Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 基于三级协同滤波与屏蔽的带电作业机器人电磁防护方法
    基于三级协同滤波与屏蔽的带电作业机器人电磁防护方法_湖南大学_202610303098.0
    本发明公开了一种基于三级协同滤波与屏蔽的带电作业机器人电磁防护方法，包括：器件级防护：以确保电源与信号完整性为目标，对机器人各模块的印刷电路板进行滤波与布局优化设置；滤波与布局优化设置包括印刷电路板接地与叠层优化、电源网络分级滤波和敏感信号...
    2026-04-27
  • 一种可变频比的超表面吸收器
    一种可变频比的超表面吸收器_南昌大学_202610312826.4
    本发明涉及电磁屏蔽技术领域，提供了一种可变频比的超表面吸收器，其在基板的上表面和下表面分别设置第一金属片和第二金属片，第二金属片接地，第一金属片接收电磁波，并与吸收电路连接，以通过吸收电路选择性吸收目标电磁波，第一金属片上设置有鱼骨型沟槽，...
    2026-04-27
  • 一种采用稳定贴片机构的集成电路贴片机
    一种采用稳定贴片机构的集成电路贴片机_广东华技达精密机械有限公司_202511843563.1
    本发明涉及贴片机技术领域，并公开了一种采用稳定贴片机构的集成电路贴片机，包括机壳，所述机壳中安装有由前后对称设置的两组带轮和皮带组成且通过伺服电机驱动的主动带以及设置在主动带外侧并与主动带左右错位的从动带，主动带和从动带上共同通过连接件均匀...
    2026-04-27
  • 一种辅助缓冲治具贴附常温胶方法及辅助缓冲治具
    一种辅助缓冲治具贴附常温胶方法及辅助缓冲治具_珠海市凯诺微电子有限公司_202610104357.7
    本发明公开了一种辅助缓冲治具贴附常温胶方法及辅助缓冲治具，涉及线路板加工技术领域。该辅助缓冲治具贴附常温胶方法及辅助缓冲治具，通过设计进行形变的缓冲压贴模组，在粘贴时，常温胶的中部在缓冲压贴模组作用下预先接触工件，然后随着通用型治具主体竖直...
    2026-04-27
  • 静态随机存取存储器的布局图案以及其制作方法
    静态随机存取存储器的布局图案以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411530720.9
    本发明提供一种静态随机存取存储器的布局图案，包含一第一区域与一第二区域相邻，一第一SRAM单元位于该第一区域内，该第一区域内包含有一第一扩散区，一第二SRAM单元位于该第二区域内，该第二区域内包含有一第二扩散区，一栅极结构，跨越该第一扩散区...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610077881.X
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、沟槽隔离结构、栅极线、多个切断沟槽以及第一防扩散区。衬底包括第一器件区以及第二器件区；沟槽隔离结构将衬底隔离成第一有源区与第二有源区，第一有源区位于第一器件区，第二有源区位于第二器件...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411421871.0
    一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基底，包括有源区和限定有源区的沟槽隔离结构；字线沟槽，位于基底中，且穿过有源区和沟槽隔离结构；栅介质层，至少覆盖字线沟槽暴露的有源区；字线和位于字线上的字线盖层，其中，字线和字线盖层覆盖栅介质层且...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411426806.7
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括层叠设置的n个器件单元层，每个所述器件单元层均包括衬底以及位于所述衬底上的多个半导体层，所述半导体层沿垂直于所述衬底的方向延伸；所述半导体器件还包括多个连接部件，除了第n个所述器件单元层以...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411433457.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：至少一个存储单元，存储单元包括垂直堆叠的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第二栅电极连接第二晶体管的第三电极；第一晶体管的第一栅电极沿垂直于衬底方向延伸；第一晶体管的第一半导体层环绕第...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411436220.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括在第一方向上依次布置的第一沟道结构、第一位线结构、互连结构、第二位线结构以及第二沟道结构，其中，第一沟道结构沿第一方向延伸，第二沟道结构沿第一方向延伸，第一位线结构在...
    2026-04-27
  • 三维半导体器件
    三维半导体器件_三星电子株式会社_202510993987.X
    一种三维半导体器件包括：半导体图案，与基板间隔开，在平行于基板的底表面的第一方向上延伸；字线，至少部分地围绕半导体图案并在第二方向上延伸，第二方向平行于基板的底表面并正交于第一方向；以及位线，在半导体图案的第一侧表面上，在垂直于基板的底表面...
    2026-04-27
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202610046890.2
    本申请公开了半导体器件，其中，半导体器件包括多个金属互连结构、介质层和金属氧化物层。电介质层位于相邻所述金属互连结构之间且具有多个气隙；金属氧化物层覆盖在至少一气隙的内表面上。由于气隙的内表面上设置了金属氧化物层，而金属氧化物层的机械强度较...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202610335492.2
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成牺牲层和保护层；在所述保护层上形成第一子层和第二子层交替的堆叠层；至少刻蚀所述堆叠层形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述保护层。如此，...
    2026-04-27
  • 三维存储器装置及其制造方法
    三维存储器装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411419176.0
    公开了三维(3D)存储器装置及其制造方法。在某些方面中，一种存储器装置包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括存储器单元阵列；第二半导体结构，第二半导体结构包括第一半导体结构上的外围电路，第二半导体结构包括：半导体层，位于半导体层的靠近第一...
    2026-04-27
  • 三维存储器装置及其制造方法
    三维存储器装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411419203.4
    公开了三维(3D)存储器装置及其制造方法。在某些方面中，一种存储器装置包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括存储器单元阵列；第二半导体结构，第二半导体结构包括第一半导体结构上的外围电路，第二半导体结构包括：半导体层，在半导体层的靠近第一半...
    2026-04-27
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510391535.4
    本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层。半导体装置还包括延伸穿过栅极结构的沟道层，沟道层包括第一部分和第二部分，第一部分包括第一浓度的金属原子，第二部分包括与第一浓度不同的第二浓...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411419055.6
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括衬底以及栅极结构，所述栅极结构包括叠置在所述衬底上的绝缘层、浮置栅极、介电层和控制栅极，所述浮置栅极具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述绝缘层贴合，所述第二表面与所述介电层...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_上海格易电子有限公司_202411434662.X
    本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供包括第一图形区域和第二图形区域的一半导体衬底，并在半导体衬底上进行浮栅多晶硅沉积形成第一多晶硅层；第一图形区域的图形密度大于第二图形区域的图形密度；对第一多晶硅层进行离子注入，并在第一多晶硅层...
    2026-04-27
  • 半导体器件的制作方法
    半导体器件的制作方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202610046589.1
    本发明公开了半导体器件的制作方法，包括形成多个栅极结构(包括位于存储区的第二栅极结构)、第一保护层和第二保护层。其中，第一保护层仅位于逻辑区，第二保护层不仅位于逻辑区还位于存储区；由此，在沿垂直方向移除第一保护层、第二保护层及第二栅极结构的...
    2026-04-27
  • 存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法
    存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610056635.6
    一种存储器结构及其形成方法、存储器电路及存储器电路的工作方法，其中存储器结构包括：位于衬底上的若干存储单元结构，存储单元结构包括第一字线栅和第二字线栅、以及位于第一字线栅和第二字线栅之间的堆叠栅结构，堆叠栅结构包括第一浮栅、第二浮栅和控制栅...
    2026-04-27
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证