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  • 本发明公开了一种超高真空环境的晶圆交互系统及交互方法,包括依次对接的MOCVD生长室、MOCVD过渡室、MOCVD传输室、第一传送腔、第二传送腔、第四传送腔、CDC腔室和MBE生长室,相邻腔室间通过插板阀进行隔离;利用第一机械手实现承载晶圆...
  • 本发明公开了超薄柔性屏转篮设备,其包括篮框、进料单元、中转单元以及出料单元。本发明一方面基于超薄柔性屏以放置区一侧为基准保持对齐架设于篮框中以供机械手精准取料,并在换位转载中随着机械手的逐步脱离,基于靠栅抵触侧边或拐角和吸附件在长边或短边方...
  • 本发明公开了一种晶圆载台位置校正方法及晶圆载台,涉及晶圆载具技术领域;校正方法包括以下步骤:在晶圆基板放置在载台本体上后,基于多个光电传感器的反馈信号,判断晶圆基板相对于光电传感器是否存在位置偏移;若晶圆基板的位置存在偏移,则驱动载台本体横...
  • 本发明提供一种在利用等离子体的基板处理装置中能够使基板准确位于静电卡盘的中心位置的示教用夹具、定位方法以及基板处理装置。用于在根据本发明的利用等离子体的基板处理装置中确定基板移送位置的示教用夹具包括:下环,具有与在支承所述基板的静电卡盘的外...
  • 本发明提供一种芯片封装的定位方法、系统装置及储存介质,应用于半导体封装技术领域;该方法包括:采集芯片物理图像,提取芯片轮廓与引脚信息,获得芯片初步位置;匹配初步位置与基板模板,不满足阈值时,输入卷积神经网络模型,输出补偿调整向量;生成驱动指...
  • 本发明涉及晶圆封装领域,具体涉及一种多尺寸载片晶圆通用型预键合结构及其使用方法,包括预键合腔体,所述预键合腔体的内部固定有载台支架,所述载台支架的顶部固定有载台,所述载台的四周设置有测量夹紧对中机构,所述载台的内壁中滑动设置有支撑杆,所述支...
  • 本发明涉及一种定心机构、键合设备及定心方法,包括:升降件,能够在外力驱动下沿高度方向移动;定心组件,包括抵持件及定位件,抵持件可相对于升降件水平移动,以带动定位件靠近或远离升降件,以使定位件具有初始位置和定心位置;伸缩件,能够连接抵持件,且...
  • 本发明涉及一种转移头制备模具及其制备方法、转移头制备方法。转移头制备模具,包括衬底基板和模版层,模版层设置于所述衬底基板的一侧,所述模版层背离所述衬底基板的一面具有与预设转移头图案对应的凹槽;所述模版层采用易刻蚀材料,用于在转移头制备成型后...
  • 本发明提供了一种电极组件、静电吸盘及半导体处理装置,其中所述电极组件包括:至少两层第一电极;每层所述第一电极为沿所述静电吸盘径向盘绕形成的第一平面螺旋线圈;相邻两层的所述第一电极之间通过连接点电连接;馈入点,其设置在顶层或底层的第一电极上,...
  • 本发明涉及半导体处理设备技术领域,尤其涉及一种静电吸盘及等离子体处理设备,包括基座、介电层、边缘环和环形密封件,基座的顶部设有外凸的支撑台;介电层设于支撑台的顶部;粘合层设于支撑台和介电层之间;边缘环的内缘环部设置有从顶部向底部方向凹陷的环...
  • 本发明属于半导体封装领域,提供了半自动热压键合机电气与机械个别结构,包括安装柜,安装柜的上表面固定安装有真空腔室,真空腔室内安装有基盘,基盘内设置有机械对位件,包括推杆与校准卡点,推杆与校准卡点配合,基盘内设置有支撑件,支撑件垂直放置;本发...
  • 本发明公开了一种晶圆载盘和半导体器件的加工设备。该晶圆载盘包括:盘体,用于放置晶圆,在所述盘体表面且围绕所述晶圆边缘的位置设有多个容纳槽;以及活动部件,位于各所述容纳槽内,各所述活动部件在所述晶圆放置于所述盘体表面后,向晶圆侧移动,以夹持固...
  • 本发明公开了一种密封装置及半导体工艺设备,涉及半导体设备技术领域。该密封装置包括承载体、承载台、驱动组件、轴承座组件和多个密封件,承载体内设有中空腔,承载台设于承载体的顶部,用于承载晶圆。驱动组件包括驱动件和旋转轴,驱动件与旋转轴驱动连接,...
  • 本发明公开了一种用于微翘曲片的增粘热盘的结构,包括基板,所述基板安装有热盘组件,所述热盘组件上方设置有上盖,所述基板安装有两个驱动上盖升降的升降组件,所述基板安装有顶升机构;所述热盘组件包括底盘和顶盘,所述底盘和顶盘之间安装有加热丝,所述顶...
  • 本申请实施例提供了一种半导体装置及其制造方法和测试方法。该半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一待测试部件和第一测试部件,第一测试部件位于第一待测试部件在第一方向上的一侧,并用于测试第一待测试部件。第二半导体结...
  • 本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。该半导体测试结构包括:半导体衬底、设置在其上的介电层、形成于介电层中并暴露出衬底的通孔、形成在通孔底部的金属半导体化合物层、以及填充在通孔内的导电填充材料。该制造方法包括:提供半导体衬底;形成含通孔...
  • 本发明提供一种半导体外延工艺的监控方法。该方法包括:在衬底上依次外延生长一个包括多个外延层以及设置在相邻外延层之间的标记层的多层结构;然后对该多层结构进行分析,以同时获得多个外延层中至少一者的厚度与组分浓度信息。本发明通过在单片测试晶片上构...
  • 本发明提供了一种可靠性测试结构及测试方法,可靠性测试结构包括:半导体衬底;覆盖半导体衬底的介质层;位于介质层中的至少一第一测试结构和第二测试结构;所述第一测试结构包括第一金属层、第二金属层和第一通孔层;所述第二测试结构包括第三金属层、第四金...
  • 本发明实施例提供一种半切电池片测试分选方法及装置。该方法包括本实施例提供一种半切电池片测试分选方法,包括:对整片的电池片进行测试,将测试数据分解为至少一个准半切电池片测试数据;获取对切割后的半切电池片进行边缘钝化沉积前的第一测试数据;将切割...
  • 本申请涉及一种芯片检测装置及制备方法、芯片检测方法;其中芯片检测装置用于对驱动背板中的多个显示芯片进行转移缺陷检测,该芯片检测装置包括检测基板和设置在该检测基板上的多个压电接触部;其中各压电接触部间隔设置在检测基板上,多个压电接触部与多个显...
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