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  • 本发明涉及先进半导体制造装备技术领域,尤其涉及基于热/光调控的薄膜砷化镓电池剥离转移系统及方法,包括:生长基板承载台承载与固定生长衬底;目标基板承载台承载和固定目标衬底,目标基板承载台内置加热器;视觉定位模块对薄膜电池单元和键合区识别与定位...
  • 本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种p‑on‑n型碲镉汞器件及其生产方法,通过在衬底材料层的表面设置n型碲镉汞层;在n型碲镉汞层的表面设置图形化的光刻胶层;在注入通孔的底面设置注入阻挡层;将注入阻挡层与光刻胶层作为掩蔽膜对n型碲镉汞层...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件,制造方法包括:提供初始电池片;对初始电池片进行开槽处理,以在初始电池片上形成具有凹槽的第一区和不具有凹槽的第二区;形成钝化层,位于初始电池片中具有凹槽的表面,钝化层包括位于第...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池以及光伏组件。该太阳能电池的制备方法包括:提供预备电池,并对预备电池进行切割处理,得到多个具有切割表面的分片电池,预备电池包括依次叠置的基底结构、第一种子层以及第二种子层;再...
  • 本发明公开了一种二维MoS2/In2Se3范德华异质结薄膜的制备方法及在光电突触器件中的应用,属于光电突触器件技术领域,包括:对c面蓝宝石衬底进行退火处理,形成具有台阶的衬底表面;采用化学气相沉积法在具有台阶的c面蓝宝石衬底上生长MoS2薄...
  • 本申请涉及一种太阳能电池的制造方法、太阳能电池和光伏组件,太阳能电池的制造方法包括:在电池片上印刷浆料,进行烘干烧结;使电池片处于第一预设温度,使第一光束照射电池片;使电池片处于第二预设温度,使第二光束照射电池片;其中,第二预设温度低于第一...
  • 本公开涉及光伏领域,特别涉及一种光伏组件,包括:多个电池串,电池串包括多个沿第一方向排列的太阳能电池,太阳能电池包括电池片本体以及设置于电池片本体上的多个焊盘;多个第一汇流条,多个第一汇流条沿第二方向延伸,多个第一汇流条分别位于电池串的相对...
  • 本发明涉及一种基于碳掺杂蓝宝石晶体的X射线探测器,属于X射线直接探测与半导体辐射探测器技术领域。本发明基于导模法生长的碳掺杂蓝宝石晶体,使其表现出可用于直接型探测的半导体特性,通过平面电极结构实现X射线光生载流子的高效收集,获得远高于传统硅...
  • 本发明提供了一种基于范德华外延的量子点光电探测器,可应用于半导体技术领域。该探测器包括:支撑衬底、下导电层、量子点活性层、上导电层以及相互隔离的上电极与下电极,构成垂直三明治结构。其中,下导电层为具有范德华表面的下层二维材料,量子点活性层通...
  • 本发明提供了一种背界面钝化的CIGS单结电池、互联电池及其制备方法以及CIGS/PVK双结叠层电池及其制备方法,CIGS单结电池包括基底和依次形成背电极、吸收层、缓冲层、高阻层、前电极以及栅线;其中,背电极与吸收层间沉积有不连续钝化层。其制...
  • 本发明公开了一种能够提高太阳光0.2‑1.2μm全光谱波段的吸收能力,并且能够提高生成效率,降低生产成本的超薄硅基太阳能电池及其制备方法。该超薄硅基太阳能电池,包括超薄硅基底;所述超薄硅基底内设置有ZnO纳米结构阵列;ZnO纳米结构下端设置...
  • 本发明揭示一种太阳能电池片,其包括半导体基片及设置于半导体基片的电极结构,电极结构包括多条主栅线和多条细栅线。多条主栅线沿第一方向间隔排布。主栅线包括沿第二方向延伸的主杆和沿主杆间隔设置的若干连接枝。多条细栅线沿第二方向间隔排布。细栅线沿第...
  • 本申请公开了一种太阳能电池片及光伏组件,属于光伏组件技术领域。所述太阳能电池片包括基底;传输电极,传输电极设置于基底的表面,并与基底电连接,传输电极远离基底的一侧依次设置有多个凸起部,多个凸起部呈阵列排布,相邻的凸起部至少部分连接;凸起部包...
  • 本申请提供一种电池片及其制备方法、光伏组件,电池片的制备方法,包括如下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;提供导电浆料,在所述半导体衬底的第一表面和/或第二表面涂布所述导电浆料、烧结,形成电极;其中,按照质量百...
  • 本发明属于太阳能电池材料与技术领域,具体涉及一种钝化剂、钝化修饰层及钙钛矿太阳能电池的制备方法, 本发明采用3‑巯基‑1‑丙烷磺酸钠修饰改善电子传输层,特别有效于钝化表面缺陷和界面缺陷,改善了电荷载流子的输运特性,钝化钙钛矿未配位的铅离子和...
  • 本发明提供一种磷发射极钝化结构及其制备方法,钝化结构包括磷发射极,所述磷发射极的成分包括硅、磷、氢、碳和/或氮,所述磷发射极表面设有纳米氧化硅层,所述磷发射极包括电注入区和掺杂区,电注入区对应位置设有导电层,所述导电层用于连接金属电极,所述...
  • 本发明提供一种硼发射极钝化结构及其制备方法,钝化结构包括硼发射极,所述硼发射极的成分包括硅、硼、碳和氢,所述硼发射极表面设有纳米氧化硅层,所述硼发射极包括电注入区和掺杂区,所述电注入区对应位置设有导电层,所述导电层用于连接金属电极,所述掺杂...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:在硅片的受光面和/或背光面上制备减反层;采用激光工艺对硅片金属区域上的减反层进行开膜,形成贯穿至硅片表面的若干窗口;对激光工艺后的硅片进行高温烧结;在硅片金属区域上印刷电极浆...
  • 本发明提供一种氟化镁薄膜晶硅光伏电池及其制备方法和涉电设备,属于光伏电池技术领域,所述氟化镁薄膜晶硅光伏电池的结构从下向上依次包括:背面金属电极层、背SiNx钝化层、隧穿poly磷掺杂非晶硅层、N‑si硅基底、P+发射极层、正SiNx钝化层...
  • 本发明公开一种光感测装置,其包括第一半导体层、位于第一半导体层上的吸收层、位于吸收层上的第二半导体层、位于第二半导体层上的滤光结构、形成于滤光结构中的开口,以及设置于滤光结构上的电极结构。电极结构通过开口连接于第二半导体层。滤光结构包括相互...
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