Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202510703548.0
    本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括像素电路和发光元件。像素电路包括多个晶体管，晶体管包括有源层和栅极，有源层包括源漏搭接区、过渡区和沟道区，沟道区和栅极交叠设置，过渡区位于源漏搭接区和沟道区之间。过渡区的离子掺杂浓度与沟道区和源...
    2026-01-19
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_厦门天马微电子有限公司_202510696581.5
    本申请提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括第一绝缘层，第一绝缘层位于衬底的一侧。第一金属层包括多条沿第一方向排布的第一信号线。第二金属层位于平坦层远离衬底的一侧；在绑定区内，平坦层包括第一凹槽，第一凹槽内包括至少部分第一绝...
    2026-01-19
  • 一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备
    一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备_山东天岳先进科技股份有限公司_202510701883.7
    本申请公开了一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备，属于碳化硅加工技术领域。所述碳化硅衬底具有C型倒角，所述C型倒角处的表面粗糙度小于0.5μm，硅面和碳面的倒角表面粗糙度的差值绝对值小于0.1μm。本发明通过激光...
    2026-01-19
  • 高深宽比碳化硅超结器件及制备方法和应用
    高深宽比碳化硅超结器件及制备方法和应用_电子科技大学_202510699172.0
    本发明提供一种高深宽比碳化硅超结器件及制备方法和应用，器件结构包括：阴极金属、N+衬底、N‑漂移区、下P柱区、上P柱区、P+接触区、阳极金属；本发明所提出的碳化硅超结器件，通过深槽刻蚀‑外延回填与离子注入相结合的方式，解决了常规的离子注入工...
    2026-01-19
  • 一种具有复合电极的非对称沟槽SiC MOSFET器件
    一种具有复合电极的非对称沟槽SiC MOSFET器件_重庆邮电大学_202510698752.8
    本发明涉及一种具有复合电极的非对称沟槽SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件针对传统SiC MOSFET中比导通电阻与击穿电压矛盾、反向导通时体二极管导通导致恢复电荷大及高频性能受限的问题，提出在N+衬底上依次构建N‑Dr...
    2026-01-19
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202510702330.3
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括元胞区和位于元胞区外侧的终端区，制造方法包括：提供基底，在元胞区的基底形成有多个第一沟槽，终端区形成有第二沟槽，在第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底部形成有衬垫层和第一栅极材料层；形成保护层，至...
    2026-01-19
  • CMOS欧姆接触工艺兼容的金刚石MOSFET器件及其制备方法
    CMOS欧姆接触工艺兼容的金刚石MOSFET器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510701804.2
    本发明公开了一种CMOS欧姆接触工艺兼容的金刚石MOSFET器件及其制备方法，包括：S1、选取金刚石衬底并在其上同质外延生长本征金刚石层；S2、制备掩模，通过硼离子注入在本征金刚石层上的源极区域和漏极区域形成硼掺杂金刚石层；S3、在样品表面...
    2026-01-19
  • IGBT晶圆结构及其形成方法、临时键合结构
    IGBT晶圆结构及其形成方法、临时键合结构_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202510700888.8
    本发明提供了一种IGBT晶圆结构及其形成方法、临时键合结构，所述IGBT晶圆结构包括IGBT衬底、顶层金属层、无机钝化层、有机钝化层及ID标记，所述顶层金属层、所述无机钝化层及所述有机钝化层依次层叠于所述IGBT衬底上，其中，所述IGBT衬...
    2026-01-19
  • 一种集成了用集电极和发射极控制的自偏置NMOS的RC-LIGBT器件
    一种集成了用集电极和发射极控制的自偏置NMOS的RC-LIGBT器件_重庆邮电大学_202510698768.9
    本发明涉及一种集成了用集电极和发射极控制的自偏置NMOS的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。针对传统RC‑LIGBT存在的Snapback效应、反向导通能力弱及关断损耗高的问题，提出以下方案：在阳极集成自偏置NMOS栅压控制区，通过...
    2026-01-19
  • 一种集成晶闸管的低米勒电容FD-IGBT器件
    一种集成晶闸管的低米勒电容FD-IGBT器件_重庆邮电大学_202510698756.6
    本发明涉及一种集成晶闸管的低米勒电容FD‑IGBT器件，属于半导体技术领域，以解决现有技术中米勒电容高、短路易闩锁及关断损耗大的问题。技术方案包括：在主NMOS区旁集成晶闸管结构及寄生NMOS区，晶闸管由NPN与PNP晶体管互连构成，寄生N...
    2026-01-19
  • 一种微米级别高效的散热器冷板
    一种微米级别高效的散热器冷板_福州菩晶半导体有限公司_202510700156.9
    本发明公开了一种微米级别高效的散热器冷板，包括设备主体，所述设备主体包括盖子，所述盖子的顶部安装有螺丝垫片，所述盖子的顶部固定连接有接口，所述盖子的底部设置有分流板与热沉板，所述盖子与分流板之间安装有密封圈，所述热沉板的内部设置有加热器，所...
