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最新专利技术
  • 电介质及功能元件
    电介质及功能元件_松下知识产权经营株式会社_202480029092.8
    一种电介质，其包含含有铪和铈的氧化物，铈的含量相对于铪的含量与铈的含量之和的摩尔比为0.031以上且0.052以下，氧的含量相对于铪的含量与铈的含量之和的摩尔比大于0且为1.50以下。
    2025-12-24
  • 处理套件遮蔽装置
    处理套件遮蔽装置_应用材料公司_202480026548.5
    用于处理站的处理套件组件，包括盖环和遮蔽装置。该遮蔽装置包括配置为与盖环交错的下遮蔽部分。该遮蔽装置还包括上遮蔽部分，上遮蔽部分包含从上遮蔽部分的内侧延伸到外侧的遮蔽口。上遮蔽部分进一步包括在内侧形成的阴影表面，阴影表面配置为避免遮蔽口受到...
    2025-12-24
  • 成膜方法及成膜装置
    成膜方法及成膜装置_株式会社爱发科_202480029504.8
    本发明提供一种在作为微细凹部Sf的沟槽的内表面形成作为种子层的含Cu膜、作为含Cu膜的基底层的含Ta膜等金属膜时，能够在其内侧面具有连续性地覆盖良好地形成金属膜的方法。在向真空气氛的真空室(1)内导入含有稀有气体的溅射气体，向靶(2)施加带...
    2025-12-24
  • 金刚石复合粒子、树脂组合物
    金刚石复合粒子、树脂组合物_积水化学工业株式会社_202480023126.2
    一种金刚石复合粒子，是具有金刚石粒子和被覆上述金刚石粒子的表面的被覆膜的金刚石复合粒子，上述被覆膜包含金属氧化物，上述被覆膜的平均被覆厚度为0.5nm以上且3nm以下，并且被覆厚度的标准偏差与平均被覆厚度之比(标准偏差/平均厚度)为0.6以...
    2025-12-24
  • 用于批处理的薄膜沉积装置
    用于批处理的薄膜沉积装置_皮考逊公司_202480025997.8
    一种衬底处理装置(100)，包括：反应室(120)，被配置为容纳一批衬底(130)，该一批衬底以衬底表面面向彼此而布置，从而形成衬底堆叠；以及流体分配器(600)，用于建立到反应室(120)的流体流，其中流体分配器(600)被配置为在衬底堆...
    2025-12-24
  • 用于生成氧化铝膜的方法
    用于生成氧化铝膜的方法_巴斯夫欧洲公司_202480027980.6
    本发明属于用于在基材上制备氧化铝膜的方法的领域。用于制备氧化铝膜的方法包括：a) 将具有通式 (I) 或 (II) 的化合物由气态沉积到基材上，其中Z是NR2、PR2、OR、SR、CR2、SiR2，X是H或NR'2，n是1或2，并且R和R'...
    2025-12-24
  • 氨基硅烷抑制剂选择性吸附的等离子体预处理
    氨基硅烷抑制剂选择性吸附的等离子体预处理_朗姆研究公司_202480029735.9
    所公开的示例涉及使用干式工艺将氨基硅烷抑制剂选择性地吸附至衬底表面。一示例提供了一种用于选择性地将膜沉积至衬底表面的第一材料上的方法，所述衬底表面还包含第二材料。所述方法包含：将所述衬底表面暴露于在等离子体中形成的反应物质。所述方法还包含：...
    2025-12-24
  • 双极板、电解池和具有集成式冷却回路的电解槽堆叠体
    双极板、电解池和具有集成式冷却回路的电解槽堆叠体_约翰考克利尔氢气比利时公司_202480021758.5
    披露了一种用于电解池的双极板(14)，该双极板包括：至少一个电解质供给导管、用于第一电解产物的第一排放导管、以及用于第二电解产物的第二排放导管；两个板(14.10，14.20)，这两个板接合在一起以在其间限定至少一个中空体积(20)，接合在...
    2025-12-24
  • 用于生产氢的方法和用于生产氢的设备
    用于生产氢的方法和用于生产氢的设备_海兰德控股公司_202480023016.6
    本发明涉及一种用于生产氢的方法。该方法包括提供水和气态物质，气态物质含有氢原子和碳原子，生产包括水和包含气态物质的气泡的混合物，减小包含气态物质的气泡的直径，和通过分解直径减小的气泡中的气态物质生产气态氢。本发明还涉及用于生产氢的设备。
    2025-12-24
  • 从液体进料流中产生氢气和氧气的方法
    从液体进料流中产生氢气和氧气的方法_马来西亚国家石油公司_202480024183.2
    披露了一种通过正渗透和电解的集成系统由液体进料流生成氢气和氧气的方法，其中该方法包含借助于正渗透将水进料到电解质溶液中以及在该电解质溶液上施加电压以生成氢气和氧气的步骤，其特征在于该电解质溶液包含电解质、离子液体和溶剂，其中该电解质以范围在...
