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最新专利技术
  • 硅基负极材料及其制备方法和应用
    硅基负极材料及其制备方法和应用_兰溪致德新能源材料有限公司_202510568907.6
    本发明提供了一种硅基负极材料及其制备方法和应用，涉及电池负极材料的技术领域，包括颗粒内核和通过原子层沉积法沉积于颗粒内核表面的颗粒沉积层；所述颗粒内核包括沉积有硅纳米颗粒的多孔碳基体；所述颗粒沉积层包括金属或其化合物沉积层，本发明通过利用原...
    2025-12-03
  • 一种碳包覆锰钛掺杂磷酸钒钠正极材料的制备方法
    一种碳包覆锰钛掺杂磷酸钒钠正极材料的制备方法_国网湖北省电力有限公司孝感供电公司_202510566943.9
    本发明提供一种碳包覆锰钛掺杂磷酸钒钠正极材料的制备方法，包括将原料碳源、钒源、磷源、钠源、锰源和钛源依次按照摩尔比加入去离子水中，搅拌至溶液变澄清，然后通过溶胶凝胶法和管式炉高温煅烧制备得到Na4‑xMnV1...
    2025-12-03
  • 一种改性碳包覆磷酸焦磷酸锰铁钠材料及其应用
    一种改性碳包覆磷酸焦磷酸锰铁钠材料及其应用_乳源东阳光新能源材料有限公司_202510564969.X
    本发明提供了一种改性碳包覆磷酸焦磷酸锰铁钠材料及其应用，属于钠离子电池材料技术领域。本发明通过将酞菁过渡金属类配合物与碳源复合形成酞菁金属类配合物复合碳材料，再嵌钠处理，最后与阳离子掺杂的磷酸焦磷酸锰铁钠复合烧结，得到改性碳包覆磷酸焦磷酸锰...
    2025-12-03
  • 一种高面密度极片及其制备方法、电池和涉电设备
    一种高面密度极片及其制备方法、电池和涉电设备_河南省鹏辉电源有限公司_202510562759.7
    本发明提供一种高面密度极片及其制备方法、电池和涉电设备，涉及锂电池技术领域。所述高面密度极片的制备方法包括：制备预处理正极片；在预处理正极片表面铺设金属镓颗粒形成设有金属镓模板薄膜的复合极片；对复合极片的进行辊压处理，并将辊压处理后的复合极...
    2025-12-03
  • 一种高能量密度自修复长循环正极极片、制备方法、应用及锂离子电池
    一种高能量密度自修复长循环正极极片、制备方法、应用及锂离子电池_安徽得壹能源科技有限公司_202510566906.8
    本发明公开了一种高能量密度自修复长循环正极极片、制备方法、应用及锂离子电池，属于锂离子电池技术领域。所述高能量密度自修复长循环正极极片，包括集流体和涂覆在所述集流体表面的活性物质层；以质量百分数计，所述活性物质层的组成包括：88％～98％活...
    2025-12-03
  • 一种钠离子电池正极材料及其前驱体和制备方法、钠离子电池和涉电设备
    一种钠离子电池正极材料及其前驱体和制备方法、钠离子电池和涉电设备_贵州为方能源新材料科技有限公司_202510562758.2
    本申请提供一种钠离子电池正极材料及其前驱体和制备方法、钠离子电池和涉电设备，涉及钠离子电池技术领域。该钠离子电池正极材料前驱体包括内核、第一包覆层和第二包覆层；第一包覆层包覆内核；第二包覆层包覆第一包覆层；第一包覆层包括硫化物；第二包覆层包...
    2025-12-03
  • 复合电解质负极涂层及其制备方法、负极和电池
    复合电解质负极涂层及其制备方法、负极和电池_浙江金羽新能源科技有限公司_202510566471.7
    本发明属于电池技术领域，具体而言，涉及一种复合电解质负极涂层及其制备方法、负极和电池。所述的复合电解质负极涂层包括至少一种或多种聚合物纤维、聚合物基体、陶瓷固态电解质、锂盐以及惰性陶瓷；所述聚合物纤维、聚合物基体、无机陶瓷固态电解质、惰性陶...
    2025-12-03
  • 一种自支撑电极膜片及其制备方法和应用
    一种自支撑电极膜片及其制备方法和应用_蜂巢能源科技股份有限公司_202510564951.X
    本发明公开了一种自支撑电极膜片及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：将电极材料和溶剂进行混合，得到团块状的混合物A；其中，所述电极材料中包括小粒径活性物质和第一粘接剂，所述小粒径活性物质的中值粒径D50为0.05μm‑5μm；将所述...
    2025-12-03
  • 一种半导体模块快速封装结构
    一种半导体模块快速封装结构_翼龙半导体设备(大连)有限公司_202510563382.7
    本发明公开了一种半导体模块快速封装结构，涉及半导体封装领域，包括两侧设置有引脚半导体芯片，所述半导体芯片的外部设置有相适配的上壳体与下壳体，所述下壳体的侧面开设有与引脚相适配的引脚槽，所述上壳体与下壳体内部设置有硅胶填充腔，所述下壳体的连接...
