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最新专利技术
  • 存储器的操作方法和存储器
    存储器的操作方法和存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410404892.5
    本申请公开了一种存储器的操作方法和存储器， 存储器包括存储单元对， 存储单元对包括第一、第二存储单元， 字线栅， 第一、第二源漏区， 第一存储单元连接第一控制栅线， 字线栅连接字线， 第二存储单元连接第二控制栅线， 第一源漏区连接第一位线，...
    2025-12-01
  • 存储器装置以及操作存储器装置的方法
    存储器装置以及操作存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411361741.2
    本申请提供一种存储器装置以及操作存储器装置的方法。存储器装置包括：多个存储器单元， 每个存储器单元连接到多条字线中的任意一条， 多条字线中的任意一条是选定字线， 并且被编程为多个编程状态中的任意一个；行解码器， 被配置为将编程电压或验证电压...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法、存储器系统、计算机系统
    存储器及其操作方法、存储器系统、计算机系统_长江存储科技有限责任公司_202410418266.1
    本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统、计算机系统。该存储器包括：存储单元阵列， 包括：多个存储单元；其中， 存储单元被配置为存储N位数据， N为大于1的整数；外围电路， 耦接存储单元阵列；外围电路被配置为：确定预设格雷码对应的...
    2025-12-01
  • 存储器及其擦除方法
    存储器及其擦除方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410405446.6
    本申请公开了存储器及其擦除方法， 擦除方法包括：对选中存储单元对中的所述第一存储单元进行第一预编程操作， 使所述第一存储单元处于第一数值位；对所述选中存储单元对中的所述第二存储单元进行第二预编程操作， 使所述第二存储单元处于所述第一数值位；...
    2025-12-01
  • 非易失性存储器的擦除方法和存储器
    非易失性存储器的擦除方法和存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410405068.1
    本申请公开了非易失性存储器的擦除方法和存储器， 擦除方法包括：对选中存储单元对进行预编程操作， 所述预编程操作包括对所述对选中存储单元对的相应字线施加第一电压， 对所述选中存储单元对的相应第一控制栅线和第二控制栅线施加第二电压；对所述选中存...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法
    存储器及其操作方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410404911.4
    本申请公开了一种存储器及其操作方法。存储器包括多个存储单元对， 一个存储单元对包括两个串联的存储单元。操作方法包括：获取对目标擦除区域的存储单元对执行第n擦除循环操作的第n最大擦除次数， n为大于或等于0的整数；根据第n最大擦除次数， 确定...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法
    存储器及其操作方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410404827.2
    本申请公开一种存储器及其操作方法。存储器包括多行存储单元对以及多条字线， 一行存储单元对包括至少两个存储单元对， 存储单元对包括两个串联的存储单元且与所述字线连接。操作方法包括：判断非擦除区域中与目标擦除区域相邻的存储单元是否发生阈值电压掉...
    2025-12-01
  • 存储器、存储器的读电压优化方法及计算机可读存储介质
    存储器、存储器的读电压优化方法及计算机可读存储介质_华为技术有限公司_202410391926.1
    本申请提供一种存储器、存储器的读电压优化方法及其计算机可读存储介质、电子设备， 涉及半导体技术领域， 用以解决优化存储器的读电压的问题。该存储器的读电压优化方法， 包括：在存储晶体管处于擦除态下， 向存储晶体管施加多个第一电压， 分别获取多...
    2025-12-01
  • 编程电压供应器以及编程电压的产生方法
    编程电压供应器以及编程电压的产生方法_华邦电子股份有限公司_202410898713.8
    本发明提供一种编程电压供应器以及编程电压的产生方法。编程电压供应器包括多个控制器以及多电压产生器。控制器分别接收多个截止信号， 并共同接收时钟信号。控制器分别根据截止信号以产生多个启动信号。电压产生器用以提供编程电压。其中， 在第一阶段中，...
