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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511556255.0
    一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区；形成在所述半导体衬底上的栅极，所述栅极设置在所述源区与所述漏区之间，并且所述栅极沿第二方向延伸；形成在所...
    2025-12-27
  • 背接触电池及其制备方法和光伏组件
    背接触电池及其制备方法和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511614703.8
    本申请涉及一种背接触电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触电池包括掺杂磷元素和锑元素的N型硅片、N型重掺杂区、P型掺杂导电层和N型掺杂导电层。N型重掺杂区形成于N型硅片的背面内部的局部区域，N型重掺杂区的掺杂浓度大于N型硅片内...
    2025-12-27
  • 空间高温环境耐受的钙钛矿电池及其制备方法
    空间高温环境耐受的钙钛矿电池及其制备方法_杭州尚翼光电科技有限公司_202511226907.4
    本申请公开了一种空间高温环境耐受的钙钛矿电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该钙钛矿电池包括依次堆叠的衬底、导电层、空穴传输层、第一氧化物层、钙钛矿吸光层、第二氧化物层、电子传输层、界面层和金属电极层，其中：所述空穴传输层的材料采用氧...
    2025-12-27
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_上海晶澳太阳能科技有限公司_202511166460.6
    本申请涉及一种光伏组件，组件包括发电单元和旁路二极管；发电单元设置为多个，多个发电单元之间分别通过汇流条连接相串联；每个发电单元均包括多个相互并联的电池串，电池串包括多个依次串联连接的切片电池，切片电池为整片电池的1/R切片，R≥2；每个发...
    2025-12-27
  • 光伏组件
    光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202410661847.8
    本申请公开了一种光伏组件，光伏组件包括：透光面板；背板，设置在透光面板的一侧；光伏电池层，设置在透光面板和背板之间；支撑板，设置在光伏电池层和背板之间；其中，透光面板、背板和光伏电池层、支撑板均为曲面结构，且透光面板、背板、支撑板和光伏电池...
    2025-12-27
  • 光伏组件
    光伏组件_江西沐邦高科股份有限公司_202410678703.3
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种光伏组件。该光伏组件包括正面玻璃、第一离型层、电池片、第二离型层和背板，电池片和正面玻璃之间设置有第一离型层，电池片与背板之间设置有第二离型层，第一离型层包裹电池片的正面和第一周侧面，第二离型层包裹电池片...
    2025-12-27
  • 光伏组件
    光伏组件_江西沐邦高科股份有限公司_202410678716.0
    本发明涉及光伏组件技术领域，尤其涉及一种光伏组件。该光伏组件包括背板、电池片和正面玻璃，背板和正面玻璃之间设置有离型膜，离型膜包裹电池片；离型膜的相对两侧设有易拉胶，易拉胶的相对两面分别粘接于背板和正面玻璃，易拉胶密封离型膜。通过设置离型膜...
    2025-12-27
  • 一种光伏组件及其制备设备
    一种光伏组件及其制备设备_六智韬新能源科技(上海)有限公司_202511285910.3
    本发明涉及光伏技术领域，具体为一种光伏组件及其制备设备，包括组件结构、下模具和自适应涂胶机构，组件结构由包括柔性前封装膜、前封装胶、柔性太阳电池串、背封装胶、柔性背封装膜中的一种或多种组合构成，光伏组件太阳电池片间隙位置设置有凹槽和凸起结构...
    2025-12-27
  • 一种曲面光伏组件及其制备方法和应用
    一种曲面光伏组件及其制备方法和应用_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511604653.5
    本发明提供一种曲面光伏组件及其制备方法和应用。所述曲面光伏组件包括丝印玻纤预浸料，所述丝印玻纤预浸料包括依次设置的玻纤预浸料以及油墨层；所述油墨层呈点阵结构分布在所述玻纤预浸料的表面，所述玻纤预浸料的表面达因值为40~46 dyne/cm。...
    2025-12-27
  • 焊带互联结构及电池串、光伏组件的制备方法
    焊带互联结构及电池串、光伏组件的制备方法_上海晶澳太阳能科技有限公司_202511233345.6
    本发明公开了一种焊带互联结构及电池串、光伏组件的制备方法，涉及光伏组件技术领域。该焊带互联结构包括：多个焊带区、多个第一连接区和悬载区；多个上述焊带区和多个上述第一连接区沿第一方向交替排列设置；上述焊带区包括若干沿第一方向延伸且平行间隔排列...
