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最新专利技术
  • 一种N型电池片、N型电池片的制造方法及电池组件
    一种N型电池片、N型电池片的制造方法及电池组件_江西沐邦高科股份有限公司_202410678089.0
    本发明属于电池技术领域，公开了一种N型电池片、N型电池片的制造方法及电池组件。N型电池片包括N型硅基底以及依次设在N型硅基底的背面的遂穿层、掺杂晶硅层以及背面减反射功能层，掺杂晶硅层至少包括在远离N型硅基底的背面方向上依次设置的第一掺杂晶硅...
    2025-12-24
  • 一种光伏电池及其制备方法
    一种光伏电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511162804.6
    本发明提供了一种光伏电池及其制备方法，涉及光伏技术领域，以解决光伏电池的光电转化效率低的技术问题。该光伏电池，包括衬底，衬底具有第一表面，第一表面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域；第一区域上堆叠有第一叠层结构，...
    2025-12-24
  • 一种硅基半导体器件及其钝化保护层制备方法
    一种硅基半导体器件及其钝化保护层制备方法_江西汉可泛半导体技术有限公司_202511179227.1
    本发明公开了一种硅基半导体器件及其钝化保护层制备方法，包括：半导体器件主体，所述半导体器件主体表面或者切割断面覆盖钝化保护层，钝化保护层由化学钝化层、场钝化层和光学调控保护层组合而成，或者由上述任意两种组合而成；本发明对半导体器件表面或切割...
    2025-12-24
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_芜湖协鑫集成新能源科技有限公司_202511211779.6
    本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该背接触太阳能电池包括：硅衬底；P区的P区结构包括依次设置的第一隧穿层、P型掺杂多晶硅层和钝化层；N区的N区结构包括依次设置的第二隧穿层、N型掺杂多晶硅层；分隔层设置在隔离区的表面，将P区...
    2025-12-24
  • 抗辐照太阳电池及阵列
    抗辐照太阳电池及阵列_长三角太阳能光伏技术创新中心_202511236782.3
    本发明涉及一种抗辐照太阳电池及阵列。其包括：电池衬底、正面单元体及背面单元体，背面单元体至少包括若干背面少子域组以及若干背面多子域组，电池衬底受辐照后，一背面多子选择区域捕获电池衬底内的目标多子，并将捕获的目标多子经对应的背面多子电极输出，...
    2025-12-24
  • 光伏组件及发电系统
    光伏组件及发电系统_一道新能源科技股份有限公司_202410717401.2
    本申请公开了一种光伏组件及发电系统，属于光伏组件领域。该光伏组件包括：框体以及电池板；电池板设置于框体中，电池板包括向光面，向光面设置有变色层，变色层用于根据照射于向光面上的光线的光照强度改变颜色；在照射于向光面上的光线的光照强度大于或等于...
    2025-12-24
  • 一种光伏通用增强管
    一种光伏通用增强管_南京秀中建筑劳务有限公司_202511514194.1
    本发明涉及一种光伏通用增强管，包括，中空管、聚光透镜、传输光纤、光伏片及输出插座, 外界光线经聚光透镜聚焦后，由传输光纤定向传导至光伏片，经光伏片转换为电能，通过输出插座输出；本发明通过“聚光透镜+绝缘陶管+定向光纤”的组合，使光伏片接收的...
    2025-12-24
  • 背接触太阳能电池、叠层电池及光伏组件
    背接触太阳能电池、叠层电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511643157.0
    本申请涉及背接触太阳能电池、叠层电池及光伏组件。背接触太阳能电池包括电池主体和功能层，功能层设于电池主体的受光面，功能层包括层叠设置的第一光转换层、第二光转换层、第一光存储层和第二光存储层，第一光转换层和第二光转换层中的一个包括光上转换材料...
    2025-12-24
  • 一种石墨烯光电探测的器件
    一种石墨烯光电探测的器件_南开大学_202511125126.6
    本发明涉及光电探测技术领域，具体公开了一种石墨烯光电探测的器件，包括：器件本体和散热器，器件本体内设置有第一光吸收层、石墨烯层和第二光吸收层，石墨烯层位于第一光吸收层和第二光吸收层之间，第一光吸收层用于吸收短波，第二光吸收层用于吸收长波，石...
    2025-12-24
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511156324.9
    本发明提供了一种光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏组件包括：依次层叠的背接触电池片、绝缘层、导电层、胶膜层和背板；背接触电池片包括：电池本体，以及位于电池本体的背光侧的若干集电栅线，绝缘层与部分集电栅线对应的位置设置有贯穿所述绝缘层的通孔，通...
