于部分所述基底上的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅极，所述伪栅极位于部分所述鳍部侧壁和顶部表面，所述伪栅极包括主体区和转角区，所述主体区的侧壁表面垂直于所述鳍部的侧壁表面，所述转角区...
    2025-11-23
  • 半导体装置的制法及其制品
    半导体装置的制法及其制品_阙郁伦_202510231232.6
    一种半导体装置，包括一半导体基板单元、一层形成在该半导体基板单元上并由一过渡金属二硫族化物所构成的二维材料层、两个单晶体，及两金属电极层。所述单晶体间隔地位在该二维材料层之上。各个单晶体是由一第一金属材料所构成或是一由该第一金属材料与一第二...
    2025-11-23
  • 用于形成半导体器件的方法、以及半导体结构
    用于形成半导体器件的方法、以及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202510987524.2
    本公开的方法包括：形成包括由牺牲层交错的沟道层的堆叠件；图案化堆叠件以形成鳍状结构；在鳍状结构的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件；使鳍状结构的源极/漏极区域凹陷以形成沟槽；去除沟道区域中的牺牲层以释放作为沟道构件的沟道层；形成填充沟道构件之间的...
    2025-11-23
  • 用于制造多栅极器件的方法、以及多栅极器件结构
    用于制造多栅极器件的方法、以及多栅极器件结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996403.4
    本文公开了使用伪氧化物中介层制造多栅极晶体管的方法。示例性方法包括形成多层堆叠件，多层堆叠件包括第一半导体层、牺牲半导体层和衬底延伸件。通过去除源极/漏极区域中的第一半导体层、牺牲半导体层和衬底延伸件的部分来形成源极/漏极凹槽，以及在源极/...
    2025-11-23
  • 基于HVPE源漏再生长的GaN HEMT制备方法
    基于HVPE源漏再生长的GaN HEMT制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511004608.6
    本发明公开了一种基于HVPE源漏再生长的GaN HEMT制备方法，包括：在衬底表面上形成GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，在GaN沟道层和AlN插入层之间形成有二维电子气沟道；沉积SiN掩膜层并定义源漏...
    2025-11-23
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