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一种负极片及二次电池
本发明提供一种负极片及二次电池, 负极片包括负极集流体和位于负极集流体至少一侧的第一负极活性层, 和位于第一负极活性层远离集流体一侧的第二负极活性层;第一负极活性层中的活性材料包括第一碳材料;第二负极活性层中的活性材料包括第二碳材料基体和位...
一种底涂磷酸铁锂的三元极片的制备方法及其应用
本发明公开了一种底涂磷酸铁锂的三元极片的制备方法及其应用, 涉及电池材料技术领域。通过在正极基箔表面底涂磷酸铁锂浆料与三元材料浆料, 改善极片的安全性和电化学性能。磷酸铁锂与三元材料作为活性材料, 在正极基箔表面形成活性物质层, 磷酸铁锂具...
二次电池、电池模块、电池包和装置
一种二次电池、电池模块、电池包和装置。二次电池包括正极极片, 所述正极极片包括正极集流体和位于正极集流体表面的正极活性物质层, 所述正极活性物质层包括正极活性物质, 所述正极活性物质包括第一锂镍过渡金属氧化物和第二锂镍过渡金属氧化物, 所述...
一种正极片、制备方法及高安全型锂离子电池
本发明提供了一种正极片、制备方法及高安全型锂离子电池, 涉及电池技术领域。所述正极片包括正极集流体、能量层和安全层, 所述能量层设置于所述正极集流体的表面, 所述安全层设置于所述能量层的表面;其中, 所述能量层的活性物质为中镍或高镍三元材料...
一种负极片、锂离子电池及用电设备
本发明涉及电池技术领域, 公开了一种负极片、锂离子电池及用电设备;其中, 一种负极片, 包括负极集流体和设置在负极集流体至少一侧表面的负极活性层, 所述负极活性层包括设置在所述负极集流体上的第一负极活性层和设置在所述第一负极活性层远离所述负...
电极组件、电极组件的制备方法及电池
本发明提供了一种电极组件、电极组件的制备方法及电池, 电极组件包括第一极片, 包括第一集流体和设置在第一集流体表面的第一活性物质层, 第一活性物质层上设置有用于供第一极耳焊接的第一极耳槽;第二极片, 包括第二集流体和设置在第二集流体表面的第...
极片及电极组件
本发明提供了一种极片及电极组件, 极片包括一体成型的集流体和模切极耳, 模切极耳位于集流体的长度方向的一侧, 集流体的表面设置有活性物质层, 活性物质层上设置有极耳槽, 极片还包括焊接极耳, 焊接极耳焊接在极耳槽处并与集流体电连接, 焊接极...
一种基于锂离子电池正极材料的外延熵辅助涂层及其制备方法
本发明提供了一种基于锂离子电池正极材料的外延熵辅助涂层及其制备方法, 属于锂离子电池及材料界面技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:在惰性气体保护下, 将过渡金属源和前驱体通过原子层沉积技术在锂离子电池正极材料表面构筑熵外延层, 即可。本...
一种水系钠离子电池极片及其制备方法和应用
本发明涉及水系电池技术领域, 尤其涉及一种水系钠离子电池极片及其制备方法和应用, 该极片是由正极极片和负极极片组成;所述正极极片和负极极片均包括活性物质、粘结剂和导电剂, 且活性物质:粘结剂:导电剂的质量比为80‑92:3‑10:5‑10。...
显示基板、显示面板及显示装置
本申请公开了一种显示基板、显示面板以及显示装置。显示基板包括基底、发光单元以及光反射结构;若干发光单元呈阵列设置于基底一侧;光反射结构用于将发光单元发出的部分光线反射至显示侧, 光反射结构包括支撑台以及反射层;支撑台与发光单元置于基底的同一...
一种半导体器件及其制备方法
本申请公开一种半导体器件及其制备方法, 半导体器件包括:衬底;有源层, 形成于衬底上方;金属互连层, 形成于有源层上方, 其包括交替层叠设置的多个金属布线层和多个金属间介质层, 其中, 每层金属布线层中邻近其周向边缘的位置均设置有屏蔽环, ...
一种半导体测试结构及其测试方法
本发明公开一种半导体测试结构及其测试方法, 属于半导体领域。测试结构包括:至少两层金属层, 设置在衬底上, 且金属层至少包括下层金属层和上层金属层, 下层金属层靠近衬底设置, 至少包括测试区、检验区、对照区和参考区, 检验区设置在测试区和对...
TDDB测试工艺结构及其制备方法、TDDB测试方法
本发明公开了一种TDDB测试工艺结构及制备方法、TDDB测试方法, 所述TDDB测试工艺结构包括:衬底, 包括相对设置的第一表面和第二表面;绝缘层, 位于所述第一表面上, 所述绝缘层包括第一区域和第二区域;电容器, 位于所述第一区域上, 所...
可靠性测试结构及应力迁移测试方法、电介质可靠性测试方法
本发明公开了一种可靠性测试结构及应力迁移测试方法、电介质可靠性测试方法, 属于可靠性技术领域, 该可靠性测试结构包括若干沿第一方向排布的第一类金属条和第二类金属条;若干沿第二方向排布的第三类金属条和第四类金属条, 任一第三类金属条的两端均和...
半导体装置
本发明的实施方式涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体衬底, 该半导体衬底具有设置着半导体元件的第1面、及位于与该第1面相反侧的第2面。金属电极设置于在第1面与第2面之间贯通半导体衬底的贯通孔内。第1绝缘膜设置在半导体衬底的第1...
封装结构及其制造方法
本发明提供一种封装结构及制造方法, 封装结构包括:芯片区, 包括多个功能芯片, 功能芯片正面设置有第一导电凸块及第二导电凸块;中间连接区, 沿第一方向设置在芯片区上, 中间连接区包括中介层, 中介层包括芯片互连中介结构, 芯片互连中介结构具...
封装结构及其制造方法
本发明提供一种封装结构及制造方法, 封装结构包括:芯片区, 包括多个功能芯片, 功能芯片正面设置有第一导电凸块及第二导电凸块;中间连接区, 沿第一方向设置在芯片区上, 中间连接区包括中介层, 中介层包括并行设置的芯片互连中介结构以及分立器件...
封装基板及其制造方法
本申请涉及半导体封装技术领域, 公开一种封装基板及其制造方法。其中, 封装基板包括基板和阻挡结构。基板包括有效图形区。阻挡结构设置于基板的内部。其中, 沿着有效图形区的周向, 阻挡结构环绕有效图形区。本申请能够提高阻止基板内部裂纹扩展的有效...
散热盖、芯片封装结构及其形成方法
本发明涉及一种散热盖、芯片封装结构及其形成方法。所述散热盖包括:支撑壳体, 包括本体部以及凸出设置在所述本体部的下表面上的凸台, 所述本体部包括相对分布的上表面和所述下表面, 所述凸台包括朝向所述本体部的顶面和与所述顶面相对的底面, 且所述...
封装组件、封装模块与封装模块的制备方法
本发明公开了封装组件、封装模块与封装模块的制备方法, 封装组件包括第一母板, 包括第一边框与多组第一子板, 多组第一子板沿第一方向间隔分布, 每组第一子板包含沿第二方向间隔分布的多个第一子板, 第一母板还包括多个第一连接部, 各第一子板通过...
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