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最新专利技术
  • 半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件
    半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511299724.5
    本发明提供一种半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件，所述调整方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成半导体器件中的栅氧化层；对所述栅氧化层进行氢等离子体处理以调整半导体器件的有效功函数。本发明通过对栅氧化层进行氢离子处理以调整半导...
    2025-12-30
  • 半导体结构制备方法及半导体结构
    半导体结构制备方法及半导体结构_安徽大学_202511632353.8
    本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底顶面包括栅介质层；于栅介质层顶面形成层间介电层，层间介电层内包括暴露出栅介质层的部分顶面的凹槽，凹槽底面包括底阻挡层，凹槽侧壁及底阻挡层顶面包括扩散阻挡层...
    2025-12-30
  • 一种二维器件的C型接触结构及其制备方法和应用
    一种二维器件的C型接触结构及其制备方法和应用_上海交通大学_202511273691.7
    本发明涉及一种二维器件的C型接触结构及其制备方法和应用，所述C型接触结构包括从下到上依次设置的衬底(1)、栅电极(2)、栅极介电层(3)、第一层源漏电极(4)、二维半导体沟道(5)和第二层源漏电极(6)；所述第二层源漏电极(6)与第一层源漏...
    2025-12-30
  • 一种高储能密度的反铁电铁酸镧、铁酸铋与钛酸锶超晶格薄膜及其制备方法
    一种高储能密度的反铁电铁酸镧、铁酸铋与钛酸锶超晶格薄膜及其制备方法_华南师范大学_202511034583.4
    本发明提供一种高储能密度的反铁电铁酸镧、铁酸铋与钛酸锶超晶格薄膜、制备方法和应用，高储能密度的反铁电铁酸镧、铁酸铋与钛酸锶超晶格薄膜包括基底层以及依序设置在所述基底层上的底电极层和多个堆叠的驰豫铁电层；每一所述弛豫铁电层从下到上依序包括第一...
    2025-12-30
  • 一种低寄生电感的混合开关ANPC三电平功率模块和制造方法
    一种低寄生电感的混合开关ANPC三电平功率模块和制造方法_中科意创(广州)科技有限公司_202511172558.2
    本发明涉及一种低寄生电感的混合开关ANPC三电平功率模块和制造方法，属于电力电子技术领域，包括：去耦电容、驱动控制一体板、支撑柱、散热基板、TPAK单管、中性点铜排、正极铜排、搭接铜排、负极铜排、AC铜排、AC铜排和PI聚酰亚胺薄膜；本发明...
    2025-12-30
  • 一种低寄生电感的双面散热功率模块
    一种低寄生电感的双面散热功率模块_江苏昕阳电子科技有限公司_202511528654.6
    本申请涉及一种低寄生电感的双面散热功率模块，包括基板组件、芯片组件、金属连接组件、键合线以及端子，其中基板组件包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板在高度方向设置金属连接组件和芯片组件；芯片组件与第一基板上表面连接，金属连接组件与芯片组...
    2025-12-30
  • 利用直接键合具有垂直堆叠管芯的封装架构
    利用直接键合具有垂直堆叠管芯的封装架构_英特尔公司_202510571216.1
    一种微电子组件的实施例可以包括：第一集成电路(IC)管芯，其具有第一表面、相对的第二表面以及与第一表面和第二表面正交的第三表面，第一IC管芯包括平行于第一表面和第二表面并且在第三表面处暴露的导电迹线；以及第二IC管芯，其具有第四表面，第四表...
    2025-12-30
  • 具有不均匀堆叠裸片的半导体封装
    具有不均匀堆叠裸片的半导体封装_美光科技公司_202510774205.3
    本公开的实施例涉及具有不均匀堆叠裸片的半导体封装。本文中描述的实施方案涉及各种半导体装置组合件。在一些实施方案中，一种半导体装置组合件包含：第一半导体裸片的第一堆叠，其在衬底上，其中所述第一堆叠具有在所述衬底上方且朝向所述衬底的中心轴线延伸...
    2025-12-30
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510783380.9
    提供半导体装置和制造半导体装置的方法。例如，一种半导体装置可以包括：基底；以及半导体组装件，被配置为电连接在一起，半导体组装件中的每个包括：第一半导体芯片，至少部分地在所述基底的第一表面与所述基底的第二表面之间，第一表面面向第一方向，并且第...
