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最新专利技术
  • 一种基于原子层沉积与化镀工艺结合的硅通孔镀层成型方法
    一种基于原子层沉积与化镀工艺结合的硅通孔镀层成型方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511417798.4
    本发明公开了一种基于原子层沉积与化镀工艺结合的硅通孔镀层成型方法，涉及半导体制造领域，该基于原子层沉积与化镀工艺结合的硅通孔镀层成型方法，包括以下步骤：基材预处理、原子层沉积过渡层、过渡层活化、化学镀功能层以及后处理；本发明，原子层沉积过渡...
    2026-03-12
  • 一种用于MOCVD设备的冷却循环系统
    一种用于MOCVD设备的冷却循环系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511646753.4
    本发明公开了一种用于MOCVD设备的冷却循环系统，包括：水路阀组、感应电源冷却支路、换热器冷却支路和过滤器冷却支路；所述水路阀组和感应电源冷却支路均与厂务端冷却水路连接，所述水路阀组用于对MOCVD设备的反应室和辅助部件，所述感应电源冷却支...
    2026-03-12
  • 用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备
    用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备_一塔半导体(安徽)有限公司_202610052036.7
    本发明公开了一种用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备，包括：基座接触座，其内部设有用于向基座输送气体的导气通道；导气管固定座，设置于所述基座接触座的下方；导气管，其上端与所述导气通道连通，且所述导气管的顶端抵接所述基座接触...
    2026-03-12
  • 碳纤维界面沉积碳纳米管装置及方法
    碳纤维界面沉积碳纳米管装置及方法_青岛科技大学_202511629944.X
    碳纤维界面沉积碳纳米管装置及方法，用于碳纤维表面连续沉积碳纳米管，至少包括沉积模块、箱体模块、电源模块，所述碳纤维通过所述沉积模块负载催化剂，在所述箱体模块中碳纤维表面连续生长碳纳米管；所述箱体模块进出口通过液封构造封闭环境；将所述箱体模块...
    2026-03-12
  • 一种金属包覆垂直碳纳米管阵列复合材料及其制备方法和其结构稳定性的评判方法
    一种金属包覆垂直碳纳米管阵列复合材料及其制备方法和其结构稳定性的评判方法_南京航空航天大学_202511732781.8
    本发明提供了一种金属包覆垂直碳纳米管阵列复合材料及其制备方法和其结构稳定性的评判方法，属于微纳柱状材料在液相环境下结构稳定性技术领域。本发明所述金属包覆垂直碳纳米管阵列复合材料的制备方法包括以下步骤：在硅基底上依次沉积金属氧化物和金属催化剂...
    2026-03-12
  • 一种泡沫钴-碳纳米管复合阴极材料及其制备方法和用途
    一种泡沫钴-碳纳米管复合阴极材料及其制备方法和用途_西南交通大学_202610050153.X
    本发明提供了一种泡沫钴‑碳纳米管复合阴极材料及其制备方法和用途，涉及阴极材料制备技术领域。本发明复合阴极材料是以泡沫钴为基底，在泡沫钴基底上沉积碳纳米管阵列后得到的复合阴极材料。本发明复合阴极材料作为场致发射冷阴极材料，其开启电场和阈值电场...
    2026-03-12
  • 金刚石衬底及其制造方法
    金刚石衬底及其制造方法_信越化学工业株式会社_202511514796.7
    本发明为形成具有氮空位中心的金刚石晶体层的金刚石衬底的制造方法，其用CVD法并用包含烃气与氢气的原料气体在基底衬底上形成金刚石晶体，其中，为了在金刚石晶体的至少一部分形成具有氮空位中心的金刚石晶体层，将氮气或氮化物气体混入原料气体，同时对于...
    2026-03-12
  • 一种无氢气氛下高质量多晶金刚石沉积装置及工艺
    一种无氢气氛下高质量多晶金刚石沉积装置及工艺_昆明理工大学_202511728572.6
    本发明属于多晶金刚石制备技术领域，尤其涉及一种无氢气氛下高质量多晶金刚石沉积装置及工艺，使用时，首先进行金刚石制备装置和衬底的前处理工作，包括清洗钼台、衬底抛光、衬底接种等工作，将衬底接种后放入金刚石制备装置内；通过惰性气体输送装置和碳源气...
    2026-03-12
  • 一种可动态调节气流分布的气相沉积炉
    一种可动态调节气流分布的气相沉积炉_浙江精工领航科技有限公司_202511536925.2
    本发明公开了一种可动态调节气流分布的气相沉积炉，包括内炉体、外炉体、载料平台、升降组件、调姿组件以及布气模组。内、外炉体之间形成装配腔。载料平台用于承载工件并升降实现上下料。升降组件安装于内炉体顶部，其下端集成有上层布气模组；载料平台上集成...
    2026-03-12
  • 一种高电阻碳化硅涂层的制备方法及应用
    一种高电阻碳化硅涂层的制备方法及应用_湖南德智新材料股份有限公司_202511568047.2
    本发明涉及高电阻材料技术领域，具体涉及一种高电阻碳化硅涂层的制备方法及应用，包括对基材进行预处理；采用CVD法在基材的表面沉积待处理的碳化硅涂层；采用喷砂工艺处理待处理的碳化硅涂层的表面以去除待处理的碳化硅涂层表面由金属离子形成的导电层；酸...
