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  • 本发明属于固态锂电池技术领域,具体涉及一种固体电解质‑锂金属电极界面修饰层及其制备和应用。为了抑制锂枝晶生长,本发明在固体电解质和锂金属电极之间引入界面修饰层。所述界面修饰层包括凝胶层及锂合金层,所述凝胶层和固体电解质接触,所述锂合金层和锂...
  • 本发明涉及固态电池技术领域,公开了一种有机无机复合固态电解质膜的制备方法,包括:步骤1:将纳米纤维素、无机快离子导体配置成混合液A,采用抄纸工艺将混合液A制备成无机电解质膜;步骤2:将聚合单体、锂盐和引发剂配置成混合液B,将混合液B浸润无机...
  • 本发明公开了一种固态电池,涉及锂离子电池制备技术领域,旨在解决目前的固态电池循环寿命普遍不高,倍率性能也很差的技术问题,包括正极、负极和固态电解质层,固态电池采用热压熔融方法制得;其中,正极为活性材料Li1.75Ti<...
  • 本发明公开了一种方形铝壳电池顶盖压装机构,涉及电池技术领域,包括压头,所述顶部连接有压装驱动装置,所述压头底面上设有压头长边结构和压头短边结构,压头工作时所述压头长边结构和压头短边结构与电池顶盖的长边和短边分别贴合并进行压装;所述压头长边结...
  • 固体氧化物电堆连接体结构及其制备方法,包括上端板、绝缘板、顶板、密封材料、连接体及电池模块、电池重复部分、密封材料、连接体及电池模块、密封材料、底板、绝缘密封板、下端板组合,将上端板、下端板夹持固定;连接体及电池模块包括内含空气进口、空气出...
  • 本发明公开了一种高导电性锌溴液流电池双极板的制备方法,分别取原料多硫醇和多异氰酸酯的化合物;加入混合物2%wt~5%wt的引发剂;加入混合物2%wt~5%wt的导电剂聚吡咯;将上述混合物超声并搅拌3~5min,确保混合均匀;将混合物置于聚四...
  • 本发明涉及电池制造技术领域,具体涉及一种高开路电压碱性锌锰电池的正极添加剂及其应用,该添加剂为过硫酸钾,含有所述添加剂的正极材料包括如下原料:电解二氧化锰、石墨、硬脂酸钙和过硫酸钾。本发明中所述正极添加剂不仅原料丰富,成本低廉,而且仅需与正...
  • 本发明公开了一种富锂锰基固态电池正极活性材料及其制备方法和应用,制备方法包括:S1、取锰盐、钴盐和镍盐,制成混合盐溶液;S2、向混合盐溶液中加入草酸溶液并搅拌,形成草酸盐沉淀;S3、真空干燥收集沉淀,获得草酸前驱体;S4、将草酸前驱体与Li...
  • 本发明公开了一种磷烯/石墨烯复合正极活性材料及其制备方法和应用。所述磷烯/石墨烯复合正极活性材料的原料包括磷烯、石墨烯、硫化物固态电解质;所述磷烯为少层磷烯或单层磷烯;所述少层磷烯为2‑10层磷烯。本发明利用磷烯作为正极材料的高理论比容量和...
  • 本申请实施例提供了一种芯片结构、制作方法及相关器件,其中,所述芯片结构,包括:功能芯片;键合至所述功能芯片的散热芯片;所述散热芯片包括:散热片,所述散热片为对称结构;位于所述散热片两端的连接部,所述连接部通过转轴与边框连接;位于所述连接部外...
  • 本发明提供了一种圆形对称结构焊接型功率半导体封装件,包括封装盒和半导体器件;封装盒侧壁呈圆筒状;衬板包括依次层叠布置的第一金属层、绝缘层和第二金属层,第二金属层与封装盒底壁相接、且呈圆形与封装盒的内侧壁相匹配,绝缘层隔离设置在第一金属层与第...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种气隙半导体结构及其制备方法,制备方法包括:在基底层表面形成栅极结构、介质层、位于栅极结构两侧的第一金属互连结构和第二金属互连结构;介质层包覆栅极结构背向基底层的一侧表面和栅极结构的侧面,并包覆第一金属互连...
  • 本申请涉及一种层转移异质集成方法,其涉及半导体工艺技术领域,其包括如下步骤:S1旋涂PMMA于分立芯片表面形成保护剂层;S2去除保护剂层的第一部位;S3旋涂PI于第二部位的表面形成保护支撑层;S4旋涂粘附剂于支撑载片正面形成粘接层;S5键合...
  • 本发明公开了一种单片电路封装的装夹装置,包括上盖板、底座和下盖板;所述上盖板上设置有销柱定位孔,所述底座顶部设置有定位销柱;上盖板通过销柱定位孔与底座的定位销柱形成精密配合;所述上盖板上设置有若干个管壳边缘压紧孔;所述底座的顶部设置有管壳放...
  • 本发明涉及框架揭膜技术领域,具体涉及双面柔性引线框架揭膜装置,包括底座和架体,架体底部与底座顶部固定连接,还包括操作台、固定翻转组件、吹剥揭膜组件和驱动组件,操作台底部与底座顶部固定连接,操作台顶部开设有贯穿的空槽,空槽与底座内部连通,固定...
  • 本发明公开了一种蓝膜扩晶装置及其使用方法,本发明涉及蓝膜扩晶技术领域,包括支撑箱、机门、控制按钮、支撑台和卡稳机构,所述支撑箱的外壁安装有机门,支撑箱的外壁安装有控制按钮,支撑箱的内壁安装有支撑台,支撑箱的内壁安装有卡稳机构,支撑台的顶部安...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种高布线密度的半导体封装方法。包括如下步骤:S1,提供一个基板,基板一侧表面设有氧化层;S2,形成图形化的PI层;S3,在PI层表面形成金属种子层,在金属种子层表面形成金属线路层,研磨抛光,直至嵌入凹...
  • 一种用于铝刻蚀的灰化去胶方法,包括:步骤一:将完成铝刻蚀后的晶圆置于灰化设备的工艺腔室,所述晶圆包括依次层叠的半导体衬底、铝层和光刻胶层,所述光刻胶层用于在刻蚀所述铝层的过程中作为掩膜;步骤二:向所述工艺腔室通入灰化气体,以使所述工艺腔室内...
  • 本发明公开了一种高温超导零磁通电流互感器及其装配方法,互感器包括铁壳、铁壳外表面绕制的超导补偿线圈和铁壳内部放置的第一磁通检测线圈‑磁芯系统、第二磁通检测线圈‑磁芯系统和高频检测线圈‑磁芯系统;其中,第一磁通检测线圈‑磁芯系统、第二磁通检测...
  • 本发明公开了一种锥套式连接瓷套绝缘子,包括瓷套,所述瓷套的下端配合设置有锥颈,锥颈的下端设有直颈,瓷套的下端设有用于锁紧锥颈的锁紧组件,还包括连接组件;连接组件:其包括导向槽和导向凸起,所述瓷套包括左半瓷套和右半瓷套,所述锥颈与左半瓷套的下...
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