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最新专利技术
  • 一种快恢复二极管及其制作方法
    一种快恢复二极管及其制作方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511806579.5
    本发明涉及一种快恢复二极管及其制作方法，包括以下步骤：在n型基板正面的有源区上淀积硬掩模，并在硬掩膜上刻蚀出注入窗口；通过窗口向n型基板正面注入p型杂质，热扩散形成p‑阱；刻蚀硬掩模和n型基板，在n型基板上形成凹槽；n型基板正面注入p型杂质...
    2026-03-18
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技股份有限公司_202510047563.4
    本发明提供半导体装置。半导体装置包括基板、外延层、第一高压阱、第一掺杂区、栅极介电层及栅极电极。基板具有第一导电类型。外延层设置于基板上，且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一高压阱设置于外延层中，且具有第二导电类型。第一掺杂区设置于...
    2026-03-18
  • 一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片
    一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511531675.3
    本发明实施例提供了一种超结绝缘栅双极型晶体管、超结绝缘栅双极型晶体管的制作方法和芯片，该超结绝缘栅双极型晶体管可以包括：沿第一方向交替排列的第一截面区和第二截面区；所述第一截面区和所述第二截面区均包括集电极、集电区、缓冲层、外延层、超结P柱...
    2026-03-18
  • 一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片
    一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511533422.X
    本发明实施例提供了一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片, 包括N型衬底；多个沿横向间隔排列且相互平行的沟槽, 栅氧化层，位于各个沟槽的侧壁和底部；多晶硅层，位于栅氧化层之上，并填充沟槽的内部空间；掩埋P层，载流子存储N层，P型阱，N+电子...
    2026-03-18
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511533415.X
    本申请提供了一种半导体器件制备方法，方法包括：在基底上镀覆形成掩膜层，掩膜层的厚度为1000埃~10000埃；在掩膜层中形成第一开口，通过第一开口对基底进行刻蚀，以在基底中形成初级沟槽；在初级沟槽的沟槽底部进行离子注入，以形成包裹初级沟槽底...
    2026-03-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510769417.2
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可包括高集成存储单元，用于制造该半导体装置的方法可包括：在衬底之上形成多个初步纳米片，在初步纳米片之间设置有第一水平间隙；形成间隔层，其环绕初步纳米片的部分并在初步纳米片之间限定第二水平间隙；形成...
    2026-03-18
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_王佩如_202510810070.1
    本揭示涉及功率组件及其制造方法。本揭示提供一种半导体组件的制造方法，包含下列步骤：提供一半导体基板；在所述半导体基板上成长一外延层；在所述外延层上形成一绝缘层；在所述绝缘层上成长一金属掩膜层，其中所述金属掩膜层包括一离子注入阻挡区及一离子注...
    2026-03-18
  • 沟槽型器件及其制造方法
    沟槽型器件及其制造方法_重庆奕能科技有限公司_202511803747.5
    本公开提供了一种沟槽型器件及其制造方法，该器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；沟槽栅，自外延层的表面延伸至外延层内，沟槽栅的宽度大于深度；体区，位于外延层中且与沟槽栅的侧壁邻接；源区，位于体区中，并与沟槽栅的侧壁邻接；以及第一埋柱区和第二埋...
    2026-03-18
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511817524.4
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。相对于传统的半导体结构，本申请将源区划分为三个子区，并在第二方向上，在第一子区与第二子区之间以及第二子区与第三子区之间，设置第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度小于源区的掺杂浓度，且在垂...
    2026-03-18
  • 一种HEMT器件及其制备方法
    一种HEMT器件及其制备方法_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411151474.6
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；III‑V族外延层，包括依次层叠设置于衬底上的沟道层和势垒层；源电极和漏电极，间隔设置于势垒层上；介质层，设置于势垒层背离衬底层一侧的表面上，且位于源电极与漏电极之...
