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  • 本发明涉及半导体芯片和集成电路的物理设计, 特别涉及一种缓冲器插入方法、系统、设备、介质及产品。缓冲器插入方法步骤如下:输入斯坦纳树, 对其后序遍历;遍历到叶节点时, 获取叶节点的极性需求、约定到达时间和负载电容, 生成初始候选解;候选解包...
  • 本申请提供了一种集成电路布局的检测方法及其装置、半导体器件版图的设计方法、设备及存储介质, 涉及半导体设计技术领域, 本申请在目标绝缘栅双极型晶体管的设计版图的基础上, 增设了第一标记层和第二标记层, 其中, 第一标记层用于标记栅极沟槽或发...
  • 本发明涉及智能手机制技术领域, 公开了智能手机集成电路散热基板梯度孔隙结构制备方法, 该方法步骤包括:获取基底材料热导率、芯片热源分布模式、允许孔隙率阈值等数据;将数据输入基于物理场仿真算法的结构生成模型, 输出孔隙直径变化梯度、贯通通道连...
  • 提供了一种系统和方法, 用于修改半导体样本设计布局中的曲线图案。所述方法包括:获取勾勒曲线图案的至少部分轮廓的基样条(B‑spline)曲线以及针对B‑spline曲线上靶点的靶位移, 所述B‑spline曲线是根据一组控制点定义的;根据B...
  • 本申请提出一种模型训练方法、自动布局方法、自动布局装置以及计算机存储介质。所述模型训练方法包括:获取专家经验数据;利用所述专家经验数据求解最优奖励函数;将电路板初始数据输入策略网络, 获取电路板布局数据;将所述电路板布局数据输入所述最优奖励...
  • 本申请提供一种基于概率积分变换的关键PVT角评估方法、装置及设备。包括:对随机采样的N个设计样本进行仿真得到性能指标向量, 构成原始数据集S;对每个PVT角的性能指标向量采用核密度估计方法进行建模, 得到电路性能参数的概率密度函数以及累积分...
  • 本申请提供一种转换电路的电感选型方法、电子设备及计算机程序产品, 针对混合动力车辆高低压转换电路, 通过建立动态参数计算模型, 实现对转换电路中电感的精准选型。
  • 本申请提供一种转换电路的输入端电容选型方法、电子设备及程序产品, 针对混合动力车辆高低压转换电路, 通过建立动态参数计算模型, 实现对转换电路中输入端电容的精准选型。
  • 本申请提供一种转换电路的电感选型方法、电子设备及计算机程序产品, 针对混合动力车辆高低压转换电路, 通过建立动态参数计算模型, 实现对转换电路中电感的精准选型。
  • 本申请实施例公开了一种自热评估方法及装置, 基于物理模型可以对待测器件的电学特性参数进行电学仿真, 得到待测器件的电学电流电压特性, 根据电学电流电压特性和实际电流电压特性, 对待测器件的电学特性参数进行修正得到修正参数, 基于热力学模型对...
  • 本发明属于电磁兼容设计技术领域, 其公开了一种用于宽频段多阶EMI滤波器的考虑频变参数影响的电路拓扑与频变电感的选型设计方法。本发明同时考虑了实际源阻抗、负载阻抗以及滤波支路阻抗随频率变化带来的EMI滤波器高频插入损耗变形失效的问题, 给出...
  • 本申请提供了一种功率模块及其均流分析方法、装置、电子设备、存储介质, 其中, 该方法包括:构建目标功率模块的初始模型;对初始模型中的目标电路的寄生参数进行仿真分析, 确定目标电路的寄生参数;将寄生参数应用于电路计算模型中, 进行动静态均流仿...
  • 本发明公开了一种功率模块设计优化方法、装置、系统、功率模块和车辆, 方法包括:通过热仿真分析得到目标功率模块的目标结温和计算出最大结温差;对目标功率模块的封装进行寄生参数抽取, 得到目标寄生参数;根据目标结温和目标寄生参数对目标功率模块进行...
  • 一种变压器直流偏磁温升计算方法、系统、介质及设备, 方法中, 基于铁芯材料的磁化特性, 对铁芯结构各部分的非线性磁阻值进行分类估计得到各部分的磁阻估值;并根据各部分磁阻估值搭建变压器铁芯磁路仿真模型, 得到变压器的饱和磁化特性φ‑i曲线;搭...
  • 本申请提供一种高频变压器场‑路耦合气隙参数化建模与漏感计算方法及装置, 涉及高频变压器设计技术领域, 解决了现有技术在复杂磁芯结构在动态工况下的参数失配的技术问题。该方法包括:搭建拓扑电路模型, 运行瞬态仿真以提取波形数据;构建三磁芯变压器...
  • 本发明涉及一种高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法及系统, 方法包括:设计不同尺寸的高压MOS器件, 并测量得到各器件在可操作电压范围内的直流特性数据以及在不同偏置电压条件下的闪烁噪声特性数据;基于直流特性数据, 对高压MOS器件的直流性能...
  • 本发明实施例提供一种通用验证组件、验证平台及相关方法和设备, 所述通用验证组件, 应用于兼容指令集的待测设计的验证, 包括:指令验证组件和微指令验证组件;指令验证组件用于接收指令序列, 基于指令序列生成指令解码微指令条目序列, 向微指令验证...
  • 本发明公开一种实现高精度短路仿真的SiC MOSFET SPICE行为模型的建模方法, 包括:步骤一、基于半导体参数分析仪和变温短路测试系统, 分别获取器件在环境温度为25℃、50℃、75℃、100℃的低漏‑源电压VDS区域、高漏‑源电压V...
  • 本申请涉及滤波器技术领域, 提供一种双层滤波器性能影响确定方法及装置。所述方法包括:基于对双层滤波器的性能指标要求, 对任一双层滤波器在基底刻蚀前后的性能进行建模仿真, 得到第一性能仿真结果和第二性能仿真结果;对所述第一性能仿真结果和所述第...
  • 本发明公开一种面向叠层结构横向刻蚀工艺的仿真方法、装置、设备, 面向叠层结构横向刻蚀工艺的仿真方法, 包括:确定刻蚀仿真域中衬底的材料类型, 其中刻蚀仿真域包括由叠层材料构成的衬底和基于蒙特卡洛方法从刻蚀仿真域顶部入射的粒子;当粒子撞击衬底...
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