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最新专利技术
  • 一种PbS-EDT量子点空穴传输层及其制备方法、应用
    一种PbS-EDT量子点空穴传输层及其制备方法、应用_安徽量芯光电科技有限公司_202511043600.0
    本发明公开了一种PbS‑EDT量子点空穴传输层及其制备方法、应用，所述制备方法，包括以下步骤：(1)将PbS‑OA量子点配制成PbS‑OA量子点溶液；将1, 2‑乙二硫醇溶解在二氯甲烷、异丙醇和乙腈组成的混合溶剂中得到溶液1，将PbCl2溶...
    2025-11-23
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511056048.9
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池的制备方法包括：将二价阳离子卤化物在第一温度下加热熔融，使二价阳离子卤化物处于固液混合状态；将二价阳离子卤化物降温至第二温度，第二温度为能够使二价阳离子卤化物维持固液混合状态的最低温...
    2025-11-23
  • 一种组分梯度渐变分布的微型钙钛矿薄膜及其制备方法
    一种组分梯度渐变分布的微型钙钛矿薄膜及其制备方法_东南大学_202511097519.0
    本发明公开了一种组分梯度渐变分布的微型钙钛矿薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：制备钙钛矿前驱体薄膜；将PET覆盖在钙钛矿前驱体薄膜需要形成组分渐变的部位，然后在PET上和钙钛矿前驱体薄膜部分表面覆盖硅胶，得到前驱体薄膜@掩膜，再放置在...
    2025-11-23
  • 一种具有面外铁电的二维杂化钙钛矿纳米片及其制备方法和应用
    一种具有面外铁电的二维杂化钙钛矿纳米片及其制备方法和应用_湖南大学_202511487498.3
    本发明公开了一种具有面外铁电的二维杂化钙钛矿纳米片及其制备方法和应用。该纳米片的制备过程为：将包括碘化铅，苯乙基碘化胺和甲眯氢碘酸盐在内的原料分散于有机溶剂中，得母液；向母液中滴加析出液产生红色沉淀，取上清液置于下层PDMS衬底上；将上层P...
    2025-11-23
  • 一种晶硅钙钛矿叠层电池及其金属化方法
    一种晶硅钙钛矿叠层电池及其金属化方法_正泰新能科技股份有限公司_202410608929.6
    本发明涉及光伏电池领域，特别是涉及一种晶硅钙钛矿叠层电池及其金属化方法，在待处理电池的表面印刷图形化的定型油墨；所述定型油墨包括金属源盐、有机络合还原剂及有机溶剂；对所述定型油墨进行反应热处理，使所述金属源盐与所述有机络合还原剂反应生成金属...
    2025-11-23
  • 一种钙钛矿材料溶液、钙钛矿膜及其制备方法与应用
    一种钙钛矿材料溶液、钙钛矿膜及其制备方法与应用_广东明阳薄膜科技有限公司_202510952869.4
    本发明公开了一种钙钛矿材料溶液、钙钛矿膜及其制备方法与应用，所述钙钛矿材料溶液的制备方法中将高沸点溶剂作为独立添加剂使用，具体为在钙钛矿前驱体完全溶解并过滤后，再定量加入高沸点溶剂(单一或复合体系)，后续制备钙钛矿膜可通过精确控制抽真空速率...
    2025-11-23
  • 一种钙钛矿吸收层及其制备方法与应用
    一种钙钛矿吸收层及其制备方法与应用_正泰新能科技股份有限公司_202410608683.2
    本发明提供了一种钙钛矿吸收层及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：蒸镀制备金属化合物层，其中，金属化合物包括含铅化合物和/或含铯化合物；在所述金属化合物表面进行离子镀有机盐，然后进行退火，得到所述钙钛矿吸收层。本发明所述制备方法通过...
    2025-11-23
  • 一种基于深层钝化促进钙钛矿上表面重构的方法
    一种基于深层钝化促进钙钛矿上表面重构的方法_无锡永珈光能科技有限公司_202511501424.0
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种基于深层钝化促进钙钛矿上表面重构的方法，包括：(1) 对透明导电层进行清洁处理，得到清洁的透明导电衬底；在透明导电衬底上制备第一载流子传输层，得基底；(2) 在基底上制备钙钛矿层；(3) 在钙钛矿层上...
    2025-11-23
  • 一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其电池
    一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其电池_天合光能股份有限公司_202511198077.9
    本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸收层及其电池。所述钙钛矿前驱体溶液包括Pb基钙钛矿材料、稳定剂和溶剂，所述稳定剂的化学式记作R‑(COOEt)n，其中，R代表羟基取代的烷基、芳香基或不饱和烃基，Et代表乙基，n≥1。通过将本发明的稳...