    2025-12-24
  • 电解槽电池框架组件和电解槽
    电解槽电池框架组件和电解槽_星际之门氢解决方案公司_202480029812.0
    本发明公开了一种电解槽的电池框架组件，包括：具有内周缘和外周缘的电池框架；具有内周缘和外周缘的垫片；以及具有周缘的电池元件，其被压缩在垫片和电池框架之间。垫片具有可压缩特性，而电池框架具有刚性特性。垫片的外周缘沿电池框架外周缘的方向向外延伸...
    2025-12-24
  • 电解液制造装置、电解液制造方法以及氟气制造方法
    电解液制造装置、电解液制造方法以及氟气制造方法_株式会社力森诺科_202480029372.9
    提供制造氟化氢气体的蒸气压低的氟气制造用电解液的装置。电解液制造装置(1)具备：具有镍电极(31)和碳电极(32)的阳极(3)；具有金属电极的阴极；和能够收纳包含氟化钾和氟化氢的被处理液(8)且使用阳极(3)和阴极(4)进行被处理液(8)的...
    2025-12-24
  • 高通量电化学氧化方法
    高通量电化学氧化方法_赢创运营有限公司_202480029544.2
    本发明涉及一种通过开环氧化，电化学制备亚烷基二羧酸、优选己二酸及其烷基化衍生物、优选3‑乙基己二酸的方法。
    2025-12-24
  • 包括连接板的SOC堆
    包括连接板的SOC堆_托普索公司_202480028177.4
    一种固态氧化物电池堆具有在固态氧化物电池堆和相邻端板之间、两个相邻端板之间和/或在相邻固态氧化物电池子堆之间的至少一个连接板。
    2025-12-24
  • 包括连接板的SOC堆
    包括连接板的SOC堆_托普索公司_202480028115.3
    一种固态氧化物电池堆具有在固态氧化物电池堆和相邻端板之间、两个相邻端板之间和/或在相邻5个固态氧化物电池子堆之间的至少一个连接板。
    2025-12-24
  • 电沉积中阴极温度的调整
    电沉积中阴极温度的调整_朗姆研究公司_202480029754.1
    呈现了一种电沉积工具。电沉积工具包括被配置为容纳阳极电解液的阳极室；被配置为容纳阴极电解液的阴极室；以及蛤壳式组件。蛤壳式组件被配置为在电沉积处理期间将衬底定位在阴极室中，使得衬底的阴极表面暴露于阴极电解液。蛤壳式组件包括至少一个杯体以及锥...
    2025-12-24
  • 包括快速连接固定装置的制造室
    包括快速连接固定装置的制造室_美国西门子医疗系统股份有限公司_202480027509.7
    一种晶体生长工位包括：拉晶组件，其具有可旋转拉轴；以及炉室，其具有被构造成保持晶体生长室的内部区域，该晶体生长室被构造成接收可旋转拉轴。炉室包括：盖，其被构造成覆盖晶体生长工位；以及加热系统，其被构造成对内部区域进行加热。盖和加热系统中的至...
    2025-12-24
  • 结晶膜的制造方法、气相生长装置及β-氧化镓结晶膜
    结晶膜的制造方法、气相生长装置及β-氧化镓结晶膜_大阳日酸株式会社_202480030002.7
    一种结晶膜的制造方法，使多个原料气体在合流位置合流，得到在氩中包含三甲基镓、氧和硅掺杂剂的混合气体，并且将得到的所述混合气体从所述合流位置进行加热，以使合流位置的温度为850～1100℃，将加热后的所述混合气体引导到基板(2)的表面，使β‑...
    2025-12-24
  • SiC半导体装置用衬底、SiC接合衬底、SiC多晶衬底以及SiC多晶衬底的制造方法
    SiC半导体装置用衬底、SiC接合衬底、SiC多晶衬底以及SiC多晶衬底的制造方法_住友金属矿山株式会社_202480028814.8
    本发明提供在将SiC多晶衬底与SiC单晶衬底接合而成的结构的SiC半导体装置用衬底中，能够充分抑制背面磨削加工后的衬底的翘曲量的SiC半导体装置用衬底、SiC接合衬底、SiC多晶衬底以及SiC多晶衬底的制造方法。一种SiC半导体装置用衬底，...
    2025-12-24
  • 人造草坪用双面草丝制造装置及通过其制造的人造草坪用双面草丝
    人造草坪用双面草丝制造装置及通过其制造的人造草坪用双面草丝_株式会社GSTG_202480026680.6
    本发明提供一种人造草坪用双面草丝制造装置。根据一实施例，可包括：第一液体供给管，用于供给熔融的第一液体；第二液体供给管，设置在与所述第一液体供给管物理区分的空间，用于供给熔融的第二液体；以及汇流部，使得通过所述第一液体供给管流入的所述第一液...
    2025-12-24
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