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最新专利技术
  • 半导体设备及其进气装置
    半导体设备及其进气装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202311716268.0
    本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种半导体设备及其进气装置。该进气装置包括进气柱和匀流件，进气柱内具有至少两个进气通道，匀流件包括至少两个进气腔，每一进气通道对应连通一个进气腔；各进气通道均包括第一进气子通道和第二进气子通道；第二进气...
    2026-03-01
  • 精密电镀设备
    精密电镀设备_亚硕企业股份有限公司_202311707440.6
    本发明公开一种精密电镀设备，其包括在电镀槽设置一固定式阳极电镀模组、一活动式阳极电镀模组及一作动装置，作动装置能带动活动式阳极电镀模组远离固定式阳极电镀模组，拉开彼此之间的纵向空间间距，得以将阴极挂架的阴极板(基板)放入电镀槽中；其后再由作...
    2026-03-01
  • 槽体循环系统、电路板蚀刻和电路板无极/有极电镀方法
    槽体循环系统、电路板蚀刻和电路板无极/有极电镀方法_超特国际股份有限公司_202311712604.4
    本发明提出一种槽体循环系统、电路板蚀刻和电路板无极/有极电镀方法，槽体循环系统包括槽体、循环泵及固定装置；该槽体具有一隔板，隔板将槽体内的空间分隔成容留空间与暂存空间，该隔板的高度低于暂存空间的槽壁；该容留空间具有出液口，该暂存空间具有入液...
    2026-03-01
  • 一种带钢连续电镀边缘罩及系统
    一种带钢连续电镀边缘罩及系统_宝山钢铁股份有限公司_202311709394.3
    本发明公开了一种带钢连续电镀边缘罩，其内部腔体包括横断面呈矩形的矩形第一部分以及与矩形第一部分衔接的梯形第二部分，其中梯形第二部分的横断面呈梯形，所述矩形第一部分相较于梯形第二部分更靠近带钢。本发明还公开了一种带钢连续电镀系统，其包括阳极板...
    2026-03-01
  • 一种电解还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂及其制备方法与应用
    一种电解还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂及其制备方法与应用_中国石油天然气股份有限公司_202311713705.3
    本发明提供了一种电解还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂及其制备方法与应用，其中，所述电解还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂包括导电载体以及铜基纳米颗粒，所述铜基纳米颗粒负载于所述导电载体上；以导电载体的总重量为100％计，所述铜基纳米颗粒的负载量为...
    2026-03-01
  • 电化学还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂制备方法
    电化学还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂制备方法_中国石油天然气股份有限公司_202311713985.8
    本发明公开了一种电化学还原二氧化碳制乙烯的电极催化剂制备方法，包括以下步骤：步骤1，将导电载体超声分散在分散剂中，形成载体分散液；步骤2，在水浴加热条件下，对步骤1得到的载体分散液进行搅拌，直至混合均匀；步骤3，加入巯基乙胺，均匀分散后，再...
    2026-03-01
  • 一种碱性水电解制氢系统、气液分离装置及其应用
    一种碱性水电解制氢系统、气液分离装置及其应用_中国石油天然气集团有限公司_202311716402.7
    本发明公开了一种碱性水电解制氢系统、气液分离装置及其应用，该装置包括：分离塔和自下而上依次设置于分离塔内部的气液分离分布器、洗涤载体、洗涤水分布器、除沫滤网和冷却器；分离塔的下部开设有流体入口和流体出口，分离塔的顶部设置有气体出口；气液分离...
    2026-03-01
  • 一种灯座、加热装置及半导体处理设备
    一种灯座、加热装置及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311714632.X
    本发明提供一种灯座、加热装置及半导体处理设备。本发明的灯座用于插接加热灯以对加热灯供电，包括：两个绝缘块，并列设置；绝缘块包括第一插接侧面和第二插接侧面，绝缘块的内部设有导电芯；第一插接侧面开有第一插接孔，第二插接侧面开有第二插接孔，导电芯...
    2026-03-01
  • 一种半导体设备及半导体工艺方法
    一种半导体设备及半导体工艺方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202311713636.6
    本发明提供一种半导体设备及半导体工艺方法，方法包括：气体升华容器处于预设高压状态时，进入前驱体排压状态，气态前驱体从气体升华容器经第二传输管道从排出管道排出；进入清洁工艺腔室状态，气体从连接管道、后端管道和工艺传输管道排至工艺腔室，直到工艺...
    2026-03-01
  • 晶圆处理装置
    晶圆处理装置_盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司_202311709824.1
    本发明提供了一种晶圆处理装置，包括外壳体、形成在外壳体内用于处理晶圆的反应腔室、形成在外壳体上与所述反应腔室连通的晶圆输送通道、嵌设在外壳体上与所述外壳体形成一体的闸阀；所述闸阀被配置成开启和关闭所述晶圆输送通道。本发明减短了晶圆输送的路程...
    2026-03-01
  • 一种冷轧IF钢、热镀锌钢板及其制造方法
    一种冷轧IF钢、热镀锌钢板及其制造方法_宝山钢铁股份有限公司_202311709396.2
    本发明公开了一种冷轧IF钢、热镀锌钢板其还含有质量百分含量如下的下述各化学元素：C：0.004‑0.007％、Mn：0.50‑0.80％、P：0.025‑0.040％、Nb：0.04‑0.08％、Cr：0.05‑0.2％、Al：0.01‑0...