    2025-12-27
  • 一种光伏组件、辅助机构及制作方法
    一种光伏组件、辅助机构及制作方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511370740.9
    本申请涉及一种光伏组件、辅助机构及制作方法，光伏组件包括：电池串，电池串包括电池片；第一汇流条；第一焊带，第一焊带用于连接电池片和第一汇流条；沿光伏组件的厚度方向，第一汇流条位于电池片背面端部所在的一侧，且在沿光伏组件的厚度方向的投影中，第...
    2025-12-27
  • 一种延伸波长InGaAs探测器结构及其制备方法
    一种延伸波长InGaAs探测器结构及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511150074.8
    本发明涉及一种延伸波长InGaAs探测器结构及其制备方法，该探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构包括依次生长在衬底上的与衬底晶格匹配N型晶格匹配缓冲层、N型组份渐变缓冲层、本征吸收层、i型隧穿钝化层以及...
    2025-12-27
  • 像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器
    像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410691932.9
    一种像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器。所述像素形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有传输晶体管的栅极，所述衬底内形成光电二极管的阱区，所述阱区内形成有光电二极管的P极及N极，所述光电二极管的P极及N极的交界区域为所述光电二极管...
    2025-12-27
  • 图像传感器的形成方法
    图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410644096.9
    本发明公开了一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成衬垫层；对所述衬底进行热处理，以修复晶格缺陷和减少所述浅沟槽开口区域引起的尖端放电；通过沉积介质层填充所述浅沟槽，形成浅沟槽隔离结构。
    2025-12-27
  • 成像装置
    成像装置_爱思开海力士有限公司_202411360841.3
    成像装置包括：像素，其包括：生成各自的大小与照度对应的像素信号并生成与照度对应的光电荷的光电转换器件，累积生成的光电荷的浮置扩散区域，向浮置扩散区域提供附加电容的第一DCG晶体管，和通过第一DCG晶体管连接到浮置扩散区域的第一DCG电容器；...
    2025-12-27
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510247843.X
    所公开的实施方式包括一种图像传感器，该图像传感器具有第一层和堆叠的第二层，第一层包括第一基板以及在第一方向和第二方向上以2×2形状布置的第一至第四像素区，第一至第四像素区中的每个像素区包括光电二极管、有源区和传输栅极，堆叠的第二层包括第二基...
    2025-12-27
  • 显示装置和具有显示装置的电子装置
    显示装置和具有显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510705962.5
    本公开涉及显示装置和具有显示装置的电子装置。显示装置包括：衬底；元件层，在衬底上，元件层包括第一光接收元件、第二光接收元件和第三光接收元件，第一光接收元件包括第一光接收层，第二光接收元件包括第二光接收层，第三光接收元件包括第三光接收层；以及...
    2025-12-27
  • 电池片组件及其制作方法、电池串和光伏发电系统
    电池片组件及其制作方法、电池串和光伏发电系统_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202410682174.4
    本发明公开了一种电池片组件及其制作方法、电池串和光伏发电系统，制作方法包括以下步骤：在电池片上设置多个第一绝缘件和多个第二绝缘件：多个第一绝缘件至少设在电池片的多个第一栅线的一端，多个第二绝缘件件至少设在电池片的多个第二栅线的另一端；在电池...
    2025-12-27
  • 一种顶衬结构的硫族太阳能电池的制备方法
    一种顶衬结构的硫族太阳能电池的制备方法_上海大学_202410698380.4
    本发明提供一种顶衬结构的硫族太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池领域，包括：步骤一、衬底预处理；步骤二、电子传输层制备；步骤三、吸收层制备；步骤四、薄膜掺杂；步骤五、电极制备。该方法采用物理气相沉积在FTO/CdS衬底上制备SnS薄膜，通过...
    2025-12-27
  • 一种制作光伏太阳能电池金属化栅线的方法
    一种制作光伏太阳能电池金属化栅线的方法_广东南海启明光大科技有限公司_202510912672.8
    本发明涉及太阳能电池领域，具体是一种制作光伏太阳能电池金属化栅线的方法，包括：在n型硅衬底上依次沉积本征非晶硅层、n型非晶硅层及p型非晶硅层，在n型非晶硅层和p型非晶硅层上分别沉积TCO层；在TCO层上沉积一层阻挡层，在阻挡层上沉积一层种子...
    2025-12-27
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