    2025-11-23
  • 界面修饰溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    界面修饰溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件_深圳现象光伏科技有限公司_202511104971.5
    本申请涉及一种界面修饰溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件。界面修饰溶液包括自组装单分子材料和溶剂，自组装单分子材料含有咔唑基团和磷酸基团，溶剂包括醇和N, N‑二甲基丙烯基脲。N, N‑二甲基丙烯基脲具有较强的极性和沸点，与醇配合...
    2025-11-23
  • 一种基于低温气相传输和高温固相反应制备稀土碲化物高温热电材料的方法
    一种基于低温气相传输和高温固相反应制备稀土碲化物高温热电材料的方法_山东大学_202410608908.4
    本发明涉及一种基于低温气相传输和高温固相反应制备稀土碲化物高温热电材料的方法。其化学式为RE3‑xTe4(0≤x≤0.33)，RE为稀土元素，制备方法为：(1)将RE单质和Te单质分别盛放于1号坩埚和2号坩埚中，再置于同一反应容器；(2)将...
    2025-11-23
  • 一种柔性压电传感器的封装方法
    一种柔性压电传感器的封装方法_苏州能斯达电子科技有限公司_202510956151.2
    本发明公开了一种柔性压电传感器的封装方法，包括S1：柔性压电敏感元件预处理，对所述柔性压电敏感元件进行超声波清洁和低温表面处理，在其表面形成活性基团；S2：制备电极层，通过印刷或者狭缝涂布工艺，在所述柔性压电敏感元件的上下表面制备电极层；S...
    2025-11-23
  • 压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法
    压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410604092.8
    本发明属于压电陶瓷材料的技术处理领域，具体涉及压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法。为解决现有压电陶瓷材料极化技术存在的极化场强高、易击穿的难题，本发明提供了一种压电陶瓷材料加压极化装置，包括：用于承载压电陶瓷的底座；用于压电...
    2025-11-23
  • 一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法
    一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法_北京林业大学_202511501664.0
    本发明公开了一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法，属于功能高分子材料与柔性电子技术交叉技术领域。该含氟铁电驻极体通过将上下两层致密聚合物薄膜与中间层进行边缘熔融封装，再经电晕极化处理制得，所述中间层为多孔聚合物膜单层结构或多孔聚合物膜...
    2025-11-23
  • 一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法
    一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法_华中科技大学_202510995325.6
    本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法，高厚度铪基压电薄膜器的铪基压电功能层的厚度不低于20nm，是由氧化铪与氧化锆交替叠层形成的超晶格结构；通过在铪基压电功能层内部每隔预设厚度在两相邻超晶格单元的界面处沉...
    2025-11-23
  • 一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导
    一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导_电子科技大学_202511494554.6
    本发明提供了一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导，属于磁性器件技术领域。该器件包括由下到上依次设置的衬底层、交替磁体薄膜以及微波激励源；微波激励源激发具有单一频率的交变磁场，交变磁场和交替磁体薄膜的磁矩发生相互作用，使得磁矩发生进动，并将...
    2025-11-23
  • 约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法
    约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202410617963.X
    本发明提供一种约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法，该约瑟夫森结并联电阻结构的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上表面形成包括第一超导层、绝缘材料层及第二超导层的叠层结构；基于叠层结构依次定义底电极及包括绝缘层及顶电极的结区结构；形成覆...
    2025-11-23
  • 一种AsSeTe选通管材料及选通管单元
    一种AsSeTe选通管材料及选通管单元_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510900380.2
    本发明涉及一种AsSeTe选通管材料及选通管单元，所述AsSeTe选通管材料的化学通式为AsxSeyTez，式中0.1≤x≤0.5，0.2≤y≤0.6，z＝1‑x‑y。本发明中AsSeTe选通管材料可通过调控As、Se、Te的原子配比或引入...
    2025-11-23
  • 可见光敏忆阻器及其制备方法
    可见光敏忆阻器及其制备方法_苏州实验室_202510881839.9
    本申请提供了一种可见光敏忆阻器及其制备方法，通过将钙钛矿光敏材料应用到AlScN基忆阻器当中，相较于传统的AlScN基光敏忆阻器，由于钙钛矿的光敏结构制备工艺简单、成本低廉，且对可见光响应较强，相较于III族氮化物(如GaN)光敏结构，不仅...
    2025-11-23
  • 基于异质结的跳变自整流忆阻器及其制备方法
    基于异质结的跳变自整流忆阻器及其制备方法_湘潭大学_202510991475.X
    本发明公开了一种基于异质结的跳变自整流忆阻器，包括上电极、绝缘层和下电极，所述绝缘层采用异质结结构，自上而下依次为整流层和阻变层，上电极、整流层、阻变层、下电极垂直堆叠集成在硅片衬底上；所述整流层采用高氧分压条件下沉积的氧化铪薄膜，具有电荷...
    2025-11-23
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