    2025-12-03
  • 一种陶瓷内嵌金属层引出结构
    一种陶瓷内嵌金属层引出结构_苏州珂玛材料科技股份有限公司_202510562241.3
    本发明公开了一种陶瓷内嵌金属层引出结构，包括陶瓷主体，陶瓷主体的表面固定有陶瓷薄层，陶瓷薄层与陶瓷主体之间设置有电极层；电极杆，电极杆设置于陶瓷主体的空腔内，电极杆的上方设置有过渡金属块，过渡金属块的上方设置有引出接头一；引出接头二连接引出...
    2025-12-03
  • 接触孔的制造方法
    接触孔的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510572459.7
    本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括：步骤一、进行刻蚀形成接触孔开口。步骤二、进行第一次钨沉积形成第一钨层，在部分接触孔开口的顶部具有缩颈形貌并形成钨未完全填充的缝隙。步骤三、进行第一次CMP到底层结构的顶部表面之下的第一目标位置，第一次...
    2025-12-03
  • 一种晶圆翻转机构
    一种晶圆翻转机构_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202510568508.X
    本发明属于半导体材料加工设备技术领域，公开一种晶圆翻转机构。晶圆翻转机构包括真空腔室、翻转组件和两组夹持组件，翻转组件包括第一驱动件和转动座，第一驱动件固定于真空腔室外，第一驱动件的输出端伸入真空腔室内并用于驱动转动座转动；两组夹持组件均穿...
    2025-12-03
  • 一种薄板类产品耐高温真空载台
    一种薄板类产品耐高温真空载台_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202510561581.4
    本发明提供了一种薄板类产品耐高温真空载台，其能够可靠适配高温环境作业，且当产品形状发生改变时，吸附模组可再次利用进行组装真空载台，降低了真空载台的制作成本。其包括：底座，其仿形于薄板类产品的面域进行制作，所述底座的面域上排布有若干定位连接孔...
    2025-12-03
  • 一种晶圆检测用自动取放片控制系统及方法
    一种晶圆检测用自动取放片控制系统及方法_南京工程学院_202510561886.5
    本发明公开了一种晶圆检测用自动取放片控制系统及方法，属于晶圆加工技术领域。系统包括：取放片单元、旋转单元、升降单元及控制器。取放片单元、旋转单元及升降单元均与所述控制器电性连接。取放片单元安装在旋转单元上，用于在旋转单元的带动下实现水平方向...
    2025-12-03
  • 一种半导体加工精准定位气浮平台
    一种半导体加工精准定位气浮平台_武汉市善银科技有限公司_202510561843.7
    本发明涉及半导体技术的领域，公开了一种半导体加工精准定位气浮平台，包括：承载座，所述承载座上滑动安装有第一气浮平台，所述第一气浮平台上滑动安装有第二气浮平台，且第一气浮平台和第二气浮平台运行方向互相垂直，本发明通过设置上料区，当第一气浮平台...
    2025-12-03
  • 一种用于半导体生产的设备端晶圆缓存系统
    一种用于半导体生产的设备端晶圆缓存系统_上海铠铂云信息科技有限公司_202510577432.7
    本发明公开了一种用于半导体生产的设备端晶圆缓存系统，具体涉及半导体制造设备领域，包括任务初始化模块、智能调度模块、圆盒运输模块、缓存调度模块、异常处理模块以及任务反馈模块；任务初始化模块：生产管理系统MES根据生产计划生成晶圆盒搬运任务；智...
    2025-12-03
  • 晶圆加工装置和晶圆加工设备
    晶圆加工装置和晶圆加工设备_江苏元夫半导体科技有限公司_202510562530.3
    本申请涉及一种晶圆加工装置和晶圆加工设备，晶圆加工装置包括基座、驱动模块、加热模块以及遮挡单元。驱动模块包括旋转件，旋转件可自转地设置在基座上；加热模块沿晶圆的径向可移动地设置在基座上；遮挡单元沿晶圆的径向可移动地设置在基座上，遮挡单元用于...
    2025-12-03
  • 加热装置和加热设备
    加热装置和加热设备_江苏元夫半导体科技有限公司_202510562529.0
    本申请涉及一种加热装置和加热设备，加热装置包括基座、中央旋转模块以及多个加热模块：中央旋转模块包括旋转件和多个第一传动件，旋转件可自转地设置在基座上；多个加热模块环绕旋转件，且沿晶圆的径向可移动地设置在基座上；其中，第一传动件的两端分别可转...
    2025-12-03
  • 用于LECO晶硅太阳能电池的漏电异常分析方法
    用于LECO晶硅太阳能电池的漏电异常分析方法_芜湖协鑫集成新能源科技有限公司_202510567758.1
    本申请公开用于LECO晶硅太阳能电池的漏电异常分析方法，包括如下步骤：取漏电电池片，获取其初始电性能数据及初始正面EL图片；获取漏电电池片的初始正面红外热成像图片；将漏电电池片放入烧结炉内进行烧结；获取漏电电池片的烧结后电性能数据及烧结后正...
    2025-12-03
  • 通孔金属化方法以及金属化玻璃基板
    通孔金属化方法以及金属化玻璃基板_中科同德微电子科技(大同)有限公司_202510570317.7
    本申请提供一种通孔金属化方法以及金属化玻璃基板，该方法可以包括：在玻璃基板上形成通孔；清洗玻璃基板上的通孔；将金属导电浆料填充至通孔中；将预处理的金属导电件埋入填充后的通孔；对埋入后的玻璃基板进行梯度烧结，在玻璃基板上形成金属化的通孔。如此...
    2025-12-03
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