    2025-12-30
  • 一种逆导型绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
    一种逆导型绝缘栅双极性晶体管及其制备方法_安建科技(深圳)有限公司_202511641360.4
    一种逆导型绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决现有技术RC‑IGBT器件中存在的同步整流驱动模式下二极管导通压降VF高的问题，本发明提出的双极性晶体管结构减小或消除二极管区域栅极沟槽内的第二栅电极与两侧的p型体...
    2025-12-30
  • 堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件
    堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件_北京大学_202511119458.3
    本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。该堆叠晶体管的制备方法包括：在衬底上形成鳍状结构，鳍状结构在第一方向上的宽度为第一值；鳍状结构包括第一有源结构、第一隔离结构和第二有源结构；采用刻蚀工艺横向刻蚀第一隔离结构，刻蚀后...
    2025-12-30
  • SGT与BCD集成器件的制造方法
    SGT与BCD集成器件的制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511148713.7
    本发明公开了一种SGT与BCD集成器件的制造方法。该方法包括：提供一包括SGT器件形成区和BCD器件形成区的半导体衬底；在SGT器件形成区的沟槽内形成用于形成栅极的栅极空间；接着，在BCD器件形成区和SGT器件形成区的所述栅极空间内，一体化...
    2025-12-30
  • 高压CMOS器件的工艺集成方法及半导体器件
    高压CMOS器件的工艺集成方法及半导体器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205535.7
    本申请提供一种高压CMOS器件的工艺集成方法及半导体器件，其中在工艺集成方法中，在浮栅材料层形成之前，先形成高压MOS器件区的高压栅介质层和高压阱区，在浮栅材料层形成之后，保留高压MOS器件区的浮栅材料层和ONO介质层，并利用浮栅材料层、O...
    2025-12-30
  • 一种适用于二维半导体集成电路的预构建金属互连结构及其制造方法
    一种适用于二维半导体集成电路的预构建金属互连结构及其制造方法_南京大学_202511244127.2
    本发明公开一种适用于二维半导体集成电路的预构建金属互连结构及其制造方法，所述结构包括：底部预构建互连层，包含至少四层金属互连层即M1‑M4及层间通孔；二维半导体器件层，位于互连层之上，包含栅极、二维半导体沟道及源/漏电极；垂直互连结构，通过...
    2025-12-30
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511632272.8
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件设有第一电压区以及第二电压区，半导体器件的制备方法包括：提供基底，基底包括衬底、隔离结构以及掩膜层，掩膜层内具有第一开口，第一开口位于第一电压区且至少暴露部分衬底；基于第一开口刻蚀衬底，以于第...
    2025-12-30
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_杭州富芯半导体有限公司_202511660370.2
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，应用于BCD(Bipolar‑CMOS‑DMOS，即将双极型晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)、扩散金属氧化物半导体(DMOS)集成到同一芯片上)。该方法包括：在半导...
    2025-12-30
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511666098.9
    本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域。半导体结构的制作方法包括：提供衬底，于衬底内形成功能层；其中，功能层包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，及设置于第一掺杂区和第二掺杂区之间的隔离结构；分别在第一掺杂区和第二掺杂区上制...
    2025-12-30
  • 一种集成穿通型NPN二极管的SiC MOSFET器件
    一种集成穿通型NPN二极管的SiC MOSFET器件_西南交通大学_202511042614.0
    本发明公开了一种集成穿通型NPN二极管的SiC MOSFET器件，使用NPN穿通型JFET区域作为反向通流路径，在保证器件栅极可靠性和较低比导通电阻的前提下，进一步降低了反向通流的导通压降，抑制了体二极管导通，通过降低反向恢复电荷，降低了开...
    2025-12-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510255345.X
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种集成电路，该集成电路包括用于共存于同一芯片中的相同类型器件的多个源极/漏极物理尺寸。一些实施例提供了用于调制源极/漏极物理尺寸以微调寄生电容(例如栅极和漏极之间的寄生电容Cgd)和电...
    2025-12-30
  • 改善穿通电压的高压集成电路结构及其制造方法
    改善穿通电压的高压集成电路结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511141535.5
    本发明提供一种改善穿通电压的高压集成电路结构及其制造方法。该结构包括P型衬底、N型外延层、高压NLDMOS晶体管及由P阱、P型埋层和N型埋层构成的隔离环。其特征在于，该结构还包括一个P型注入区，该P型注入区设置在P型衬底内，且P型埋层和N型...
    2025-12-30
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