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最新专利技术
  • 一种半导体设备及其清洁方法
    一种半导体设备及其清洁方法_长鑫集电(北京)存储技术有限公司_202510898746.7
    本公开提供了一种半导体设备及其清洁方法， 半导体设备包括反应腔室、进料管路、排料管路和旁通管路， 旁通管路的两端分别与进料管路和排料管路相连， 旁通管路上设置有旁路驱动单元。本公开中， 设置于旁通管路的旁路驱动单元能够对旁通管路内残留的第二...
    2025-12-01
  • 一种全自动切割首检拆合批设备及其工作方法
    一种全自动切割首检拆合批设备及其工作方法_华天科技(江苏)有限公司_202510885532.6
    本发明公开了一种全自动切割首检拆合批设备及其工作方法， 该设备包括：天车上下料模组；AGV上下料模组；取放料模组， 用于将首检Wafer转运至合适位置；储物料架， 用于存储首检Wafer；主控模块， 与天车上下料模组和取放料模组相连。本发明...
    2025-12-01
  • 清洗设备
    清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510885456.9
    本发明提供一种清洗设备， 包括：腔体， 腔体中设置有用于承载晶圆的晶圆承载装置；以及第一导流部件， 设置于腔体顶部， 且第一导流部件对应其下表面的多个不同区域分别设置有多个不同的进气结构， 且通过不同的进气结构进入腔体的气体流速不同。本方案...
    2025-12-01
  • 晶圆干燥方法及半导体工艺设备
    晶圆干燥方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812256.0
    本发明涉及晶圆干燥技术领域， 具体而言， 涉及一种晶圆干燥方法及半导体工艺设备。晶圆干燥方法包括：初始设置步， 将干燥槽体及其相邻槽体内均设置为上送下排的正压风场， 并将干燥槽体内的风速设置为大于相邻槽体内的风速；晶圆水洗步， 将晶圆放入干...
    2025-12-01
  • 清洗装置及清洗方法
    清洗装置及清洗方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510773180.5
    本申请涉及一种清洗装置及清洗方法， 用于清洗形成有切割道的半导体基板。该清洗装置包括移动轨道和清洗件。移动轨道可移动至使移动轨道的至少部分与切割道对准。清洗件与移动轨道连接。在移动轨道的至少部分与切割道对准时， 清洗件的至少部分伸入切割道内...
    2025-12-01
  • 一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺
    一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺_南通通州东大机械有限公司_202510585208.2
    本发明提供一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺， 通过智能动态压板与脉冲交替喷镀机制的创新结合， 实现了纳米级沉积精度控制。工艺包括：对基板表面进行等离子体活化；利用MEMS驱动的压力控制阵列扫描表面拓扑结构；生成分区压力分布图和喷镀参数；加...
    2025-12-01
  • 基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置
    基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置_浙江大学_202511233846.4
    本申请涉及基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置， 包括：获取训练晶圆中每个测试结构的缺陷参数， 通过训练晶圆流片后的电学测试获取测试结构电学参数；通过缺陷参数分布以及电学参数构建数据集， 对初始晶圆缺陷预测模型进行训练， 得到迭代...
    2025-12-01
  • 一种旋转整流芯片及生产方法
    一种旋转整流芯片及生产方法_山东芯诺电子科技股份有限公司_202511212357.0
    本申请公开了一种旋转整流芯片及生产方法， 涉及芯片生产领域， 涵盖了从制备衬底层、形成PN结、制作金属电极、钝化保护、晶圆减薄与切割， 直至最终的芯片测试与分选的全流程。在芯片测试与分选环节， 融入了先进的良率管理与故障诊断机制。使得不再仅...
    2025-12-01
  • 一种低温快速烧结实现功率芯片可靠贴装的方法
    一种低温快速烧结实现功率芯片可靠贴装的方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202510788340.3
    本发明提供了一种低温快速烧结实现功率芯片可靠贴装的方法， 所述方法包括以下步骤：通过自发外延生长合成抗氧化镍包铜核壳纳米颗粒；将镍包铜纳米颗粒与有机溶剂离心搅拌均匀， 得到镍包铜纳米焊膏；通过钢网印刷将镍包铜纳米焊膏均匀涂覆在散热基板表面，...
    2025-12-01
  • 一种台阶式金属凸点结构的制备方法
    一种台阶式金属凸点结构的制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511254481.3
    本发明公开了一种台阶式金属凸点结构的制备方法， 该方法是在晶圆第一表面沉积金属种子层；在金属种子层表面经过涂第一层光刻胶、曝光和显影工艺形成第一光阻图形， 第一光阻图形的第一开口暴露金属种子层表面；在第一光阻图形的第一开口内第一次电镀形成第...