    2026-03-18
  • 具有同步光电栅的半导体器件
    具有同步光电栅的半导体器件_香港科技大学_202510332701.3
    一种半导体器件，包括高电子迁移率晶体管(HEMT)和发光器件。HEMT具有成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极和漏极、P型掺杂III‑V层和栅极。成核层位于衬底上，缓冲层和沟道层堆叠在其上方。在沟道层和势垒层之间的界面处，能形成2DEG区域...
    2026-03-18
  • 氮化物系半导体装置
    氮化物系半导体装置_三垦电气株式会社_202510981083.5
    本发明提供一种氮化物系半导体装置，其能够进一步抑制电流崩塌现象的发生。一种氮化物系半导体装置，其包含：在上部具有二维电子气层的第一氮化物半导体层；第一氮化物半导体层上的带隙能量比其大的第二氮化物半导体层；与二维电子气层连接的第一主电极及第二...
    2026-03-18
  • 一种具有铁电薄膜负电容的p沟道氮化镓晶体管及其制备方法
    一种具有铁电薄膜负电容的p沟道氮化镓晶体管及其制备方法_江南大学_202511493472.X
    本发明公开一种具有铁电薄膜负电容的p沟道氮化镓晶体管及其制备方法，该晶体管包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层和p‑GaN沟道层，p‑GaN沟道层的上表面中间区域向下延伸有栅极凹槽，p‑GaN沟道层的上表面两侧分别设置...
    2026-03-18
  • 基于AlScN调控的GaN HEMT反向耐压器件及其制备方法
    基于AlScN调控的GaN HEMT反向耐压器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511754635.5
    一种基于AlScN调控的GaN HEMT反向耐压器件及其制备方法，器件包括依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和介质层以及电极，所述沟道层的材料为GaN，所述势垒层的材料为Al1‑yGayN，所述沟道层与所述势垒层构成AlGaN/...
    2026-03-18
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411117513.0
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，半导体器件设于第一介质层上，第一介质层设有第一孔，器件包括：第一源/漏极，设于第一孔内；半导体沟道，设于第一源/漏极上；第二源/漏极，设于半导体沟道上；栅介质层，环绕半导体沟道；栅极导电层，环...
    2026-03-18
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411171332.6
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包括鳍结构、隔离结构和栅极结构；鳍结构包括沿第一方向依次排布的源极、沟道和漏极；隔离结构位于有源区沿第二方向相对的两侧；隔离结构的表面具有至少一个第一凹陷部，第一凹陷部暴露沟道沿第二...
    2026-03-18
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510350270.3
    一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区域；栅极结构，在衬底上在第二方向上延伸并与有源区域重叠，并且在第一方向上彼此间隔开；阻挡栅极结构，在栅极结构之间与有源区域重叠，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在阻挡栅极结构的两侧设置在...
    2026-03-18
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510735027.3
    一种半导体装置可包括：绝缘图案，在第一下层间绝缘层上；纳米片，在绝缘图案上竖直地堆叠；栅电极，在绝缘图案上并且围绕纳米片；源极/漏极区域，在绝缘图案上在栅电极的一侧；以及源极/漏极接触件，电连接到源极/漏极区域。源极/漏极区域、第一下层间绝...
    2026-03-18
  • 碳化硅半导体元件
    碳化硅半导体元件_即思创意股份有限公司_202411147574.1
    一种碳化硅半导体元件，包括一碳化硅基板、一漂移层、多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、多个第三掺杂区、一栅极绝缘体、一栅电极及一源电极。该漂移层设置在该碳化硅基板上。该第一掺杂区设置于该漂移层的该有源区之中。该第二掺杂区设置于该第一掺杂区之中。...
    2026-03-18
  • 一种抗短路的半导体场效应晶体管
    一种抗短路的半导体场效应晶体管_重庆大学_202511753343.X
    本发明提供一种抗短路的半导体场效应晶体管，该场效应晶体管包括与第一导电类型漂移区和第一导电类型传导区域接触的第二导电类型接触区域，在不同面形成异质结二极管，在场效应晶体管反向导通时，异质结具有空穴势垒，抑制少数载流子的注入，降低反向恢复损耗...
    2026-03-18
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