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最新专利技术
  • 一种p型氧化镓材料的制备方法
    一种p型氧化镓材料的制备方法_泉州师范学院_202511248986.9
    本发明属于半导体领域， 本发明公开了一种p型氧化镓材料的制备方法， 包括以下步骤：1)在氧化镓表面沉积掺杂层；2)将沉积掺杂层后的氧化镓置于保护气体氛围中， 加热升温至处理温度；3)达到处理温度后， 通入氮等离子体， 并用一维线条状激光对氧...
    2025-12-01
  • 一种p型氧化镓薄膜的制备方法
    一种p型氧化镓薄膜的制备方法_泉州师范学院_202511248972.7
    本发明属于半导体领域， 本发明公开了一种p型氧化镓薄膜的制备方法， 包括以下步骤：S1、在衬底上生长预处理层；S2、将生长预处理层后的衬底置于保护气体氛围中， 加热升温至处理温度；S3、在氮等离子体氛围中， 用一维线条状激光对衬底进行辐照；...
    2025-12-01
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511212097.7
    本发明提供一种半导体结构的制备方法。制备方法包括如下步骤：提供基底， 基底包括衬底、垫氧化层和至少一个沟槽组， 沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽， 垫氧化层形成于衬底的表面， 第一沟槽和第二沟槽设置于衬底内且上部贯穿垫氧化层；在第一沟槽的侧壁上...
    2025-12-01
  • 一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法
    一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511261592.7
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法。本发明对PI结构片刻蚀时前期使用F基气体进行主刻蚀， 利用OES装置抓取到PI薄膜厚度仅剩10%时， 将工艺气体由F基气体切换为O2， 由于O2可以与PI薄膜及...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件的刻蚀方法
    一种半导体器件的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812356.3
    本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法， 半导体器件包括从下至上依次设置的层叠结构、底部抗反射层和掩膜层；刻蚀方法包括以下步骤：提供第一刻蚀气体， 第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和保护气体， 确定主刻蚀气体和保护气体的气体比例；第一刻蚀步：在第一刻...
    2025-12-01
  • 深硅刻蚀方法及半导体工艺设备
    深硅刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812231.0
    本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括第一循环步骤和第二循环步骤， 第一循环步骤和第二循环步骤均包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的沉积步，...
    2025-12-01
  • 一种精细可控图形化GaN阵列的制备方法及GaN阵列
    一种精细可控图形化GaN阵列的制备方法及GaN阵列_安徽大学_202510735962.X
    本发明公开了一种精细可控图形化GaN阵列的制备方法， 包括以下步骤：S1、在半导体衬底上制备图形化的GaN外延片；S2、对图形化的GaN外延片进行ICP刻蚀；所述刻蚀气体为Cl2与BCl3的混合气体， 通过调节RF功率和ICP功率， 实现不...
    2025-12-01
  • 一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法
    一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202510878695.1
    本发明涉及半导体制造技术领域， 具体为一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法， 从下至上依次包括：蓝宝石衬底；底部uGaN层， 未掺杂GaN， 厚度1‑2μm；电流扩散层， Si掺杂浓度1×1019/cm3， 厚度0.1...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410340336.6
    一种半导体结构及其形成方法， 方法包括：提供基底；在基底上形成初始外延层；在初始外延层内形成沟道槽；在沟道槽内形成初始沟道层， 初始沟道层的材料与初始外延层的材料不同；对初始沟道层和初始外延层进行刻蚀处理， 形成沟道层与外延层， 刻蚀处理对...
    2025-12-01
  • 生长锗硅外延薄膜的方法及半导体工艺设备
    生长锗硅外延薄膜的方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812325.8
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种生长锗硅外延薄膜的方法及半导体工艺设备。生长锗硅外延薄膜的方法包括：第一沉积步， 在硅基底上沉积锗过渡层；扩散步， 提升工艺温度， 以使锗过渡层与硅基底相互扩散， 形成锗硅过渡层；第二沉积步，...
    2025-12-01
  • 一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质
    一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质_珠海宝丰堂半导体股份有限公司_202511135588.6
    本发明实施例提供了一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质， 方法包括：通过所述晶圆取放单元将待处理晶圆从所述晶圆放置单元移送至所述去胶机构；通过所述去胶机构对所述待处理晶圆进行光刻胶去除后得到目标晶圆；通过所述晶圆取放单元将所述目标晶圆...
