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最新专利技术
  • 金属硅化物的制备方法
    金属硅化物的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511064332.0
    本发明提供一种金属硅化物的制备方法，在已形成源极/漏极区的衬底上，依次沉积第一介质层和第二介质层；形成光刻胶图案，光刻胶图案覆盖衬底的预定非硅化物形成区域，并暴露出预定硅化物形成区域；蚀刻去除预定硅化物形成区域的第二介质层；对预定硅化物形成...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202411867475.0
    提供了一种图像传感器。图像传感器包括第一衬底、设置在第一衬底中的第一浮置扩散区域、设置在第一衬底上的源极跟随器栅电极、以及在第一衬底中设置在源极跟随器栅电极的一侧且与第一浮置扩散区域间隔开的第一源极区域，其中，在俯视图中，第一源极区域包括邻...
    2025-11-23
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_惠科股份有限公司_202511072333.X
    本申请属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器，阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第一钝化层和第二金属层，第一金属层形成在衬底基板一侧，栅极绝缘层和有源层依次形成在第一金属层远离衬底基板一侧，第一钝化层...
    2025-11-23
  • 太阳电池对位点的制备方法、太阳电池及其制备方法
    太阳电池对位点的制备方法、太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410547959.0
    本申请涉及一种太阳电池对位点的制备方法、太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池对位点的制备方法包括如下步骤：提供一硅衬底，第一表面上依次层叠设置有隧穿氧化层、掺杂硅材料层和氧化层；在氧化层上通过第一激光刻蚀于预设区域形成凹槽，凹槽沿氧化层的...
    2025-11-23
  • 一种IBC电池及其制备方法
    一种IBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410569664.3
    本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例中，在形成n型掺杂区域之前，先通过印刷阻挡浆料对p型掺杂区域形成刻蚀阻挡作用，使得能够通过碱刻蚀形成n型掺杂区域；而在形成n型掺杂区域后，通过印刷阻挡浆料对n型掺杂区域形成刻蚀...
    2025-11-23
  • 硅片的清洗方法、太阳电池和光伏组件
    硅片的清洗方法、太阳电池和光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202410583152.2
    本申请提供了一种硅片的清洗方法、太阳电池和光伏组件，其中，硅片的清洗方法包括：对碱抛后的硅片进行第一清洗处理，以去除硅片表面的添加剂；对第一清洗处理后的硅片进行第二清洗处理，以去除在第一清洗处理过程中形成于硅片的第一氧化层；对进行第二清洗处...
    2025-11-23
  • 补串排版机及其补串排版方法
    补串排版机及其补串排版方法_苏州德睿联智能装备科技有限公司_202510970900.7
    本申请公开了一种补串排版机及其补串排版方法，补串排版机包括：机体；排版输送线；料盒装置，料盒装置上设有多个电池串放置位，电池串放置于电池串放置位上；机器人，机器人包括机器人主体及吸附机械手，吸附机械手与机器人主体相连，机器人通过吸附机械手吸...
    2025-11-23
  • 一种BC电池光伏组件封装设备
    一种BC电池光伏组件封装设备_杭州唐能能源科技有限公司_202510972450.5
    本申请属于电池封装装置技术领域，公开了一种BC电池光伏组件封装设备，包括上料架、设置于上料架一侧的翻转架、设置于翻转架远离上料架一侧的封装机架以及设置于封装机架远离上料架一侧的底座，上料架上设置有用于将组装好的N型硅片与背银电极向翻转架输送...
    2025-11-23
  • 提高碲镉汞芯片欧姆孔和金属电极成型腐蚀一致性的方法
    提高碲镉汞芯片欧姆孔和金属电极成型腐蚀一致性的方法_昆明物理研究所_202511015470.X
    本发明公开了一种提高碲镉汞芯片欧姆孔和金属电极成型腐蚀一致性的方法，该方法通过在干法刻蚀和湿法腐蚀间，加入氧等离子体处理步骤，使光刻胶及碲镉汞等材料表面形成羟基(‑OH)和羧基(‑COOH)等亲水性官能团，促使表面亲水性增强，从而增强腐蚀液...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池制备方法及太阳能电池_广东爱旭科技有限公司_202511085228.X
    本发明公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，属于新能源电池技术领域。该太阳能电池制备方法包括如下步骤：采用喷墨打印技术将与太阳能电池片表面膜色相同的墨水打印在太阳能电池片的正面；对所述太阳能电池片上的墨水进行固化处理，以使其固化形成具有...
