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最新专利技术
  • 掩膜结构和刻蚀方法
    掩膜结构和刻蚀方法_杭州富芯半导体有限公司_202511187111.2
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜结构和刻蚀方法。刻蚀方法可以包括：提供蚀刻停止层、掩膜结构和图案化的光刻胶层，掩膜结构包括依次层叠于蚀刻停止层上的第一掩膜层和第二掩膜层，光刻胶层遮蔽部分第二掩膜层；对掩膜结构进行第一刻蚀处理，至去...
    2025-11-28
  • 一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法
    一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法_西南技术物理研究所_202510883645.2
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法，在介质层表面依次沉积扩散源薄膜和保护膜，经光刻胶图案化，二次沉积保护膜以及剥离工艺后，通过干法刻蚀暴露两侧扩散源薄膜。高温扩散时，中间区域的扩散源薄膜向下...
    2025-11-28
  • 氧化层的平坦化方法
    氧化层的平坦化方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066193.5
    本发明公开了一种氧化层的平坦化方法，包括步骤：在底层结构上依次形成衬垫氧化层和第一多晶硅层。依次对第一多晶硅层、衬垫氧化层和底层结构进行图形化刻蚀形成沟槽。在沟槽中填充第一氧化层，第一氧化层还延伸到沟槽外。进行CMP以对第一氧化层进行平坦化...
    2025-11-28
  • 使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法
    使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法_星科金朋私人有限公司_202510528981.5
    本发明涉及使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法。半导体器件具有中介层。在中介层之上部署形状金属合金(SMA)结构。SMA结构由镍‑钛形成。在中介层之上部署焊料凸块和电组件。在衬底之上部署中介层，其中SMA结构、焊料凸块和电组件在中介层...
    2025-11-28
  • 一种复合基板的制备方法及其应用
    一种复合基板的制备方法及其应用_南充三环电子有限公司_202510939364.4
    本发明属于陶瓷和金属复合领域，具体公开了一种复合基板的制备方法及其应用，所述制备方法包括以下步骤：对铜基材进行预氧化，使铜基材表面形成氧化铜层；采用磁控溅射的方法在陶瓷基板的至少一个表面上形成氧化铝层；使所述氧化铜层和所述氧化铝层贴合后进行...
    2025-11-28
  • 芯片封装方法及器件总成
    芯片封装方法及器件总成_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511067240.8
    本申请实施例提供一种芯片封装方法及器件总成，其中，方法包括：对第一金属基材卷进行图案化处理，定义出多个器件的引脚基底以及连接多个器件引脚基底的连接筋；对第一金属基材卷进行注塑处理，以形成器件框架；在引脚基底上电镀第一电导金属，分别形成内引脚...
    2025-11-28
  • 用于将元件烧结到载体上的方法及其装置
    用于将元件烧结到载体上的方法及其装置_先进科技新加坡有限公司_202510656298.X
    本发明提供了一种用于将元件烧结到载体上的方法及其装置。其中，在将元件烧结到载体上之前，当所述元件的与第一侧面相对的第二侧面由支撑机构支撑时，将元件的第一侧面处或其附近的烧结表面的一部分接触涂覆在所述载体上的烧结浆料，使得所述元件的所述烧结表...
    2025-11-28
  • 半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法
    半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511065364.2
    半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法。本发明揭示一种具有EMI屏蔽功能的半导体封装以及其制造方法。在一实施例中，半导体封装的制造方法包括：形成基板；将半导体装置附接至基板的顶部；使用囊封物囊封半导体装置；在囊封物中形成沟槽；以...
    2025-11-28
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_鹏鼎控股(深圳)股份有限公司_202410635411.1
    一种封装结构的制造方法，包括步骤：于封装基板设置内侧芯片，内侧芯片包括本体及设于本体外侧的多个连接垫。于内侧芯片外周设置屏蔽膜，屏蔽膜包括绝缘体及埋设于绝缘体的屏蔽层，屏蔽层包覆内侧芯片的外周。于屏蔽膜设置多个导通体，导通体的一端电性连接所...
    2025-11-28
  • 隔离电源芯片封装结构及其制作方法
    隔离电源芯片封装结构及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510985911.2
    本发明公开了一种隔离电源芯片封装结构及其制作方法，涉及封装基板技术领域。该方法包括：准备基板；在基板的上下表面分别设置第一线圈和第二线圈；对基板开设空腔，形成若干个空腔结构；在其中一个空腔结构内放置发射芯片，在另一个空腔结构内放置接收芯片；...