    2025-12-01
  • 一种刻蚀方法及半导体工艺设备
    一种刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812823.2
    本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域， 为解决金属硬掩模刻蚀工艺中容易在刻蚀材料层的顶部位置形成“颈缩”现象的问题而设计。该刻蚀方法包括提供半导体器件， 半导体器件包括依次层叠设置的刻蚀材料层、金属硬掩模层、氧化层...
    2025-12-01
  • 多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质
    多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质_全芯智造技术有限公司_202511221014.0
    本公开的实施例涉及多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质。该方法包括：基于设计版图生成第一掩模， 设计版图中金属层的引线按照最小设计规则布置；基于设计版图生成第二掩模， 第二掩模中包括由各个引线扩展第一预定距离而生成的扩展区域， 扩展...
    2025-12-01
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511211625.7
    本公开提供了一种半导体器件的制造方法， 包括：在第一晶圆中设置阻挡层， 阻挡层位于修边区域与中心区域之间；在修边区域对第一晶圆修边；将第一晶圆与第二晶圆键合；对第一晶圆与第二晶圆共同修边， 以暴露阻挡层；自第二表面对第一晶圆进行化学机械抛光...
    2025-12-01
  • 斜面蚀刻方法
    斜面蚀刻方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510927280.9
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种斜面蚀刻方法。斜面蚀刻方法包括：将晶圆背面朝上置于背面清洗机台的转盘上；控制转盘转动， 向晶圆的下方通入N2；其中， 转盘的转速低于背面清洗工艺条件中的转盘转速， N2的流量低于背面清洗工艺条...
    2025-12-01
  • 沟槽类半导体器件的清洗方法及制备方法
    沟槽类半导体器件的清洗方法及制备方法_北京燕东微电子科技有限公司_202510901386.1
    本申请涉及半导体技术领域， 具体提供一种沟槽类半导体器件的清洗方法及制备方法， 旨在对现有清洗工艺进行优化， 以提高产品的合格率。为此目的， 本申请的沟槽类半导体器件的清洗方法包括：采用DHF溶液、SPM溶液、SC1溶液和BOE溶液分别对刻...
    2025-12-01
  • 一种硅片清洗方法、硅片、异质结电池、用电设备
    一种硅片清洗方法、硅片、异质结电池、用电设备_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202510882436.6
    本发明提供一种硅片清洗方法、硅片、异质结电池、用电设备。硅片清洗方法包括以下步骤：依次对硅片进行以下处理：采用一次皂化处理液进行一次皂化处理、采用二次皂化处理液进行二次皂化处理、氧化处理、钝化处理， 得到清洗后的硅片；一次皂化处理液包括过氧...
    2025-12-01
  • 叠层硅沟道的预清洗方法
    叠层硅沟道的预清洗方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812816.2
    本发明提供了一种叠层硅沟道的预清洗方法， 涉及半导体加工工艺技术领域， 以解决叠层硅沟道的氧化层清洗不均匀的问题。叠层硅沟道的预清洗方法包括准备步和预清洗步；准备步中， 预清洗腔室的压力为第一压力；预清洗步中， 利用预清洗气体清洗叠层硅沟道...
    2025-12-01
  • 一种晶圆清洗方法
    一种晶圆清洗方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510804042.9
    本发明提供了一种晶圆清洗方法， 该晶圆清洗方法包括：干法清洗步骤， 将完成刻蚀工艺后的晶圆传入反应腔室， 向反应腔室中通入预设刻蚀气体， 以刻蚀去除晶圆表面的光刻胶和/或抗反射层的残留物；其中， 预设刻蚀气体包括含氧气体；湿法清洗步骤， 将...
    2025-12-01
  • 一种大尺寸薄晶片电火花放电—刻蚀辅助研磨方法及装置
    一种大尺寸薄晶片电火花放电—刻蚀辅助研磨方法及装置_长沙理工大学_202510783014.3
    本发明提供了一种大尺寸薄晶片电火花放电—刻蚀辅助研磨方法及装置， 具体加工方法为：高压输入端连接柱电极， 低压输入端连接环电极， 水蒸气、N2与Ar混合后， 通过气路输送到电火花发生装置的环‑柱电极之间， 在环‑柱电极间的不均匀电场产生高浓...
    2025-12-01
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