    2025-12-01
  • 一种存储器系统、操作方法及可读存储介质
    一种存储器系统、操作方法及可读存储介质_长江存储科技有限责任公司_202410396497.7
    本申请实施例公开一种存储器系统、操作方法及可读存储介质。其中， 该存储器系统， 包括：存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中， 所述存储器控制器， 被配置为：按照时间顺序， 获取所述存储器装置的工作温度， 且确定所述工作温度...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法、存储器系统
    存储器及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410410703.5
    本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统。所述存储器包括存储单元阵列和耦接至所述存储单元阵列的多条字线；所述操作方法包括：对选中字线施加验证电压， 并对源极线施加第一源极电压；其中， 所述选中字线对应耦接的存储单元至少包括将要被编...
    2025-12-01
  • 用于存储器系统的独立快闪转译层存储
    用于存储器系统的独立快闪转译层存储_美光科技公司_202510407905.9
    本申请涉及用于存储器系统的独立快闪转译层FTL存储。存储器系统可配置有多个独立FTL， 每一FTL由作为元数据存储在存储器装置的相应存储区中的一组相应指令定义。所述存储器系统可基于所述元数据对存储在所述相应存储区中的数据执行独立FTL的一或...
    2025-12-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510305107.5
    一种半导体器件包括：在第一方向上彼此相邻的第一单位单元区域和第二单位单元区域；在第二方向上与第一单位单元区域相邻的第三单位单元区域；沿着第一方向与第一单位单元区域布置在一起的抽头单元区域；位线和互补位线， 每个位线和互补位线在衬底的第一表面...
    2025-12-01
  • 存储系统及其操作方法
    存储系统及其操作方法_三星电子株式会社_202510091976.2
    提供了被配置为与主机通信的装置以及操作包括主机和装置的存储系统的方法， 该方法包括：由装置基于从主机提供的第一电压产生调节电压， 并且使用调节电压作为用于驱动装置的装置控制器的驱动电压；由主机从装置获得装置的驱动电压信息；由主机基于驱动电压...
    2025-12-01
  • 存储器件、感测放大器和存储器电路
    存储器件、感测放大器和存储器电路_三星电子株式会社_202510380384.2
    一种存储器件， 包括：多个存储单元；以及多个感测放大器， 电连接到多个存储单元中的一个或多个存储单元， 并且多个感测放大器中的每个感测放大器被配置为感测并放大位线的位线信号以产生经放大的位线信号。多个感测放大器中的至少一个感测放大器可以被配...
    2025-12-01
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202411070479.6
    本发明提供一种半导体存储装置及其控制方法， 半导体存储装置包括：多个存储库20， 其各自包括至少一传感放大器10；第一电压供给部30， 在进行多个存储库20中各传感放大器10连接的位线BLT、BLC电压的增幅动作的情况下， 将较传感放大器1...
    2025-12-01
  • 场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统
    场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统_中国科学院微电子研究所_202410419305.X
    本申请实施例公开了一种场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统， 存储方法， 先为铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的栅极施加正或负脉冲， 以使场效应晶体管处于电子俘获状态或空穴俘获状态；在电子俘获状态或空穴俘获状态进行信息写入。基于...
    2025-12-01
  • 一种存储器、存储器的控制方法、存储系统和电子设备
    一种存储器、存储器的控制方法、存储系统和电子设备_华为技术有限公司_202410411749.9
    本申请实施例涉及一种存储器、存储器的控制方法、存储系统和电子设备， 涉及存储技术领域。该存储器包括第一位线、第二位线、第一字线选择管、第二字线选择管、多个第一电容、多个第二电容和灵敏放大器。与多个第一电容耦合的第一字线选择管还与第一位线耦合...
    2025-12-01
  • 存储电路、存储器、电子设备
    存储电路、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410410690.1
    本申请提供一种存储电路、存储器、电子设备。涉及数据存储技术领域。该存储电路包括：第一电极线(比如字线WL)、第二电极线(比如位线BL)、多个第三电极线(比如板线PL)， 以及还包括多个存储单元；每一个存储单元包括晶体管和多个支路， 晶体管的...
    2025-12-01
  • 存储电路及存储器
    存储电路及存储器_长鑫存储技术有限公司_202510875457.5
    本申请实施例涉及半导体领域， 提供一种存储电路及存储器， 存储电路至少可以包括：多个存储块， 每一所述存储块包括依次排列的第一存储子块、第二存储子块和第三存储子块， 所述第二存储子块包括第一存储部和第二存储部， 所述第一存储子块和所述第二存...
    2025-12-01
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