    2025-11-28
  • 一种SiC器件的高温封装方法
    一种SiC器件的高温封装方法_浙大城市学院_202511128448.6
    本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种SiC器件的高温封装方法。本发明基于LTCC多层互连工艺和低温烧结技术，采用多层结构设计和内部封装方法，通过引入墨材质的高温应力缓冲层以及金属导热通孔柱，实现了高效的散热性能与高温应力的有效调控，该方...
    2025-11-28
  • 一种干法刻蚀晶面保护工艺
    一种干法刻蚀晶面保护工艺_上海新微技术研发中心有限公司_202511187350.8
    本发明公开了一种干法刻蚀晶面保护工艺，包括以下步骤：步骤一：提供一晶圆，所述的晶圆的背面有待刻蚀膜层；步骤二：在所述晶圆的正面形成保护层，所述保护层是静电膜或保护胶；步骤三：对所述晶圆的背面进行干法刻蚀，以移除所述待刻蚀膜层；步骤四：去除所...
    2025-11-28
  • 半导体结构的形成方法及封装方法
    半导体结构的形成方法及封装方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410635477.0
    一种半导体结构的形成方法及封装方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括待键合面；在待键合面一侧的基底中形成键合焊垫，待键合面露出键合焊垫顶面；形成覆盖键合焊垫且露出待键合面的保护层；对待键合面进行表面激活处理。本发明有利于提高半导...
    2025-11-28
  • 具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法
    具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060692.3
    本发明提供一种具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法，包括：通过PECVD工艺在芯片的具有焊盘的一面上沉积第一介电膜层；对所述第一介电膜层施加光刻胶并使得所述光刻胶形成第一蚀刻图案；通过调整成第一蚀刻配方，使所述第一介电膜层具有未贯穿的第...
    2025-11-28
  • 晶圆级别芯片封装方法及芯片封装
    晶圆级别芯片封装方法及芯片封装_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060687.2
    本发明提供一种晶圆级别芯片封装方法及芯片封装。该芯片封装方法通过利用预备合格裸片替换原有不合格裸片的方式对在同一面上具有多个裸片的芯片进行封装，包括：步骤S1，通过对芯片中的多个裸片进行电性测试来挑选出电性能达不到设定规格的不合格裸片；步骤...
    2025-11-28
  • 一种提高共晶键合精度的方法
    一种提高共晶键合精度的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511128483.8
    本发明提供了一种提高共晶键合精度的方法，待键合晶圆放置在晶圆键合机上，待键合的上、下晶圆上沉积有待键合的金属层，待键合的上、下晶圆在开始键合前通过c形夹持臂预夹紧；键合机的上压板设置有阵列式下压顶针组件；晶圆在预夹紧后，机台升温至预设温度时...
    2025-11-28
  • 一种自修复SOP封装方法
    一种自修复SOP封装方法_山东兴佳集成电路有限公司_202511148265.0
    本发明公开了一种自修复SOP封装方法，包括：S1、封装基板准备与芯片电路焊接、S2、自修复材料层制备与设置、S3、封装外壳覆盖与热压封装和S4、封装体可靠性测试，所述S1、封装基板准备与芯片电路焊接中，对封装基板进行表面清洁处理时，采用超声...
    2025-11-28
  • 一种旋转式真空热压键合装置及方法
    一种旋转式真空热压键合装置及方法_科尔迅智能科技(深圳)有限公司_202511477919.4
    本发明涉及热压键合设备技术领域，具体公开了一种旋转式真空热压键合装置及方法，包括支撑环，所述支撑环的上表面呈环状固定连接有支撑杆，还包括：键合机构，所述键合机构固定安装在支撑杆的顶部；加强机构，所述加强机构固定安装在键合机构的内部。本旋转式...
    2025-11-28
  • 一种晶圆污染元素的检测方法
    一种晶圆污染元素的检测方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511062522.9
    本发明提供一种晶圆污染元素的检测方法，涉及半导体技术领域。该晶圆污染元素的检测方法包括目标晶圆内部污染元素的检测：氧化步：将目标晶圆预设厚度的表层氧化为氧化层；释放步：采用气溶胶状态的溶解物质溶解氧化层形成待测液；检测步：将目标晶圆划分为多...
    2025-11-28
  • 测试结构、其制造方法以及测试方法
    测试结构、其制造方法以及测试方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511110537.8
    本发明提供了一种测试结构、其制造方法以及测试方法，所述测试结构包括：N型衬底以及位于所述N型衬底上的半导体结构，所述测试结构具有开口，所述开口暴露出所述N型衬底。通过开口暴露出N型衬底，从而探针可以方便、快捷地连接N型衬底以进行供电，避免了...
    2025-11-28
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