    2026-03-01
  • 一种抗氢脆析出强化高镍奥氏体不锈钢及其制备方法
    一种抗氢脆析出强化高镍奥氏体不锈钢及其制备方法_中国石油天然气集团有限公司_202311717818.0
    本发明涉及高强奥氏体不锈钢抗氢脆新材料制备技术领域，尤其涉及一种抗氢脆析出强化高镍奥氏体不锈钢及其制备方法，该方法通过中温回火加高温中速率轧制形变的方法，将高镍奥氏体不锈钢进行高温固溶处理使其溶质元素均匀固溶在奥氏体基体中，然后进行轧制处理...
    2026-03-01
  • 一种核级耐高温、高强度、高蠕变性能的铁镍基合金
    一种核级耐高温、高强度、高蠕变性能的铁镍基合金_宝武特种冶金有限公司_202311710063.1
    本发明公开了一种核级耐高温、高强度、高蠕变性能的铁镍基合金，其化学成分重量百分比为：C 0.085～0.10％，Cr 22.0～23.5％，Al 0.35～0.65％，Ti 0.35～0.65％，Ni 32.0～35.0％，N≤0.008％...
    2026-03-01
  • 一种B微合金化高性能Ti2AlNb基合金及其制备方法与应用
    一种B微合金化高性能Ti<Sub>2</Sub>AlNb基合金及其制备方法与应用_上海交通大学_202311712941.3
    本发明公开了一种B微合金化高性能Ti2AlNb基合金及其制备方法与应用。所述B微合金化高性能Ti2AlNb基合金，按质量百分比计算，包括如下组分：8.1％～17.5％的Al、18.9％～50.6％...
    2026-03-01
  • Lingo1作为术后认知功能障碍治疗靶点的用途
    Lingo1作为术后认知功能障碍治疗靶点的用途_四川大学华西医院_202311712565.8
    本发明提供了Lingo1作为术后认知功能障碍治疗靶点的用途，属于医药技术领域。本发明研究发现POCD会导致Lingo1mRNA和蛋白表达水平显著提高，因此Lingo1mRNA和蛋白表达水平可以用于辅助诊断POCD；其次，本发明研究发现，Li...
    2026-03-01
  • 一种拜耳威利格单加氧酶突变体及其应用
    一种拜耳威利格单加氧酶突变体及其应用_上海合全药业股份有限公司_202311712762.X
    本发明公开了一种拜耳威利格单加氧酶突变体及其应用。本发明提供了一种手性亚砜类化合物的制备方法，其包含以下步骤：溶剂中，单加氧酶突变体的存在下，将化合物1进行单加氧反应，得到手性亚砜类化合物即可；其中，R1为H、Me、M...
    2026-03-01
  • 一种用于光呼吸代谢支路改造的载体及其在C3植物中的应用
    一种用于光呼吸代谢支路改造的载体及其在C3植物中的应用_华南农业大学_202311719972.1
    本发明公开了一条iGCGT光呼吸代谢改造支路，该支路包括融合蛋白RC2‑EcCAT、RC2‑OsGLO1和RC2‑EcGCL*TSR，以光诱导型启动子驱动光呼吸支路，使光呼吸支路中的酶在适当条件下表达，提升光呼吸支路的效率。进一步将所述iG...
    2026-03-01
  • 一株高产香兰素的重组枯草芽胞杆菌及其应用
    一株高产香兰素的重组枯草芽胞杆菌及其应用_北京理工大学_202311715373.2
    本发明涉及一种进行底盘改造和途径优化的重组枯草芽胞杆菌，可以用于香兰素的高效生产，属于代谢工程技术领域。本发明以枯草芽胞杆菌168为出发菌株，对基因组上yhfM到yhfP(11号片段)、从kinD到motA(20号片段)、以及VdhT基因片...
    2026-03-01
  • 一株积累香兰素的枯草芽胞杆菌及其应用
    一株积累香兰素的枯草芽胞杆菌及其应用_北京理工大学_202311715093.1
    本发明涉及一种进行底盘改造的重组枯草芽胞杆菌，可以提高枯草芽胞杆菌对香兰素的积累能力，属于代谢工程技术领域。所述重组枯草芽胞杆菌通过敲除枯草芽胞杆菌基因组上包含yhfP基因的片段提高香兰素积累能力，在添加1g/L香兰素后48h时，野生型枯草...
    2026-03-01
  • 一种抑制FGFR1基因表达的小干扰核酸及其制药用途
    一种抑制FGFR1基因表达的小干扰核酸及其制药用途_佑嘉(杭州)生物医药科技有限公司_202311717509.3
    本发明涉及一种抑制FGFR1基因表达的小干扰核酸及其制药用途。该小干扰核酸包含正义链与反义链，所述正义链和反义链中的所有核苷酸为修饰的核苷酸，其中所述正义链和反义链反向互补形成双链区。所述小干扰核酸可用于制备用于预防和治疗FGFR1基因表达...
    2026-03-01
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