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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410733098.5
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：多个功能区、多个密封区以及多个切割区；多个功能区阵列排布；每个密封区环绕一个功能区；每个切割区位于相邻密封区之间；密封区中焊盘的密度不大于功能区中焊盘的密度、且不小于切割区...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410733193.5
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该制造方法包括：叠置结构位于衬底的一侧；图案化形成阵列排布的多个位线，位线沿垂直于衬底的第三方向延伸；图案化形成阵列排布的多个第一沟槽；沿第一方向，至少两个第一沟槽与至少两个位线同列间隔排布...
    2025-12-25
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511156937.2
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在形成栅极结构时，于多晶硅层上预先沉积缓冲层和硬掩膜层；对该叠层进行图形化刻蚀形成控制栅和外围栅后，利用栅极结构上残留的硬掩膜层作为注入阻挡层，进行轻掺杂漏极离子注入；最后去除所述硬掩膜层。本...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410747270.2
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统，该半导体结构包括：第一堆叠结构；第二堆叠结构，位于第一堆叠结构的一侧；第一位线结构，位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间，并沿第一方向延伸；第一沟道结构，贯穿第一堆叠结构；第...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410732706.0
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体结构的存储性能。半导体结构包括：源极层、叠层结构和多个沟道结构。叠层结构设置在源极层的一侧。多个沟道结构贯穿叠层结构至源极层的。沟道结...
    2025-12-25
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510221981.0
    本发明涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本发明的课题在于获得能有效提高存储单元的特性的形状的电荷蓄积层。实施方式的半导体存储装置的柱具有：半导体层，在积层体内在积层方向上延伸；第1及第2绝缘层，从半导体层侧依序覆盖半导体层的...
    2025-12-25
  • 一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备
    一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410740583.5
    一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备。该三维半导体器件包括交替布置的第一导电层和隔离层的堆叠层、贯穿堆叠层的第二导电层，以及位于第一导电层和第二导电层之间的相变存储单元。第二导电层贯穿相变存储单元，第一导电层环绕相变存储单元。相变存储单...
    2025-12-25
  • 一种基于3D结构的存储芯片、加工设备及其加工工艺
    一种基于3D结构的存储芯片、加工设备及其加工工艺_辰瓴半导体(嘉兴)有限公司_202511144277.6
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种基于3D结构的存储芯片、加工设备及其加工工艺，包括衬底，所述衬底上设置有若干个堆叠放置的芯片层，相邻的两个所述芯片层之间均设置有互联组件，若干个所述芯片层沿堆叠方向共同设置有连接通孔，所述衬底上设置有...
    2025-12-25
  • MIM电容器及其制造方法
    MIM电容器及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159013.8
    本申请公开了一种MIM电容器及其制造方法。本申请通过采用组合介质层结构替代原有的单一的氮化硅层结构，其中组合介质层结构可以作为下极板金属的阻挡扩散层有效阻挡下极板金属的扩散，同时组合介质层与相关技术的膜层相比更致密且介电常数高，降低了MIM...
    2025-12-25
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410718207.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，依次层叠设置衬底、GaN漂移层以及保护层；刻蚀保护层形成贯穿保护层的开口；形成至少位于开口中的金属层；高温退火使金属层中的金属离子扩散进入开口下方的GaN漂移层中，形成P型区。本公开通过Mg扩散的方法...
    2025-12-25
  • 具有场板结构的二极管器件
    具有场板结构的二极管器件_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510424825.4
    本公开涉及具有场板结构的二极管器件。一种二极管器件包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中且围绕第一阱；以及低掺杂区，其位于半导体衬底中且在第一阱和第二阱之间。第一阱和第二阱具有相反的导电类型，从而形成PIN二极管。该二...
    2025-12-25
  • 混合PIN肖特基二极管
    混合PIN肖特基二极管_珠海格力电子元器件有限公司_202511230258.5
    本申请提供了一种混合PIN肖特基二极管，包括：外延层，具有第一表面；位于外延层中且沿第一方向和第二方向阵列分布的多个掺杂区，掺杂区包括第一掺杂部以及在第二方向上凸出于部分第一掺杂部的第二掺杂部，第一方向和第二方向平行于第一表面且第一方向和第...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510655255.X
    本公开的目的在于得到能够提高短路耐量的半导体装置。本公开的半导体装置包括：半导体基板，该半导体基板具有主面、及与所述主面相反一侧的背面；主电极，该主电极形成在所述半导体基板的所述主面；栅极电极，该栅极电极形成在所述半导体基板的所述主面侧；以...
    2025-12-25
  • 一种高栅控低EMI噪声的SiC双沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法
    一种高栅控低EMI噪声的SiC双沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法_长沙理工大学_202511157030.8
    本发明公开了一种高栅控低EMI噪声的SiC双沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法，本发明方案为了抑制EMI噪声，通过引入侧栅形成一个p通道MOSFET, 在器件开启瞬态过程中，随着集电极注入的空穴积累在P‑shield中，P‑shield的电...
    2025-12-25
  • 一种高短路能力的功率器件及其制作方法
    一种高短路能力的功率器件及其制作方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511236785.7
    本申请提供一种高短路能力的功率器件及其制作方法，该功率器件包括半导体层、至少部分嵌入半导体层中的至少一沟槽、位于半导体层中的第一导电类型掺杂单元及第二导电类型掺杂单元。第一导电类型掺杂单元包括多个第一阱区及多个第二阱区。第一阱区及第二阱区分...
    2025-12-25
  • 一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件
    一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511200398.8
    本发明涉及一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件，所述制造方法包括步骤：晶棒切片，得到预设厚度的单晶片；在单晶片的正面和背面生长场氧化层，在正面的场氧化层上覆盖光刻胶；刻蚀背面的场氧化层，从背面向单晶片的内部注入磷离子；退火处理，...
    2025-12-25
  • pMOS器件的制造方法
    pMOS器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708730.0
    本发明提供一种pMOS器件的制造方法，在钴金属层与锗硅源漏之间设置层叠厚度较薄、硼掺杂浓度自下而上逐渐减小的至少三层富硼层并在最上层的富硼层上形成厚度较大且无硼和无锗掺杂的硅盖帽层，拉大了锗硅源漏和钴金属层之间的距离，使钴只与硅盖帽层中的S...
    2025-12-25
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411419353.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构。该方法包括提供包括多个鳍状结构以及隔离结构的衬底，待处理区中的鳍状结构包括凸出于隔离结构的预设子部。形成第一介质层，形成牺牲合并结构，牺牲外延层覆盖第一介质层及预设子部的顶部及覆盖预设...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411818500.6
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底，衬底包括半导体主体；形成包覆半导体主体部分区域的牺牲结构；半导体主体沿第一方向延伸、且贯穿牺牲结构，牺牲结构沿第二方向延伸；第二方向与第一方向相交；形成至少覆盖牺牲结...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510746080.3
    本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。形成半导体层的堆叠件。在截面侧视视角下半导体层在垂直方向上彼此间隔开多个间隙。在半导体层上方形成多个栅极介电层。在截面侧视视角下，每个栅极介电层周向地围绕半导体层中的相应一个半导体层，并且栅极介电...
    2025-12-25
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