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最新专利技术
  • 一种带有阵列结构的集流体及其制备方法、极片和电池
    一种带有阵列结构的集流体及其制备方法、极片和电池_苏州清陶新能源科技有限公司_202510556187.1
    本发明公开了一种带有阵列结构的集流体及其制备方法、极片和电池。所述带有阵列结构的集流体包括集流体基底和形成在所述集流体基底至少一侧表面上的金属阵列，所述金属阵列的材质为锂单质。本发明的集流体中，由于集流体基底上设置有锂金属阵列，因此采用该集...
    2026-02-26
  • 负极片和锂离子二次电池
    负极片和锂离子二次电池_珠海冠宇电池股份有限公司_202510559802.4
    本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种负极片和包括该负极片的锂离子二次电池。所述负极片包括负极集流体和位于所述负极集流体至少一侧表面的负极活性涂层，所述负极活性涂层包括负极活性材料，所述负极活性材料包括硅碳材料，所述硅碳材料包括第一硅碳颗粒和...
    2026-02-26
  • 锂离子二次电池
    锂离子二次电池_珠海冠宇电池股份有限公司_202510559490.7
    本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种锂离子二次电池。锂离子二次电池包括层叠设置的正极片、隔膜和负极片，负极片包括负极活性材料，负极活性材料包括含第一硅碳颗粒和第二硅碳颗粒的硅碳材料，第一硅碳颗粒球形度为0.8‑0.99，平均粒径为1μm‑6...
    2026-02-26
  • 用于制备三元正极复合材料的方法和三元正极复合材料
    用于制备三元正极复合材料的方法和三元正极复合材料_上海轩邑新能源发展有限公司_202510556040.2
    本发明公开一种用于制备三元正极复合材料的方法，该方法包括：将三元正极材料前驱体、锂源在氧气氛下进行烧结以得到三元正极材料；在温度不超过900℃的条件下向三元正极材料内通入酸性气体和氧气的混合气体以得到三元正极复合材料。采用上述技术方案，一方...
    2026-02-26
  • 一种硅碳负极材料及其制备方法和应用
    一种硅碳负极材料及其制备方法和应用_武汉科技大学_202510554854.2
    本发明涉及负极材料技术领域，尤其涉及一种硅碳负极材料及其制备方法和应用。制备方法包括如下步骤：S1：将多孔硅材料与有机碳源加入到乙醇溶液，再加入过渡金属盐，超声分散均匀，经喷雾干燥得到粉末样品；S2：将S1获得的粉末样品进行高温碳化工艺，得...
    2026-02-26
  • 一种高效硅碳复合石墨材料的制备方法及其应用
    一种高效硅碳复合石墨材料的制备方法及其应用_广东东岛新能源股份有限公司_202510553780.0
    本发明涉及锂离子电池负极材料技术领域，公开了一种高效硅碳复合石墨材料的制备方法及其应用，包括以下步骤：S1、硅颗粒的多孔化及尺寸调控：将工业级硅粉通过球磨得到纳米硅颗粒，并通过酸刻蚀形成多孔结构；S2、功能化表面处理及界面优化：在硅颗粒表面...
    2026-02-26
  • 芯片先进封测六面散热工艺
    芯片先进封测六面散热工艺_广东大成微电科技有限公司_202510554334.1
    本发明涉及芯片散热工艺技术领域，尤其涉及芯片先进封测六面散热工艺，其步骤如下：S1：超薄晶圆减薄与高精度切割；S2：六面微散热结构加工；S3：高导热基板制备；S4：倒装芯片工艺；S5：顶面主动散热模块；S6：底面液冷集成；S7：侧面复合散热...
    2026-02-26
  • 一种基于TSV异构集成的多层级散热结构及其制备方法
    一种基于TSV异构集成的多层级散热结构及其制备方法_南京理工大学_202510550244.5
    本发明涉及一种基于TSV异构集成的多层级散热结构及其制备方法，属于集成电路封装散热技术领域，包括：基座、歧管芯片组、堆叠芯片组及散热板组，基座的内部设有供液通道和回液通道，供液通道和回液通道均贯通基座的两侧；歧管芯片组的底端键合在基座的顶端...
    2026-02-26
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510558983.9
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体器件，半导体器件包括外延层、若干个位于外延层内且间隔设置的屏蔽栅结构，位于屏蔽栅结构之间的外延层内的阱区、源区，源区位于阱区内，源区、阱区和外延层的表面齐平；在外延层的表面形成层间介质层...