    2025-11-23
  • 一种TBC电池及其制备方法
    一种TBC电池及其制备方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202511091806.0
    一种TBC电池及其制备方法，制备方法的步骤为：在抛光后的硅片背面制备第一隧穿氧化层及本征多晶硅层；在本征多晶硅层喷墨打印叉指状间隔分布的磷源和硼源，烘干后沉积掩膜；先对硅片高温退火得磷掺杂多晶硅层，为N发射极；再激光扫描硼源退火得硼掺杂多晶...
    2025-11-23
  • 一种TOPCon电池制备方法
    一种TOPCon电池制备方法_合肥大恒智慧能源科技有限公司_202511093372.8
    本发明提供一种TOPCon电池制备方法，包括以下步骤：S1、对N型硅进行双面碱制绒，形成倒金字塔织构结构，之后使用高温炉管进行B扩散，形成P+层，而后经过链式酸洗和槽式碱洗。本发明提供的一种TOPCon电池制备方法，通过激光减薄非栅线区域p...
    2025-11-23
  • 一种智能贴汇流条机
    一种智能贴汇流条机_镇江浩博智能装备有限责任公司_202511126134.2
    本发明涉及光伏设备技术领域，具体涉及一种智能贴汇流条机。其主要针对于更换烟气过滤层需要暂停冷却工作和焊接工作才可进行，通气管的内壁会产生烟灰问题，提出如下技术方案，包括：支撑桌、固定连接在支撑桌上的电动推杆、固定连接在电动推杆活塞杆端部的吸...
    2025-11-23
  • 一种XBC太阳能电池正面防划伤的处理装置
    一种XBC太阳能电池正面防划伤的处理装置_安徽旭合新能源科技有限公司_202511131440.5
    本发明公开了一种XBC太阳能电池正面防划伤的处理装置，包括输送装置与印胶装置，输送装置上滑动设置有抹平杆，还包括滑动架，滑动架上固定设置有横向杆，横向杆通过滑动对电池片的横向位置进行矫正，横向杆上固定设置有导向杆，导向杆上滑动且转动设置有纵...
    2025-11-23
  • 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
    太阳能电池的制备方法和太阳能电池_天合光能股份有限公司_202511198076.4
    本申请提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，属于光伏技术领域，制备方法包括：提供衬底，具有相对的第一面和第二面；在第一面上形成第一掺杂层；在第二面上依次形成隧穿层和第二掺杂层，第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型相反；在第一掺杂...
    2025-11-23
  • 硅片钝化机构及硅片生产装置
    硅片钝化机构及硅片生产装置_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511304239.2
    本发明涉及硅片制造设备技术领域，公开了一种硅片钝化机构及硅片生产装置，硅片钝化机构包括机架、第一吸附组件、第二吸附组件、第一驱动模块、钝化模块和第二驱动模块；第一吸附组件和第二吸附组件分别用于吸附第一硅片和第二硅片；第一驱动模块与机架连接，...
    2025-11-23
  • 光伏电池的制备方法、光伏电池、叠层电池及光伏组件
    光伏电池的制备方法、光伏电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511452845.9
    本申请涉及一种光伏电池的制备方法、光伏电池、叠层电池及光伏组件。光伏电池的制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底上进行功能层制备，形成电池中间体，其中，所述电池中间体上设置有表面钝化层，所述表面钝化层设置有开窗区域；在所述表面钝化层上沉积第一...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511460275.8
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及太阳能电池及其制备方法，其中，太阳能电池的制备方法包括步骤：提供电池片，所述电池片具有相背设置的第一表面和第二表面，在第一表面先后进行第一道印刷、第二道印刷和第三道印刷；第一道印刷包括主栅线的印刷；第二...
    2025-11-23
  • 具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法
    具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法_江苏林洋太阳能有限公司_202511460485.7
    本发明公开了一种具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法，它包括：在N型单晶硅片的表面形成硼掺杂发射极；在硅片背表面的部分区域进行消融处理，形成凹陷结构；对硅片背表面进行抛光刻蚀以形成多个图形化结构；硅片背面制备隧穿氧化层和磷掺杂...
    2025-11-23
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510926271.8
    本发明公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以提高第二掺杂半导体层在凹槽侧面的钝化效果，降低凹槽侧面的载流子复合速率。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。半导体基底第一面的第二区域的表面相对于第一区域和第...
    2025-11-23
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