    2025-12-01
  • 一种基于区域选择性原子层沉积技术的混合键合方法
    一种基于区域选择性原子层沉积技术的混合键合方法_武汉大学_202510843700.5
    本发明公开了一种基于区域选择性原子层沉积技术的混合键合方法， 属于三维电子封装技术领域。本发明采用原子层沉积技术， 可同时进行多面积和多间距键合， 具有广泛的尺寸适用性。可在低温无压下实现互连层键合和介电层键合， 避免键合时外加机械力和高温...
    2025-12-01
  • 一种高导热性高导电性互连结构及其制备方法
    一种高导热性高导电性互连结构及其制备方法_广东工业大学_202510810222.8
    本发明涉及电子封装互连技术领域， 尤其涉及一种高导热性高导电性互连结构及其制备方法， 具体方法为：将具有铜凸点的芯片和具有铜凸点的焊盘浸泡在空间位阻剂‑银盐复合溶液， 取出并干燥后， 依次进行倒装热压键合和填充涂料， 固化后得到高导热性高导...
    2025-12-01
  • 三维堆叠结构及其制造方法
    三维堆叠结构及其制造方法_长电微电子(江阴)有限公司_202510823737.1
    本发明提供一种三维堆叠结构及其制造方法， 本发明采用具有有机介质层的第一互连层与第二互连层作为堆叠单元之间的键合层， 进行有机混合键合， 三维堆叠结构的堆叠单元之间的空隙、互连层的导电线路中的导电结构的关键尺寸及间距均较小， 因此可以做到更...
    2025-12-01
  • 一种用于集成式微型电源模块的封装设备
    一种用于集成式微型电源模块的封装设备_深圳市银联宝电子科技有限公司_202510793456.6
    本发明涉及半导体封装技术领域， 具体为一种用于集成式微型电源模块的封装设备， 包括工作台， 所述工作台的上端固定连接有操作支架， 所述操作支架的内侧安装有用于移动芯片与基板并对其进行清洁预处理的定位机构， 所述操作支架的上端安装有用于完成芯...
    2025-12-01
  • 一种半导体封装工艺
    一种半导体封装工艺_烟台德邦科技股份有限公司_202510734930.8
    本发明属于半导体封装技术领域， 具体涉及一种半导体封装工艺， 具体包括以下步骤：S1、根据产品的封装尺寸确定芯模尺寸并裁切芯模；S2、制备封装治具：将步骤S1制备的芯模固定放置在容器中， 向容器中填充治具材料， 放入烘箱中固化， 待治具材料...
    2025-12-01
  • 射频前端模组及其制造方法
    射频前端模组及其制造方法_深圳飞骧科技股份有限公司_202511141474.2
    本发明涉及无线通讯技术领域， 提供了一种射频前端模组及其制造方法， 制造方法包括以下步骤：在第一晶圆的正反相对两面均设有多个第一铜柱， 在第一铜柱远离第一晶圆的两侧设有第一锡球， 将多个第一铜柱分别通过多个过孔实现电连接；在第二晶圆的背面设...
    2025-12-01
  • 一种功率组件的制造方法及高效散热的功率组件封装结构
    一种功率组件的制造方法及高效散热的功率组件封装结构_惠州市广大碳基半导体有限公司_202510894943.1
    本发明提供了一种功率组件的制造方法及高效散热的功率组件封装结构， 属于半导体技术领域。该功率组件的制造方法包括：将芯片固定于导热载板， 并将芯片与导热载板的引脚通过导线连接；在导热载板背离芯片的一侧溅镀绝缘薄膜；对溅射绝缘薄膜后的导热载板进...
    2025-12-01
  • 一种石墨烯微纳腔TIM膜及其制备方法
    一种石墨烯微纳腔TIM膜及其制备方法_广东墨睿科技有限公司_202510955297.5
    本申请提供一种石墨烯微纳腔TIM膜的制造方法， 至少包括以下步骤：1)第一次涂布， 将氧化石墨烯浆料涂布在基材上获得一次涂布膜；2)沿着一次涂布膜厚度方向施加下压力制造非穿透的凹槽， 进行第一次干燥处理， 将一次涂布膜干燥至其厚度为干燥前的...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件的刻蚀方法
    一种半导体器件的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812423.1
    本发明涉及半导体器件的制造技术领域， 具体涉及一种半导体器件的刻蚀方法， 半导体器件具有层叠结构， 层叠结构包括交替设置的沟槽和鳍部；鳍部的顶端、沟槽的侧壁面和沟槽的底壁面沉积有金属氧化物层；刻蚀方法包括以下步骤：第一刻蚀步：在氯基气体氛围...
    2025-12-01
  • 一种p型氧化镓材料的制备方法
    一种p型氧化镓材料的制备方法_泉州师范学院_202511248986.9
    本发明属于半导体领域， 本发明公开了一种p型氧化镓材料的制备方法， 包括以下步骤：1)在氧化镓表面沉积掺杂层；2)将沉积掺杂层后的氧化镓置于保护气体氛围中， 加热升温至处理温度；3)达到处理温度后， 通入氮等离子体， 并用一维线条状激光对氧...
    2025-12-01
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