    2026-02-26
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510558971.6
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，在衬底的表面形成氧化硅介质层；在氧化硅介质层和部分深度的衬底内形成多个间隔设置的接触孔，衬底分为相邻中心区域和边缘区域，边缘区域位于中心区域的外围；使用氩气、氢气和WF6
    2026-02-26
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510559421.6
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，可包括一基底，形成多个沟槽位于所述基底内，并在所述沟槽内填充聚硅氮烷层，然后，对所述基底执行多次退火处理，以将所述聚硅氮烷层转换成氧化物层，且在每次退火处理之前均先对所...
    2026-02-26
  • 空中保管系统
    空中保管系统_苏州新施诺半导体设备有限公司_202510556497.3
    本发明揭示了一种空中保管系统，包括车轨及其下方设置的至少两层保管架，底层保管架包括一组与车轨的部分方格口一一对应的第一保管位，每个第一保管位与其对应的方格口在铅垂方向上正对设置，多个在同一水平方向上连续分布的第一保管位为一个第一保管单元，底...
    2026-02-26
  • 一种晶圆不溶解膜整膜去除设备
    一种晶圆不溶解膜整膜去除设备_苏州尊恒半导体科技有限公司_202510551930.4
    本发明公开了一种晶圆不溶解膜整膜去除设备，涉及晶圆不溶解膜去除技术领域。包括槽主体，槽主体内部空腔安装有浸泡腔，浸泡腔内壁两侧开设有导流槽，浸泡腔底部中心位置固定有滑动座，滑动座中心位置开设有抽吸口，抽吸口连接有排液管，排液管端部安装有密封...
    2026-02-26
  • 检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构
    检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构_华虹集成电路(成都)有限公司_202510555993.7
    本发明提供了一种检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构，方法包括：提供一测试结构，测试结构包括衬底；对衬底进行离子注入以提高导电性；当检测第一金属互连层是否过刻蚀时，测试结构包括多晶硅、介电层和第一金属互连层，多晶硅形成于衬底上，第一金属互连...
    2026-02-26
  • 一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法
    一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法_华天科技(南京)有限公司_202510558157.4
    本发明涉及倒装焊接封装技领域，具体为一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法，在电镀RDL铜层上进行微蚀刻处理形成的第一粗糙面来增强RDL之间的PI与PA结合力；在凸点铜柱侧面进行微蚀刻处理形成的第二粗糙面增加铜柱与塑封料结合力，...
    2026-02-26
  • 高导热‌FCBGA封装结构及其制备方法
    高导热‌FCBGA封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202510550343.3
    本发明提供了一种高导热FCBGA封装结构及其制备方法，封装结构包括封装基板、FC芯片和硅片，FC芯片倒装在封装基板表面，FC芯片背面朝上，FC芯片背面设置多个金属柱，硅片一侧表面设置多个凹槽，凹槽内设有金属层；硅片具有凹槽的表面朝向FC芯片...
    2026-02-26
  • 一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法
    一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法_广东工业大学_202510554997.3
    本发明涉及场发射阴极技术领域，尤其涉及一种Au纳米颗粒修饰的4H‑SiC纳米线场发射阴极及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)对4H‑SiC晶片进行电化学刻蚀，在4H‑SiC晶片表面加工出竹节状4H‑SiC纳米线阵列，将4H‑SiC纳米线...
    2026-02-26
  • 一种快速分界断路器
    一种快速分界断路器_湖北网安科技有限公司_202510552929.3
    本发明提供了一种快速分界断路器，涉及分界断路器技术领域。该断路器包括壳体、永磁机构、通风机构、供风机构及温变机构。永磁机构外表面设有防锈剂，并与壳体内壁之间形成通风间隙。通风机构由设于通风通道两端的第一封堵组件和第二封堵组件构成，供风机构用...
    2026-02-26
  • 一种用于控制断路器和隔离开关的机械联锁装置及方法
    一种用于控制断路器和隔离开关的机械联锁装置及方法_山东爱普电气设备有限公司_202510556061.4
    本发明公开了一种用于控制断路器和隔离开关的机械联锁装置及方法，能够适配不同尺寸的老旧设备的机械联锁，保证了联锁机构动作的可靠性；包括：主轴拐臂，所述主轴拐臂一端固定安装在断路器的主轴上，另一端与摇杆的一端铰接，所述摇杆另一端与摇臂的一端铰接...
    2026-02-26
  • 输入装置
    输入装置_延锋国际汽车技术有限公司_202510553663.4
    本申请公开了输入装置。该输入装置包括壳体、触发件、推块组件和触动组件。壳体包括顶板、底板和形成在顶板和底板之间的内腔；顶板构造有与内腔连通的开口。触发件处于内腔内。推块组件的部分置于或穿过开口使得推块组件能在开口限定的范围内沿顶板平动。触动...
    2026-02-26
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