    2026-03-12
  • 基于单循环SiO2界面改性的Al2O3/HfO2纳米叠层薄膜缺陷抑制方法
    基于单循环SiO2界面改性的Al2O3/HfO2纳米叠层薄膜缺陷抑制方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511462359.5
    一种基于单循环SiO22界面改性的Al22O33/HfO22纳米叠层薄膜缺陷抑制方法，该方法为：采用原子层沉积技术，在结构为(Al22O33/HfO22)mm的Al22O33/HfO22纳米叠层薄膜的每个HfO22层表面沉积单循环SiO22...
    2026-03-12
  • 一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备
    一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511643011.6
    本发明提供了一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备。该背面沉积的分气盘包括：匀气腔，其中，所述匀气腔被划分为多个匀气分区组，每一所述匀气分区组包括至少一个匀气分区；多根分气管，其中，每根所述分气管对应一个所述匀气分区组，并分别包括至少一个...
    2026-03-12
  • 激光辅助化学气相沉积装置及加工方法
    激光辅助化学气相沉积装置及加工方法_合肥工业大学_202511689811.1
    激光辅助化学气相沉积装置及加工方法，属于集成电路以及核聚变部件加工领域，能够解决现有化学气相沉积系统所存在的可调控性差、应用受限等问题。该装置主要包括激光器组件、沉积腔室、负压组件以及进气组件，利用激光生成线型光斑作用于基板上，对试样进行局...
    2026-03-12
  • 一种提升半导体薄膜均匀性的CVD用喷射气化装置及方法
    一种提升半导体薄膜均匀性的CVD用喷射气化装置及方法_无锡芯汉电子科技有限公司_202511718135.6
    本发明涉及半导体覆膜技术领域，且公开了一种提升半导体薄膜均匀性的CVD用喷射气化装置及方法，包括工作台；本发明在使用时，在抬升闭合机构的作用下，可以使得反应腔主体向上运动，从而使得反应腔主体和反应腔室盖完成密封，通过支撑架使得反应腔室盖处于...
    2026-03-12
  • 一种调平装置、方法以及半导体设备
    一种调平装置、方法以及半导体设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511841906.0
    本申请涉及一种调平装置、方法以及半导体设备，调平装置包括永磁阵列、电磁绕组、转接板、调整板及传感器；电磁绕组设于转接板，调整板与转接板平行，永磁阵列安装于调整板且与电磁绕组对应；传感器检测两板之间距离及调整板倾斜状态，通过调整电磁绕组电流控...
    2026-03-12
  • 一种用于ALD工艺的固态前驱体输送系统
    一种用于ALD工艺的固态前驱体输送系统_江苏先科半导体新材料有限公司_202512001268.8
    本发明公开了一种用于ALD工艺的固态前驱体输送系统，涉及半导体技术领域。本发明包括固态前驱体源瓶、蒸气输送管路、气动阀门和反应室，还包括加热组件，加热组件包括进气口加热器、源瓶加热器、出气口的出气口加热器、蒸气输送管路加热器、气动阀门的阀门...
    2026-03-12
  • 一种导流环和化学气相沉积装置
    一种导流环和化学气相沉积装置_南昌中微半导体设备有限公司_202610046542.5
    本发明公开了一种导流环和化学气相沉积装置，装置包括反应腔、供气组件和导流环。反应腔包括顶盖，顶盖中央设有顶盖开口；供气组件包括气体传输部和喷嘴组件；气体传输部和顶盖开口之间设有清洁气体进气通道；导流环在顶盖下方环绕供气组件设置，在导流环的内...
    2026-03-12
  • 抽气面板组件，半导体器件的工艺设备和工艺方法
    抽气面板组件，半导体器件的工艺设备和工艺方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511688679.2
    本发明公开了一种抽气面板组件，半导体器件的工艺设备和工艺方法。抽气面板组件包括：抽气面板，位于反应腔内的抽气口上方，其上设有抽气孔；以及驱动电机，连接所述抽气面板，用于调整所述抽气面板的姿态，使其在沉积工艺抽气时减小抽气流阻，而在清洁工艺抽...
    2026-03-12
  • 工艺腔室保护层的制备方法及半导体工艺设备
    工艺腔室保护层的制备方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511767295.X
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种工艺腔室保护层的制备方法及半导体工艺设备。所提供的工艺腔室保护层的制备方法，包括：共沉积步，将前驱体和反应气体供应到工艺腔室内，通过等离子体增强化学气相沉积技术，在工艺腔室内壁和/或工艺腔室内部件表...
    2026-03-12
  • 电极结构及镀膜设备
    电极结构及镀膜设备_常州捷佳创精密机械有限公司_202511712610.9
    本发明公开了一种电极结构及镀膜设备，包括可旋转的基座、电极座和电极杆；沿基座周向并间隔设置的多个电极座，电极座内设有容纳槽，容纳槽内设有一对电极连接件，电极连接件的起始侧与一组对应的电极杆电连接，终止侧具有突出于电极座顶面的电极接触部，一对...
    2026-03-12
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