    2025-12-24
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511220731.1
    本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该背接触太阳能电池包括；硅衬底的背光面上的N区、P区和位于N区和P区之间的隔离区；P区包含第一隧穿层、p型掺杂多晶硅层，N区包含第二隧穿层、n型掺杂多晶硅层；还包括p型材料的导热导电层第一...
    2025-12-24
  • 一种GaN基全光谱LED外延片的制作方法
    一种GaN基全光谱LED外延片的制作方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511193297.2
    本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基全光谱LED外延片的制作方法，该方法包括以下步骤：对蓝宝石衬底进行脱附处理；在衬底上生长N极性InN层，生长温度从590℃均匀渐变至610℃；在N极性InN层上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N...
    2025-12-24
  • 光源模组及其制备方法、背光模组、显示装置
    光源模组及其制备方法、背光模组、显示装置_武汉创维光显电子有限公司_202511233796.X
    本申请公开了一种光源模组及其制备方法、背光模组、显示装置，属于显示技术领域。公开了光源模组制备方法，包括：提供LED芯片，其中，LED芯片的一侧表面形成有凸块；将LED芯片置于预基板上，其中，预基板的一侧表面设置有胶膜，LED芯片的凸块埋入...
    2025-12-24
  • 一种基于激光调控基底梯度润湿制备发光微颗粒的方法
    一种基于激光调控基底梯度润湿制备发光微颗粒的方法_合肥工业大学_202511255027.X
    本发明涉及光电器件材料的制备技术领域，尤其涉及一种基于激光调控基底梯度润湿制备发光微颗粒的方法。其主要针对现有技术无法同时满足高精度图案化、高材料利用率、高器件性能、低生产成本的产业化需求的问题，提出如下技术方案：S1、基底表面修饰；S2、...
    2025-12-24
  • 一种图形化复合衬底及其制备方法和具有其的外延片
    一种图形化复合衬底及其制备方法和具有其的外延片_广东中图半导体科技股份有限公司_202511268373.1
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种图形化复合衬底的制备方法，其包括以下步骤：S1 : 使用等离子体增强化学气相沉积在蓝宝石衬底表面沉积一层掺杂F原子的SiO2薄膜；S2：将上述沉积了掺杂F原子的SiO2薄膜的蓝宝石衬底进行退火处理，通过...
    2025-12-24
  • 一种发光均匀的CSP闪光灯及制作方法
    一种发光均匀的CSP闪光灯及制作方法_江苏欧密格光电科技股份有限公司_202511268477.2
    本发明公开了种发光均匀的CSP闪光灯及制作方法，制作方法包括以下步骤：S1 : 提供一UV膜，将至少一个LED芯片固设在UV膜上；S2 : 在LED芯片的出光表面固设一荧光胶膜，荧光胶膜的平面尺寸与LED芯片的发光表面尺寸相一致，随后进行第...
    2025-12-24
  • 一种提高电流扩展能力及抗静电能力的发光二极管及其制备方法
    一种提高电流扩展能力及抗静电能力的发光二极管及其制备方法_南通同方半导体有限公司_202511210440.4
    本发明公开了一种提高电流扩展能力及抗静电能力的发光二极管及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底及其上的外延层；电流阻挡介质层；透明导电层；电极层；保护层；电流阻挡介质层位于金属电极的正下方区域，与金属电极层直接接触；阻止金属电极...
    2025-12-24
  • 一种改善量子阱发光层极化效应的发光二极管芯片及其制备方法
    一种改善量子阱发光层极化效应的发光二极管芯片及其制备方法_南通同方半导体有限公司_202511210454.6
    本发明公开了一种改善量子阱发光层极化效应的发光二极管芯片及其制备方法，包括由下至上依次设置的：蓝宝石图形衬底、缓冲层、缺陷阻挡层、N型氮化镓层、电流扩展层、应力释放层、量子阱发光层、极化缓冲层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极...
    2025-12-24
  • 一种红光Micro-LED及其制作方法
    一种红光Micro-LED及其制作方法_苏州晶歌半导体有限公司_202511648257.2
    本发明公开了一种红光Micro‑LED及其制作方法。所述红光Micro‑LED包括：衬底(10)；设置于所述衬底(10)之上的AlGaInP势垒层；层叠于所述AlGaInP势垒层上的InP量子点肼层(14)。相对于传统的基于AlGaInP量...
    2025-12-24
  • 多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组、发光器件
    多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组、发光器件_纳微朗科技(深圳)有限公司_202510994295.7
    本申请提供一种多波长发光二极管芯片及其芯片组、显示模组、发光器件。第一发光区置于N型半导体层和P型半导体层间，且电致发出至少一种波长的光线，第一发光区包括至少一个第一发光分区，第一发光分区包括叠置的第一阱层和第一垒层；第二发光区置于第一发光...
    2025-12-24
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