    2026-01-19
  • 一种微型电路板制作方法
    一种微型电路板制作方法_江门全合精密电子有限公司_202510697243.3
    本发明公开了一种微型电路板制作方法，包括以下步骤：S1、覆铜板预处理；S2、PAD图形转移和蚀刻工艺，蚀刻工艺中的蚀刻液为碱性氯化铜蚀刻液，蚀刻液的参数设置：铜离子的浓度控制在130‑135g/L范围内，氯离子的浓度控制在170‑175g/...
    2026-01-19
  • 一种电致发光丝线交互系统及方法
    一种电致发光丝线交互系统及方法_清华大学_202510702168.5
    本发明提供一种电致发光丝线交互系统及方法，包括：状态感应传感器，所述状态感应传感器采集环境状态数据；控制器，所述控制器与所述状态感应传感器电连接，基于所述环境状态数据和预设的控制规则生成控制指令；场效应管，所述场效应管与所述控制器连接，所述...
    2026-01-19
  • 网络资源博弈决策方法、系统、设备及存储介质
    网络资源博弈决策方法、系统、设备及存储介质_中国科学技术大学_202510700683.X
    本发明公开了一种网络资源博弈决策方法、系统、设备及存储介质，它们是相对应的方案，方案中：基于联邦强化学习的网络资源分配博弈决策技术使用双层强化学习分别对用户设备和空中基站的策略进行求解，并且融入模型联邦聚合的技术，为领导者决策模型提供更好的...
    2026-01-19
  • 一种5G室内组合定位系统的误差下界估计方法
    一种5G室内组合定位系统的误差下界估计方法_北京邮电大学_202510699739.4
    本发明公开了一种5G室内组合定位系统的误差下界估计方法，包括：建立TDOA观测量非高斯混合初始模型，给出原始估计值；并通过观测数据提取观测噪声与定位噪声数据集合，利用最大期望算法迭代估计模型参数，逼近数据集的真实分布；引入测量约束信息，扩充...
    2026-01-19
  • 一种面向不同知识库匹配程度的多个无人机数据上云的云边端语义通信时延降低的方法
    一种面向不同知识库匹配程度的多个无人机数据上云的云边端语义通信时延降低的方法_南京邮电大学_202510695053.8
    本发明公开了一种面向不同知识库匹配程度的多个无人机数据上云的云边端语义通信时延降低的方法，包括搭载云边端架构，通过边端辅助终端将无人机数据上传云端，完成终端和云端的间接通信；确定通信时延，通过无人机数据上传云端通信速率，确定无人机与边端之间...
    2026-01-19
  • 一种手机银行数据的处理方法、装置、电子设备及介质
    一种手机银行数据的处理方法、装置、电子设备及介质_中国工商银行股份有限公司驻马店分行_202510706943.4
    本发明涉及一种手机银行数据的处理方法、装置、电子设备及介质，方法包括：响应用户请求，确定手机银行中与请求数据对应的至少一个数据接口；手机银行的多个数据接口与银行服务器交互不同类型的数据；获取每个数据接口的交互时刻和终端实时时刻，若交互时刻和...
    2026-01-19
  • 一种适用于ADS-B系统的轻量级可撤销广播加密方案
    一种适用于ADS-B系统的轻量级可撤销广播加密方案_北京航空航天大学_202510694821.8
    本发明公开了一种适用于ADS‑B系统的轻量级可撤销广播加密方案，属于航空电子通信安全技术领域，本发明采用一种基于身份的广播加密组密钥方案，发送方仅需加密一次，即可将密钥广播给多个合法接收者，接收者使用相同的密钥进行解密，从而简化密钥管理，提...
    2026-01-19
  • 协调多星闪接入点的时空频资源复用传输机会共享方法
    协调多星闪接入点的时空频资源复用传输机会共享方法_南京邮电大学_202510701057.2
    本发明公开了协调多星闪接入点的时空频资源复用传输机会共享方法，属于多个星闪高密度部署技术领域；方法为：获取STA在指定微时隙内信道状态信息CSI及波束方向参数；构建动态协调组机制，得到动态协调组成员列表和优化后的波束成形参数；构建频分复用与...
    2026-01-19
  • 一种车地通信方法、装置、系统、设备及存储介质
    一种车地通信方法、装置、系统、设备及存储介质_北京全路通信信号研究设计院集团有限公司_202510701794.2
    本发明公开了一种车地通信方法、装置、系统、设备及存储介质。该方法应用于地面无线封锁中心RBC，RBC包括主接口单元、备接口单元、以太网、第一RBC主机和第二RBC主机；主接口单元和备接口单元分别通过以太网与第一RBC主机和第二RBC主机通信...
    2026-01-19
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证